一种半导体材料电镀金工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体材料电镀金工艺方法，包括以下步骤：前期处理：在晶圆上镀钛铂金作为电镀的导电层，晶圆边缘一圈去边带有金；表面处理：涂布光刻胶，利用光刻版曝光显影出需要电镀的图形，并且晶圆边缘一圈去边，形成一圈无金的边；然后进行坚膜，打胶；将晶圆浸泡入浸润槽的表面处理液中，使晶圆表面湿润；将晶圆浸泡入电镀槽的金液中，当炉内温度达到设定温度后，对晶圆进行电镀金处理；金液成分为：Au：8~15 g/L；Tl：26~35 mg/L；亚硫酸根离子：30~90 g/L；硫酸根离子：5~80 g/L；电镀金处理后，在清洗槽中对晶圆进行冲洗，然后取出晶圆，完成电镀金。该方法不仅镀膜厚度可达到2um，镀膜效果好，而且操作简单，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体材料电镀金工艺方法


[0001]本专利技术属于半导体生产
，具体涉及一种半导体材料电镀金工艺方法。

技术介绍

[0002]半导体/光通讯行业的高速激光器多采用物理性蒸镀技术镀金，但是蒸镀金技术的金耗用量很大，难以镀膜到2um厚的金属，一般只有0.8um，不仅无法满足高速激光器的产品需求，而且回收折损多，资金成本高，抽真空作业时间长，操作过程人工成本高。
[0003]此外，蒸镀摇摆过程，通常脊上左右两边无法镀上等量的金，形貌不对称，并且光刻工艺后，若undercut偏小容易出现金属卷边异常。
[0004]而开发电镀工艺，利用电解原理在某些金属表面上镀上一层薄金属或合金的过程，是指借助外界直流电的作用，使金属器件附着上金，可以避免蒸镀不均匀带来的问题，并且能镀上2~3um厚的金满足产品需求，并且操作简单，成本低廉。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种半导体材料电镀金工艺方法，该方法不仅镀膜厚度可达到2um，镀膜效果好，而且操作简单，节约成本。
[0006]为实现上述目的，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料电镀金工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）前期处理：在晶圆上镀钛铂金作为电镀的导电层，以使后续电镀过程接触良好，晶圆在镀钛铂金前的光刻时对边缘进行去边；（2）表面处理：在晶圆表面涂布光刻胶，利用光刻版曝光显影出需要电镀的图形，光刻时晶圆边缘一圈进行去边，以使电镀过程接触良好；然后进行坚膜，打胶；（3）将步骤（2）处理后得到的晶圆浸泡入浸润槽的表面处理液中，使晶圆表面湿润，以协助后续还原镀金制程；（4）将步骤（3）处理后得到的晶圆浸泡入电镀槽的金液中，当炉内温度达到设定温度后，以设定的电压和电流对晶圆进行电镀金处理；其中，金液成分为：Au：8~15 g/L；Tl：26~35 mg/L；亚硫酸根离子：30~90 g/L；硫酸根离子：5~80 g/L；（5）电镀金处理后，在清洗槽中对晶圆进行冲洗，然后取出晶圆，完成电镀金。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠莺，薛正群，
申请(专利权)人：福建中科光芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：