一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺，S1、将托盘中心加工出下凹槽，再将硅片放置于下凹槽内，使得硅片的边缘与托盘的下凹槽线接触；S2、在托盘下方一定距离设置石英板，石英板设有与托盘对应的下凹槽；石英板3的下凹槽尺寸与托盘的下凹槽一致；S3、石英板下方铺设加热丝，加热丝与石英板直接接触，通过设定加热温度，热量从石英板传递给托盘，再传递给硅片。本发明专利技术在不影响成膜工艺的同时降低了硅片的损伤。硅片的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体为一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺。

技术介绍

[0002]由于半导体对于硅片表面的缺陷要求逐渐提高，在硅片氧化硅成膜工艺中，需要设备加热硅片，所以加工设备与硅片表面的接触无法避免，造成硅片损伤，若减小接触，必然导致加热效果差。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺。
[0004]一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：
[0005]S1、将托盘中心加工出下凹槽，再将硅片放置于下凹槽内，使得硅片的边缘与托盘的下凹槽线接触；
[0006]S2、在托盘下方一定距离设置石英板，石英板设有与托盘对应的下凹槽；石英板3的下凹槽尺寸与托盘的下凹槽一致；
[0007]S3、石英板下方铺设加热丝，加热丝与石英板直接接触，通过设定加热温度，热量从石英板传递给托盘，再传递给硅片。
[0008]优选的，托盘的下凹槽直接为302mm。
[0009]优选的，托盘的下凹槽深度为0.7mm。
[0010]优选的，石英板的下凹槽尺寸与托盘的下凹槽一致。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：在不影响成膜工艺的同时降低了硅片的损伤。
附图说明
[0012]图1为加热结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0014]参阅图1，一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺，包括以下步骤：
[0015]S1、将托盘中心加工出下凹槽，再将硅片放置于下凹槽内，使得硅片的边缘与托盘的下凹槽线接触；托盘的下凹槽直接为302mm，深度为0.7mm。
[0016]S2、在托盘下方一定距离设置石英板3，石英板3设有与托盘对应的下凹槽；石英板3的下凹槽尺寸与托盘的下凹槽一致。
[0017]S3、石英板下方铺设加热丝4，加热丝与石英板直接接触，通过设定加热温度，热量从石英板传递给托盘，再传递给硅片。
[0018]本专利技术的工作原理：通过托盘的形状改造，使得其与硅片的接触片减小，避免了过
度损伤，对应托盘的下凹设计，通过石英板的形状改造，下方也人工制造一个下凹的热场，降低硅片中心及边缘的温度差，为均匀成膜提供了良好的温度条件，在不影响成膜工艺的同时降低了硅片的损伤。
[0019]为了验证试验效果，通过12寸抛光片的氧化硅沉积实验说明：
[0020]1、准备双面抛光的硅片。
[0021]2、成膜设备内使用改进后的托盘和石英板，圆片朝上面沉积氧化硅。
[0022]3、测试圆片表面膜层厚度均匀性，对比改进前的成膜表现，确认成膜均匀性满足要求。
[0023]4、将圆片翻转，朝下面转至朝上，使用抛光设备对上面抛光。
[0024]5、逐步增加抛光的去除量，确认抛光后表面缺陷情况，直至表面损伤缺陷完全去除。
[0025]6、通过抛光的整体去除量确认缺陷深度，与使用伟改进的托盘对比。
[0026]7、确认改进后的方案对圆片表面的损伤程度低。
[0027]本专利技术一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺，在不影响成膜工艺的同时降低了硅片的损伤。
[0028]尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损伤的硅片氧化硅成膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将托盘中心加工出下凹槽，再将硅片放置于下凹槽内，使得硅片的边缘与托盘的下凹槽线接触；S2、在托盘下方一定距离设置石英板，石英板设有与托盘对应的下凹槽；石英板3的下凹槽尺寸与托盘的下凹槽一致；S3、石英板下方铺设加热丝，加热丝与石英板直接接触，通过设定加热温度，热量从...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓欢，刘姣龙，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：