一种通过O3处理改善GOI表现的方法技术

本发明专利技术提供一种通过O3处理改善GOI表现的方法，提供半导体结构；利用O3对半导体结构进行第一次湿法清洗；利用O3对半导体结构进行第二次湿法清洗；在半导体结构上形成栅氧层。本发明专利技术通过优化栅氧形成前的湿法工艺条件，引入两次O3处理方法，这极大增强了表面清洗能力，减少晶圆表面的颗粒，改善硅片表面条件，减少栅氧层表面缺陷，从而可以有效改善GOI表现。从而可以有效改善GOI表现。从而可以有效改善GOI表现。

【技术实现步骤摘要】
一种通过O3处理改善GOI表现的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种通过O3处理改善GOI表现的方法。

技术介绍

[0002]栅氧层完整性(Gate Oxide Integrity)的失效模式一般包括三种，A模式：Vbd(击穿电压)小于1.1Vcc(工作电压)，失效原因主要是瞬间失效，一般归因于氧化层疏松，有针孔、划痕、颗粒等明显损伤等，优化措施：非本征击穿可以通过提高生产环境洁净度可基本消除A型失效。B模式，Vbd介于1.1Vcc～2.3Vcc之间，主要表现为杂质离子引起的缺陷，局部氧化层减薄，界面不平整，以及在扩散、等离子刻蚀、离子注入等工艺流程中引入的缺陷，优化措施：非本征击穿，通常与器件制造的工艺流程相关，可以通过优化工艺手段，可以将其限制最小。C模式，Vbd大于2.3Vcc，指在工作电场作用下，介质层中产生或已存在的缺陷，如界面的悬挂键、氧空位和氧化硅内部的断键、氧空位等，在电学上表现为陷阱，会对载流子进行俘获，优化措施：非本征击穿，该缺陷与氧化硅本身的结构密切相关。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种通过O3处理改善GOI表现的方法，用于解决现有技术中栅氧层表面缺陷的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种通过O3处理改善GOI表现的方法，至少包括：
[0005]步骤一、提供半导体结构；
[0006]步骤二、利用O3对所述半导体结构进行第一次湿法清洗；
[0007]步骤三、利用O3对所述半导体结构进行第二次湿法清洗；
[0008]步骤四、在所述半导体结构上形成栅氧层。
[0009]优选地，步骤一中的所述半导体结构为已通过离子注入定义器件区域的结构。
[0010]优选地，步骤二中的所述第一次湿法清洗的时间为20～40s。
[0011]优选地，步骤三中的所述第二次湿法清洗的时间为20～40s。
[0012]优选地，步骤三中的所述第二次湿法清洗以改善栅氧层表面的缺陷并且进一步改善GOI的韦伯分布。
[0013]优选地，该方法还包括步骤五、在所述栅氧层上形成栅极结构。
[0014]优选地，该方法还包括步骤六、在所述栅极结构两侧的所述半导体结构上形成源漏区。
[0015]优选地，该方法用于40nm工艺节点。
[0016]如上所述，本专利技术的通过O3处理改善GOI表现的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过优化栅氧形成前的湿法工艺条件，引入两次O3处理方法，这极大增强了表面清洗能力，减少晶圆表面的颗粒，改善硅片表面条件，减少栅氧层表面缺陷，从而可以有效改善GOI表现。
附图说明
[0017]图1显示为本专利技术的半导体结构上形成栅极结构以及漏极后的结构示意图。
[0018]图2显示为本专利技术中的通过O3处理改善COI表现的方法。
具体实施方式
[0019]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0020]请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0021]本专利技术提供一种通过O3处理改善GOI表现的方法，如图2所示，图2显示为本专利技术中的通过O3处理改善COI表现的方法，该方法至少包括以下步骤：
[0022]步骤一、提供半导体结构；如图1所示，图1显示为本专利技术的半导体结构上形成栅极结构以及漏极后的结构示意图。所述半导体结构包括衬底(Sub)。
[0023]本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中的所述半导体结构为已通过离子注入定义器件区域的结构。
[0024]步骤二、利用O3对所述半导体结构进行第一次湿法清洗；本实施例中在形成栅氧层之前对所述半导体结构进行第一次湿法清洗，在实际操作中，为对有所述半导体结构的晶圆进行所述第一次湿法清洗。
[0025]本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中的所述第一次湿法清洗的时间为20～40s。
[0026]步骤三、利用O3对所述半导体结构进行第二次湿法清洗；本实施例中在形成栅氧层之前，并在进行了所述第一次湿法清洗前对所述半导体结构进行第二次湿法清洗，在实际操作中，为对有所述半导体结构的晶圆进行所述第二次湿法清洗。
[0027]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中的所述第二次湿法清洗的时间为20～40s。
[0028]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中的所述第二次湿法清洗以改善栅氧层表面的缺陷并且进一步改善GOI的韦伯分布。
[0029]步骤四、在所述半导体结构上形成栅氧层。图1中未示出所述栅氧层。所述栅氧层位于栅极结构的下方。
[0030]本专利技术进一步地，本实施例的该方法还包括步骤五、在所述栅氧层上形成栅极结构。如图1所示，该步骤五中在所述栅氧层上形成所述栅极结构(Gate)。
[0031]本专利技术进一步地，本实施例的该方法还包括步骤六、在所述栅极结构两侧的所述半导体结构上形成源漏区。如图1所示，所述栅极结构Gate两侧的所述半导体结构上(本实施例指在衬底Sub上)形成源漏区(即源区S和漏区D)。
[0032]本专利技术进一步地，本实施例的该方法用于40nm工艺节点。
[0033]综上所述，本专利技术通过优化栅氧形成前的湿法工艺条件，引入两次O3处理方法，这极大增强了表面清洗能力，减少晶圆表面的颗粒，改善硅片表面条件，减少栅氧层表面缺
陷，从而可以有效改善GOI表现。所以，本专利技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0034]上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过O3处理改善GOI表现的方法，至少包括：步骤一、提供半导体结构；步骤二、利用O3对所述半导体结构进行第一次湿法清洗；步骤三、利用O3对所述半导体结构进行第二次湿法清洗；步骤四、在所述半导体结构上形成栅氧层。2.根据权利要求1所述的通过O3处理改善GOI表现的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体结构为已通过离子注入定义器件区域的结构。3.根据权利要求1所述的通过O3处理改善GOI表现的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一次湿法清洗的时间为20～40s。4.根据权利要求1所述的通过O3处理改善GOI表现的方法，其特征在于：步骤三中的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻范博，丁力，陆尉，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：