一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置，包括第一次冲洗晶片；第一次浸泡晶片；第二次冲洗晶片；第二次浸泡晶片；第三次冲洗晶片；将第二次浸泡完的晶片用纯水冲洗晶片表面，冲洗完毕后放置在水箱中，完成清洗过程。本发明专利技术对晶片清洗效率更高，且清洗更加干净，整个清理过程简洁快速。程简洁快速。程简洁快速。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置。

技术介绍

[0002]砷化镓(GaAs)是一种无机化合物，能在低于600℃空气中稳定存在，外观为灰黑色固体，熔点为1238℃，密度为5.31g/cm3，禁带宽度为1.424e，相对介电常数为13.18；砷化镓会被氧化性的酸侵蚀，属于Ⅲ－
Ⅴ
族化合物半导体，结构为闪锌矿型晶格结构。
[0003]砷化镓由圆柱状切成片状，很多切片方式由高速钢线带动泥浆切割及冷却，此法存在效率低下且成本居高不下，切割泥浆采用进口切削油、SiC粉混合而成。在此法优化下，采用金刚线表面镀金刚砂及其他高硬度材质，利用油基切割液冷却、消泡等功效。缩短了加工时间及加工物料成本，但在切片完成后，晶片表面会附着油性切割冷却液，及其他颗粒物质，用现有的清理方法难以清理干净，容易影响下道工序的加工；且清洗效率低，影响整体的生产加工过程。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种砷化镓晶片的清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于，包括：第一次冲洗晶片；将割片后的晶片装入卡塞，利用纯水冲洗晶片表面，期间卡塞不断左右倾斜冲洗；第一次浸泡晶片；将第一次冲洗完的卡塞静止浸泡于装有清洗液第一清洗辅助装置中，并且将卡塞朝一个方向保持倾斜；浸泡预定时间后，将卡塞朝另一个方向保持倾斜，浸泡预定时间；第二次冲洗晶片；用纯水冲洗第一次浸泡完的晶片表面，期间卡塞不断左右倾斜冲洗；第二次浸泡晶片；将第二次冲洗完的卡塞静止浸泡于装有腐蚀液的第二清洗辅助装置中，并且将卡塞朝一个方向保持倾斜；浸泡预定时间后，将卡塞朝另一个方向保持倾斜，浸泡预定时间；第三次冲洗晶片；将第二次浸泡完的晶片用纯水冲洗晶片表面后放置于水箱中，完成清洗过程。2.如权利要求1所述的砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：纯水冲洗晶片表面的时间为20～30秒。3.如权利要求1所述的砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：第一次浸泡晶片时，浸泡的预定时间为20～30秒，第一次浸泡晶片的总时间为40～60秒。4.如权利要求1所述的砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：第一清洗辅助装置中的清洗液包括弱碱溶液、两性离子表面活...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑶，曾贵州，王金灵，周铁军，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：