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本发明涉及半导体加工技术领域,公开了一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置,包括第一次冲洗晶片;第一次浸泡晶片;第二次冲洗晶片;第二次浸泡晶片;第三次冲洗晶片;将第二次浸泡完的晶片用纯水冲洗晶片表面,冲洗完毕后放置在水箱中,完成清洗过程。...该专利属于广东先导微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东先导微电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体加工技术领域,公开了一种砷化镓晶片的清洗方法及其清洗辅助装置,包括第一次冲洗晶片;第一次浸泡晶片;第二次冲洗晶片;第二次浸泡晶片;第三次冲洗晶片;将第二次浸泡完的晶片用纯水冲洗晶片表面,冲洗完毕后放置在水箱中,完成清洗过程。...