声表面波谐振器以及声表面波谐振器的制造方法技术

本发明专利技术的声表面波谐振器，包括：压电基板；以及IDT电极，该IDT电极具有：第一介质层，该第一介质层由Ti或Cr构成，并被形成在所述压电基板上、第二介质层，该第二介质层由Al或AlCu合金构成，并被形成在所述第一介质层上、第三介质层，该第三介质层由Ti或Cr构成，并被形成在所述第二介质层上作为保护层。所述第二介质层上作为保护层。所述第二介质层上作为保护层。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器以及声表面波谐振器的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种声表面波谐振器以及声表面波谐振器的制造方法，本专利技术的声表面波谐振器以及声表面波谐振器的制造方法可以用于手机、基站等无线通讯设备的滤波器制备，更进一步的，可以被用于手机、无线基站等射频收发前端的独立、集成模块等方面的应用。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器(SAW)、体声波滤波器(BAW)以及薄膜体声波滤波器(FBAR)是当前滤波器领域的三大主流技术。当前电子系统向小型化，高可靠性，抗干扰能力强等方向进一步发展，SAW滤波器受到越来越多的青睐。SAW滤波器的制作中，实现电信号和声信号的转换是由叉指换能器来完成的。铝、铜或铝铜合金具有很高的导电性，声阻抗小且易于加工，常用来作为叉指换能器的组成材料。
[0003]现有的制备耐功率的IDT电极的通常技术方案为在LiTaO3或LiNiO3晶圆表面上蒸镀一层较薄的Ti或Cr膜后，然后在该薄膜上镀上一层纯Al金属膜或Al
‑
Cu合金金属膜，通过严格控制Al膜的生长获得强织构Al膜甚至单晶Al膜，或利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电基板；以及IDT电极，该IDT电极具有：第一介质层，该第一介质层由Ti或Cr构成，并被形成在所述压电基板上、第二介质层，该第二介质层由Al或AlCu合金构成，并被形成在所述第一介质层上、第三介质层，该第三介质层由Ti或Cr构成，并被形成在所述第二介质层上作为保护层。2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一介质层的材料是Ti，所述第二介质层的材料是AlCu合金且所述第二介质层的Cu含量是0.5％～4％，所述第三介质层的材料是Ti。3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一介质层的厚度是2～5nm，所述第三介质层的厚度不小于所述第一介质层的厚度，并且所述第三介质层的厚度是5～8nm。4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括焊盘加厚层，该焊盘加厚层形成在所述第三介质层上，所述焊盘加厚层具有形成在所述第三介质层上的第四介质层、以及形成在所述第四介质层上的第五介质层，所述第三介质层的材料与所述第四介质层的材料相同。5.如权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第四介质层的材料是Ti或Cr，所述第五介质层的材料是Al。6.如权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第四介质层的厚度为50～100nm，所述第五介质层的厚度为1～2um。7.一种声表面波谐振器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：形成压电基板的工序；在所述压电基板上形成由Ti或Cr构成的第一介质层的工序；在所述第一介质层上形成由Al或AlCu合金构成的第二介质层的工序；在所述第二介质层上形成由Ti或Cr构成的第三介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁志坤，曾沣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：