堆叠芯片的封装方法技术

本申请公开了一种堆叠芯片的封装方法，所述方法包括：在第一支撑板上形成第一重布线层，并将第一芯片固定在第一重布线层上；在第一重布线层上形成至少覆盖第一芯片侧面的第一塑封层；形成贯通第一塑封层而与第一重布线层电连接的第一导电件；在第二支撑板上固定第二芯片，并在第二支撑板上形成至少覆盖第二芯片侧面的第二塑封层；形成贯通第二塑封层的第二导电件；第一塑封层和第二塑封层通过第一粘结层连接，并使得至少一个第二导电件与至少一个第一导电件在第一粘结层中一一电连接；并在第二塑封层背离第一塑封层的表面形成同时与至少一个第二导电件、第二芯片的功能面电连接的第二重布线层。通过上述方式，本申请能够减少封装后的翘曲度。少封装后的翘曲度。少封装后的翘曲度。

【技术实现步骤摘要】
堆叠芯片的封装方法


[0001]本申请属于半导体封装领域，特别是涉及一种堆叠芯片的封装方法。

技术介绍

[0002]随着后摩尔时代的来临，系统级封装技术的需求越来越高，如何通过封装的途径来提高系统的集成度、小型化程度，是封装人必须考虑的问题。扇出型三维集成封装技术的基本理念是在扇出型封装的基础上，增加垂直传输通道，通过芯片堆叠或圆片堆叠技术实现高密度系统的三维立体集成。
[0003]堆叠芯片中的一个关键需求是将芯片厚度减小，此厚度下的芯片刚性较小，后续对芯片的操作(机械操作或其他操作)会发生翘曲。

技术实现思路

[0004]本申请的目的提供一种堆叠芯片的封装方法，能够减少封装后的翘曲度。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：在第一支撑板上形成第一重布线层，并将第一芯片固定在所述第一重布线层上，其中，所述第一芯片的功能面朝向所述第一重布线层而与所述第一重布线层电连接；在所述第一重布线层上形成至少覆盖所述第一芯片侧面的第一塑封层；形成贯通所述第一塑封层而与所述第一重布线层电连接的第一导电件；在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠芯片的封装方法，其特征在于，所述方法包括：在第一支撑板上形成第一重布线层，并将第一芯片固定在所述第一重布线层上，其中，所述第一芯片的功能面朝向所述第一重布线层而与所述第一重布线层电连接；在所述第一重布线层上形成至少覆盖所述第一芯片侧面的第一塑封层；形成贯通所述第一塑封层而与所述第一重布线层电连接的第一导电件；在第二支撑板上固定第二芯片，并在所述第二支撑板上形成至少覆盖所述第二芯片侧面的第二塑封层，其中，所述第二芯片的功能面朝向所述第二支撑板；形成贯通所述第二塑封层的第二导电件；在所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面形成第一粘结层；将所述第二支撑板上的整体结构与所述第一支撑板上的整体结构堆叠设置，并使得至少一个所述第二导电件与至少一个所述第一导电件在所述第一粘结层中一一电连接；去除第二支撑板，并在所述第二塑封层背离所述第一塑封层的表面形成同时与至少一个所述第二导电件、所述第二芯片的功能面电连接的第二重布线层；去除所述第一支撑板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述第一支撑板之前，还包括：在所述第二重布线层背离所述第二塑封层一侧形成与所述第二重布线层电连接的多个第一导电凸起；在所述去除所述第一支撑板之后，还包括：在所述第一重布线层背离所述第一塑封层一侧形成与所述第一重布线层电连接的多个第二导电凸起。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述去除第一支撑板之前，还包括：在第三支撑板上固定第三芯片，并在所述第三支撑板上形成至少覆盖所述第三芯片侧面的第三塑封层，其中，所述第三芯片的功能面朝向所述第三支撑板；形成贯通所述第三塑封层的至少一个第三导电件；在所述第三塑封层背离所述第三支撑板的表面形成第二粘结层；将所述第一支撑板上的整体结构与所述第三支撑板上的整体结构堆叠设置，并使得至少一个所述第一导电凸起与至少一个所述第三导电件在所述第二粘结层中一一电连接；去除第三支撑板，将所述第三芯片的功能面与至少一个所述第三导电件电连接。4.根据权利要求3所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：常健伟，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：