一种扇出式封装方法技术

本申请公开了一种扇出式封装方法，该方法包括：提供第一载板，在第一载板上第一表面外围区域形成第一线层、以及在所述中心区域设置连接芯片；其中，所述第一线层包含多个第一金属线，相邻第一金属线之间具有第一间隔；所述连接芯片的第一功能面朝向所述第一载板；在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层，所述第二线层与所述第一线层电连接；其中，所述第二线层包含多个第二金属线，相邻所述第二金属线之间具有第二间隔，且所述第一间隔小于所述第二间隔；去除所述第一载板，在所述第一线层远离所述第二线层一侧设置多个与所述连接芯片相连接的第一芯片。通过上述方式，本申请能够降低封装成本，提高芯片封装良率。片封装良率。片封装良率。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出式封装方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，特别是涉及一种扇出式封装方法。

技术介绍

[0002]在现有的芯片封装方法中，大多采用先制作再布线层，再将芯片贴装到再布线层上的方法。其中，再布线层用于芯片与其他器件之间的互连。再布线层包括多层线层结构，通常靠近芯片的线层的尺寸大于远离芯片的线层的尺寸，且靠近芯片的线层的间距最小。在制作再布线层的过程中，一般先制作远离芯片一端的线层，最后制作与芯片相连的线层。由于在制作过程中材料涂覆的部平整性，该方法容易导致最靠近芯片一侧的线层表面形成起伏，从而影响芯片封装的质量，带来大量的良率损失。为解决这一问题，可以在制作完每一线层后进行表面平整化，但表面平整化工艺成本高、效率低。

技术实现思路

[0003]本申请主要解决的技术问题是提供一种扇出式封装方法，能够降低封装成本，提高芯片封装良率。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种扇出式封装方法，包括：提供第一载板，所述第一载板包括相背设置的第一表面和第二表面，且所述第一表面包括中心区域和位于所述中心区域外围的外围区域；在所述外围区域形成第一线层、以及在所述中心区域设置连接芯片，所述连接芯片包括相背设置的第一功能面和第一非功能面，所述第一功能面上设置有多个第一焊盘；其中，所述第一线层包含多个第一金属线，相邻第一金属线之间具有第一间隔；所述连接芯片的第一功能面朝向所述第一载板；在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层，所述第二线层与所述第一线层电连接；其中，所述第二线层包含多个第二金属线，相邻所述第二金属线之间具有第二间隔，且所述第一间隔小于所述第二间隔；去除所述第一载板，在所述第一线层远离所述第二线层一侧设置多个与所述连接芯片相连接的第一芯片。
[0005]其中，所述在所述外围区域形成第一线层、以及在所述中心区域设置连接芯片的步骤，包括：在所述第一表面上形成保护层，在所述保护层远离所述第一载板一侧形成光刻胶层；在所述外围区域对应的所述光刻胶层上形成图案化的第一开口，部分所述保护层从所述第一开口中露出；在所述第一开口内填充导电金属以形成第一线层，并去除所述光刻胶层；去除所述中心区域对应位置处的所述保护层，将所述连接芯片设置在所述第一表面的所述中心区域，所述连接芯片的所述第一功能面朝向所述第一表面。
[0006]其中，所述在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层的步骤，包括：在所述第一载板设置有所述连接芯片一侧形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述第一线层和所述连接芯片；在所述外围区域对应的所述第一介电层上形成多个第一通孔，以及在所述连接芯片对应所述第一介电层的位置处形成多个第二开口；其中，部分所述第一线层从所述第一通孔中露出；在所述第二开口以及所述第一通孔内填充导电金属
以形成所述第二线层。
[0007]其中，在远离所述第一载板的方向上，所述第一通孔包括相互连通的第一子通孔和第二子通孔；且所述第一子通孔相对所述第二子通孔靠近所述第一线层，所述第一子通孔的平均内径小于所述第二子通孔的平均内径。
[0008]其中，在远离所述第一载板方向上，所述第一子通孔的内径逐渐增大；和/或，在远离所述第一载板方向上，所述第二子通孔的内径相同。
[0009]其中，所述在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层的步骤之后，包括：在所述第二线层远离所述第一载板一侧形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第二线层从所述第一介电层中露出的部分；在所述第二介电层上形成多个第二通孔；其中，部分所述第二线层从所述第二通孔中露出；在所述第二通孔的内壁以及与所述内壁相邻的部分所述第二介电层上填充所述导电金属以形成第三线层，所述第三线层的厚度小于所述第二通孔的深度；其中，所述第三线层包含多个第三金属线，相邻第三金属线之间具有第三间隔，且第三间隔大于所述第二间隔。
[0010]其中，所述在所述第二通孔的内壁以及与所述内壁相邻的部分所述第二介电层上填充所述导电金属以形成第三线层的步骤之后，包括：在所述第三线层远离所述第一载板一侧形成第三介电层，所述第三介电层至少覆盖部分所述第三线层，并填充所述第二通孔；在所述第三介电层远离所述第二线层一侧设置第二载板。
[0011]其中，所述去除所述第一载板，在所述第一线层远离所述第二线层一侧设置多个与所述连接芯片相连接的第一芯片的步骤，包括：去除所述第一载板和保护层；在所述第一线层和所述第一功能面远离所述第二线层一侧形成第四介电层，在所述第四介电层上形成多个第三开口；其中，部分所述第一线层以及所述连接芯片的所述第一焊盘通过所述第三开口露出；提供多个所述第一芯片，所述第一芯片包括相背设置的第二功能面和第二非功能面，所述第二功能面上设置有多个第二焊盘；在多个所述第一芯片的第二功能面上形成多个导电凸点，所述导电凸点与所述第一芯片的第二焊盘电连接；将所述第一芯片的所述第二功能面朝向所述第四介电层，使所述导电凸点通过所述第三开口与所述第一线层或所述连接芯片的所述第一焊盘电连接。
[0012]其中，所述在所述第一线层远离所述第二线层一侧设置多个与所述连接芯片相连接的第一芯片的步骤之后，包括：在所述第四介电层远离所述第一线层一侧形成塑封层，所述塑封层至少覆盖所述第一芯片。
[0013]其中，本申请提出的扇出式封装方法，还包括：去除所述第二载板；
[0014]在所述第三介电层上形成多个第四开口，部分所述第三线层从所述第四开口中露出；在所述第四开口内形成焊球。
[0015]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提出的扇出式封装方法包括将多个第一芯片的第二功能面朝向连接芯片的第一功能面，并使得第一芯片的部分第二焊盘与连接芯片的第一焊盘电连接。多个第一芯片可以通过连接芯片实现相互连通。连接芯片的外围设置有第一线层，第一线层与第一芯片电连接，第一线层远离第一芯片一侧还设置有第二线层，以实现载板或其他器件与多个第一芯片相互连接。其中，先制作第一线层再制作第二线层，该方法可以有效解决靠近第一芯片一侧线层表面的不平整问题，并且可以避免后续对靠近第一芯片一侧线层表面进行平整化处理，大大降低了封装成本。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0017]图1是本申请扇出式封装方法一实施方式的流程示意图；
[0018]图2是步骤S101对应一实施方式的剖视结构示意图；
[0019]图3是步骤S102对应一实施方式的流程示意图；
[0020]图4是步骤S201对应一实施方式的剖视结构示意图；
[0021]图5是步骤S202对应一实施方式的剖视结构示意图；
[0022]图6是步骤S203对应一实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出式封装方法，其特征在于，包括：提供第一载板，所述第一载板包括相背设置的第一表面和第二表面，且所述第一表面包括中心区域和位于所述中心区域外围的外围区域；在所述外围区域形成第一线层、以及在所述中心区域设置连接芯片，所述连接芯片包括相背设置的第一功能面和第一非功能面，所述第一功能面上设置有多个第一焊盘；其中，所述第一线层包含多个第一金属线，相邻第一金属线之间具有第一间隔；所述连接芯片的第一功能面朝向所述第一载板；在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层，所述第二线层与所述第一线层电连接；其中，所述第二线层包含多个第二金属线，相邻所述第二金属线之间具有第二间隔，且所述第一间隔小于所述第二间隔；去除所述第一载板，在所述第一线层远离所述第二线层一侧设置多个与所述连接芯片相连接的第一芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外围区域形成第一线层、以及在所述中心区域设置连接芯片的步骤，包括：在所述第一表面上形成保护层，在所述保护层远离所述第一载板一侧形成光刻胶层；在所述外围区域对应的所述光刻胶层上形成图案化的第一开口，部分所述保护层从所述第一开口中露出；在所述第一开口内填充导电金属以形成第一线层，并去除所述光刻胶层；去除所述中心区域对应位置处的所述保护层，将所述连接芯片设置在所述第一表面的所述中心区域，所述连接芯片的所述第一功能面朝向所述第一表面。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一线层和所述连接芯片远离所述第一载板一侧形成第二线层的步骤，包括：在所述第一载板设置有所述连接芯片一侧形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述第一线层和所述连接芯片；在所述外围区域对应的所述第一介电层上形成多个第一通孔，以及在所述连接芯片对应所述第一介电层的位置处形成多个第二开口；其中，部分所述第一线层从所述第一通孔中露出；在所述第二开口以及所述第一通孔内填充导电金属以形成所述第二线层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在远离所述第一载板的方向上，所述第一通孔包括相互连通的第一子通孔和第二子通孔；且所述第一子通孔相对所述第二子通孔靠近所述第一线层，所述第一子通孔的平均内径小于所述第二子通孔的平均内径。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在远离所述第一载板方向上，所述第一子通孔的内径逐渐增大；和/或，在远离所述第一载板...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂华，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：