【技术实现步骤摘要】
堆叠芯片的封装方法
[0001]本申请属于半导体封装领域,特别是涉及一种堆叠芯片的封装方法。
技术介绍
[0002]在摩尔定律的指引下,集成电路技术逐渐由二维(2D)平面向三维(3D)方向发展。堆叠芯片大多对已完成工艺的芯片,通过对准、键合、减薄完成互连。
[0003]堆叠芯片中的一个关键需求是将芯片厚度减小,此厚度下的芯片刚性较小,后续对芯片的操作(机械操作或其他操作)会发生翘曲。
技术实现思路
[0004]本申请的目的提供一种堆叠芯片的封装方法,能够减少封装后的翘曲度。
[0005]为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:在第一支撑板上固定第一芯片,并在所述第一支撑板上形成至少覆盖所述第一芯片侧面的第一塑封层,其中,所述第一芯片的功能面朝向所述第一支撑板;在第二支撑板上固定第二芯片,并在所述第二支撑板上形成至少覆盖所述第二芯片侧面的第二塑封层,其中,所述第二芯片的功能面朝向所述第二支撑板;在所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面形成粘结层;将所述第二支撑板上的整体结构与所述第一支撑 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种堆叠芯片的封装方法,其特征在于,所述方法包括:在第一支撑板上固定第一芯片,并在所述第一支撑板上形成至少覆盖所述第一芯片侧面的第一塑封层,其中,所述第一芯片的功能面朝向所述第一支撑板;在第二支撑板上固定第二芯片,并在所述第二支撑板上形成至少覆盖所述第二芯片侧面的第二塑封层,其中,所述第二芯片的功能面朝向所述第二支撑板;在所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面形成粘结层;将所述第二支撑板上的整体结构与所述第一支撑板上的整体结构堆叠设置,并使所述第二塑封层通过所述粘结层与所述第一塑封层固定连接;去除所述第二支撑板,并形成贯通所述第二塑封层、所述粘结层以及所述第一塑封层的至少一个导电件;将所述第二芯片的功能面与至少一个所述导电件电连接;去除所述第一支撑板,并将所述第一芯片的功能面与至少一个所述导电件电连接。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面形成粘结层的步骤,包括:在所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面涂布胶水,待所述胶水固化后形成所述粘结层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一支撑板上形成至少覆盖所述第一芯片侧面的第一塑封层的步骤,包括:在所述第一支撑板上形成覆盖所述第一芯片的所述第一塑封层;研磨所述第一塑封层背离所述第一支撑板的表面,直至所述第一芯片的非功能面裸露;和/或,所述在所述第二支撑板上形成至少覆盖所述第二芯片侧面的第二塑封层的步骤,包括:在所述第二支撑板上形成覆盖所述第二芯片的所述第二塑封层;研磨所述第二塑封层背离所述第二支撑板的表面,直至所述第二芯片的非功能面裸露。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述形成贯通所述第二塑封层、所述粘结层以及所述第一塑封层的至少一个导电件之前,还包括:形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:常健伟,
申请(专利权)人:通富微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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