半导体器件结构及其制备方法技术

本公开涉及一种半导体器件结构及其制备方法。所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区，所述初始漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第一深度；于各所述第一导电类型的初始漂移区形成第一导电类型的漂移区，所述漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第二深度，所述第二深度等于所述第一深度；所述漂移区内掺杂的离子与所述初始漂移区内掺杂的离子不同；于所述基底的上表面形成栅极结构；于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极结构相对的两侧。采用本方法能够提升MOS器件的击穿电压。两侧。采用本方法能够提升MOS器件的击穿电压。两侧。采用本方法能够提升MOS器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体器件结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，出现了MOS器件，MOS英文全称为Metal
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Oxide
‑
Semiconductor，意思为金属
‑
氧化物
‑
半导体，拥有这种结构的晶体管被称为MOS晶体管。
[0003]在高压MOS器件中，击穿电压是非常关键的参数之一。现有的MOS器件的击穿电压有待进一步提高。
[0004]公开内容
[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高MOS器件击穿电压的半导体器件结构制备方法。
[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体器件结构制备方法。所述方法包括：
[0007]提供基底；
[0008]向所述基底注入第一导电类型的第一离子，以于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区；
[0009]向所述第一导电类型的初始漂移区注入第一导电类型的第二离子，以将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基底；向所述基底注入第一导电类型的第一离子，以于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区；向所述第一导电类型的初始漂移区注入第一导电类型的第二离子，以将各所述第一导电类型的初始漂移区转变为第一导电类型的漂移区；所述第一导电类型的漂移区内同时具有第一导电类型的第一离子及第一导电类型的第二离子；于所述基底的上表面形成栅极结构；于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极结构相对的两侧。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子包括磷离子；所述第二离子包括砷离子。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型的初始漂移区内所述第一离子注入的剂量小于所述第一导电类型的漂移区内所述第二离子注入的剂量。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一离子的注入能量小于所述第二离子的注入能量。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将各所述第一导电类型的初始漂移区转变为第一导电类型的漂移区之后，还包括对所得结构进行退火处理的步骤；于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区之后，还包括对所得结构进行退火处理的步骤。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，提供基底后，于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区之前，还包括：于所述基底内形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海涛，张继伟，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：