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本公开涉及一种半导体器件结构及其制备方法。所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区，所述初始漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第一深度；于各所述第一导电类型的初始漂移区形成第一导电类型的漂移区，所述漂...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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