带隙基准电路制造技术

本发明专利技术涉及一种带隙基准电路。带隙基准电路包括：控制模块；第一采样模块，与控制模块相连接；第二采样模块，与控制模块及第一采样模块分别连接；处理模块，与第一采样模块及第二采样模块分别连接，用于对第一采样模块及第二采样模块的采样结果进行运算，以使带隙基准电路的输出电压达到预设值。本发明专利技术的带隙基准电路，可以获得精确的输出电压，且带隙基准电路的输出电压可以灵活调控并远低于传统电路的输出电压，可以帮助降低模拟电路系统的电源电压以及帮助实现对带隙基准电路的输出电压进行精确调控的目的，进而可以使电路系统趋向于零温漂，极大地降低了温度对电路的影响。极大地降低了温度对电路的影响。极大地降低了温度对电路的影响。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种带隙基准电路。

技术介绍

[0002]带隙基准电路(band
‑
gap)是模拟电路中十分重要的结构，其可为模拟电路系统提供高精度及低温度系数的基准源。
[0003]然而，传统的带隙基准电路的输出电压较高，导致模拟电路系统的电源电压也要做到很高，不利于电路系统的长期使用，且不利于降低功耗。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种带隙基准电路，包括：
[0005]控制模块；
[0006]第一采样模块，与所述控制模块相连接；
[0007]第二采样模块，与所述控制模块及所述第一采样模块分别连接；
[0008]处理模块，与所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接，用于对所述第一采样模块及所述第二采样模块的采样结果进行运算，以使所述带隙基准电路的输出电压达到预设值。
[0009]在其中一个实施例中，所述控制模块包括：
[0010]控制开关，所述控制开关的第一端与电源相连接；
[0011]三极管，所述三极管的基极端及集电极端均接地，所述三极管的发射极端与所述控制开关的第二端、所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一采样模块单元包括：
[0013]第一开关，所述第一开关的第一端与所述控制开关的第二端及所述三极管的发射极端分别连接；
[0014]第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一开关的第二端相连接；
[0015]第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一电容的第二端连接，所述第二开关的第二端与所述处理模块连接；
[0016]第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一开关的第二端及所述第一电容的第一端分别连接，所述第三开关的第二端接地；
[0017]第四开关，所述第四开关的第一端与所述第一电容的第二端及所述第二开关的第一端分别连接，所述第四开关的第二端接地。
[0018]在其中一个实施例中，所述第二采样模块单元包括：
[0019]第五开关，所述第五开关的第一端与所述控制开关的第二端、所述三极管的发射极端及所述第一开关的第一端分别连接；
[0020]第二电容，所述第二电容的第一端与所述第五开关的第二端相连接，所述第二电容的第二端与所述第二开关的第二端及所述处理模块分别连接；
[0021]第六开关，所述第六开关的第一端与所述第五开关的第二端及所述第二电容的第一端分别连接；所述第六开关的第二端接地。
[0022]在其中一个实施例中，所述第二采样模块单元还包括：
[0023]第七开关，所述第七开关的第一端与所述第二电容的第二端相连接，所述第七开关的第二端与所述第二开关的第二端及所述处理模块分别连接；
[0024]第八开关，所述第八开关的第一端与所述第二电容的第二端及所述第七开关的第一端分别连接，所述第八开关的第二端接地。
[0025]在其中一个实施例中，所述控制模块还包括：
[0026]电流源，包括第一端和第二端，所述电流源的第二端接地；
[0027]第一晶体管单元，包括第一端、第二端及控制端；所述第一晶体管单元的第一端与电源相连接，所述第一晶体管单元的第二端与所述电流源的第一端相连接；
[0028]第二晶体管单元，包括第一端、第二端及控制端；所述第二晶体管单元的第一端与电源相连接，所述第二晶体管单元的第二端与所述控制开关的第一端相连接；所述第二晶体管单元的控制端与所述第一晶体管单元的控制端及所述第一晶体管单元的第二端分别连接；
[0029]第三晶体管单元，包括第一端、第二端及控制端；所述第三晶体管单元的第一端与电源相连接，所述第三晶体管单元的第二端与所述控制开关的第二端、所述三极管的发射极端、所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接；所述第三晶体管单元的控制端与所述第一晶体管单元的控制端及所述第一晶体管单元的第二端分别连接。
[0030]在其中一个实施例中，所述第二晶体管单元包含的晶体管的数量与所述第三晶体管单元包含的晶体管的数量不同。
[0031]在其中一个实施例中，所述处理模块包括：
[0032]运算放大器，包括正向输入端、反向输入端及输出端，所述运算放大器的反向输入端与所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接，所述运算放大器的正向输入端接地；
[0033]第九开关，所述第九开关的第一端与所述运算放大器的反向输入端相连接，所述第九开关的第二端与所述运算放大器的输出端相连接；
[0034]第三电容，所述第三电容的第一端与所述运算放大器的反向输入端及所述第九开关的第一端分别连接，所述第三电容的第二端与所述运算放大器的输出端及所述第九开关的第二端分别连接。
[0035]在其中一个实施例中，所述带隙基准电路还包括稳压模块；所述稳压模块包括：
[0036]第十开关，所述第十开关的第一端与所述运算放大器的输出端相连接；
[0037]第四电容，所述第四电容的第一端与所述第十开关的第二端相连接，所述第四电容的第二端接地。
[0038]在其中一个实施例中，所述稳压模块还包括：
[0039]时钟信号电路，与所述第十开关的第一端相连接，用于控制所述第十开关的接通与断开。
[0040]本专利技术的带隙基准电路具有如下有益效果：
[0041]本专利技术的带隙基准电路，通过控制模块可以精准提供采样来源，通过第一采样模
块进行采样，获取第一次采样数据；通过第二采样模块进行采样，获取第二次采样数据；再通过处理模块对第一采样模块及第二采样模块的采样结果进行运算，以使带隙基准电路的输出电压精准达到预设值，可以获得精确的输出电压，且本申请带隙基准电路的输出电压可以灵活调控，并且输出电压值远低于传统电路的输出电压值，可以帮助降低模拟电路系统的电源电压以及实现对带隙基准电路的输出电压进行精确调控的目的，进而可以使电路系统趋向于零温漂，极大地降低了温度对电路的影响。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1为一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0044]图2为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0045]图3为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0046]图4为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0047]图5为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0048]图6为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构示意图；
[0049]图7为另一实施例中提供的带隙基准电路的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：控制模块；第一采样模块，与所述控制模块相连接；第二采样模块，与所述控制模块及所述第一采样模块分别连接；处理模块，与所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接，用于对所述第一采样模块及所述第二采样模块的采样结果进行运算，以使所述带隙基准电路的输出电压达到预设值。2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述控制模块包括：控制开关，所述控制开关的第一端与电源相连接；三极管，所述三极管的基极端及集电极端均接地，所述三极管的发射极端与所述控制开关的第二端、所述第一采样模块及所述第二采样模块分别连接。3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一采样模块单元包括：第一开关，所述第一开关的第一端与所述控制开关的第二端及所述三极管的发射极端分别连接；第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一开关的第二端相连接；第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一电容的第二端连接，所述第二开关的第二端与所述处理模块连接；第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一开关的第二端及所述第一电容的第一端分别连接，所述第三开关的第二端接地；第四开关，所述第四开关的第一端与所述第一电容的第二端及所述第二开关的第一端分别连接，所述第四开关的第二端接地。4.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二采样模块单元包括：第五开关，所述第五开关的第一端与所述控制开关的第二端、所述三极管的发射极端及所述第一开关的第一端分别连接；第二电容，所述第二电容的第一端与所述第五开关的第二端相连接，所述第二电容的第二端与所述第二开关的第二端及所述处理模块分别连接；第六开关，所述第六开关的第一端与所述第五开关的第二端及所述第二电容的第一端分别连接；所述第六开关的第二端接地。5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二采样模块单元还包括：第七开关，所述第七开关的第一端与所述第二电容的第二端相连接，所述第七开关的第二端与所述第二开关的第二端及所述处理模块分别连接；第八开关，所述第八开关的第一端与所述第二电容的第二端及所述第七开关的第一端分别连接，所述第八开关的第二端接地。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，李曙光，
申请(专利权)人：南京英锐创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：