一种基准电流源电路制造技术

本实用新型专利技术一种基准电流源电路，不受电源和工艺限制，无需运放电路，实现低温漂的输出基准电流。包括9个三极管Q1

【技术实现步骤摘要】
一种基准电流源电路


[0001]本技术涉及模拟集成电路带隙基准
，具体为一种基准电流源电路。

技术介绍

[0002]随着电子技术的飞速发展，运算放大电路、LDO等模拟模块也得到广泛的应用，其中电流基准作为运放的最基础模块，基站电流源可以为模拟集成电路中的其它其他电路提供偏置电流。
[0003]现有的基准电流源电路都是通过调节电阻产生，其基准电流值等于参考电压端的参考电压值除以电阻的阻值，因此基准电流值和电阻的绝对值相关。在半导体工艺中，电阻的绝对值会有正负10％的偏差，电源工艺会电阻值会造成影响，进而影响电路的精度和输出稳定性。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本技术提供一种基准电流源电路，不受电源和工艺限制，无需运放电路，实现低温漂的输出基准电流。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种基准电流源电路，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9以及第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；
[0007]其中，第五电阻R5的一端接工作电压VDD，另一端接第七三极管Q7的发射极，第四电阻R4的一端接第七三极管Q7的集电极，另一端接第五三极管Q5的集电极，第五三极管Q5的发射极接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端接第三三极管Q3的集电极，第三三极管Q3的发射极接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的发射极，第一三极管Q1的发射极接地GND；
[0008]第一电阻R1的一端接地GND，另一端接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的基极接第一三极管Q1的集电极，第二三极管Q2的发射极接第四三极管Q4的发射极，第四三极管Q4的基极与第三三极管Q3的基极相连，第四三极管Q4的集电极接第六三极管Q6的发射极，第五三极管Q5的基极与第六三极管Q6的基极相连，第六三极管Q6的集电极接第六电阻R6的一端，第六电阻R6的另一端接工作电压VDD；
[0009]第二电阻R2的一端接地GND，另一端接第八三极管Q8的发射极，第八三极管Q8的基极与第二三极管Q2的基极相连，第八三极管Q8的集电极和第九三极管Q9的发射极相连，第九三极管Q9的基极与第四三极管Q4的基极相连，第九三极管Q9的集电极用于输出基准电流。
[0010]优选地，所述第二三极管Q2和第八三极管Q8为等比例镜像。
[0011]优选地，所述第四三极管Q4分别与第三三极管Q3和第九三极管Q9为等比例镜像。
[0012]优选地，所述第五三极管Q5和第六三极管Q6为等比例镜像。
[0013]优选地，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2和第八三极管Q8的三极管发射区面积满足以下关系：
[0014]S
Q2
＝S
Q8
＝N*S
Q1
；
[0015]其中，S
Q2
为第二三极管Q2的三极管发射区面积，S
Q8
为第八三极管Q8的三极管发射区面积，S
Q1
为第一三极管Q1的三极管发射区面积，N为大于1的正整数。
[0016]优选地，所述第七三极管Q7的基极和集电极连接。
[0017]优选地，所述第五三极管Q5的基极和集电极连接。
[0018]优选地，所述第三三极管Q3的基极和集电极连接。
[0019]优选地，所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6均采用正温度系数电阻。
[0020]优选地，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8和第九三极管Q9均采用PNP三极管或者NPN三极管。
[0021]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0022]本技术提供的一种基准电流源电路，能够产生一个与电源以及工艺无关，具有特定温度特性的直流电流，为运放等模块提供偏置电流的基准电流源电路，具体为本技术在基准电流源电路中通过多个三极管和电阻的设置与连接，采用镜像电压偏置方式产生基准电流源,无需运放电路，输出电流由设计决定，不会出现无工作点的状态，且输出电流值可以设计的较低，降低了设计难度，同时本技术所述的基准电流源电路可在5V
‑
30V的宽范围下工作，与电路工艺无关，在
‑
55
°
至125
°
的范围内可以保持超低温漂，达成低温漂的输出基准电流。
附图说明
[0023]图1为本技术基准电流源电路示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0025]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0026]下面结合附图对本技术做进一步详细描述：
[0027]如图1所示，本技术一种基准电流源电路，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9以及第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；
[0028]其中，第五电阻R5的一端接工作电压VDD，另一端接第七三极管Q7的发射极，第四电阻R4的一端接第七三极管Q7的集电极，另一端接第五三极管Q5的集电极，第五三极管Q5的发射极接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端接第三三极管Q3的集电极，第三三极管Q3的发射极接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的发射极，第一三极管Q1的发射极接地GND；
[0029]第一电阻R1的一端接地GND，另一端接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的基极接第一三极管Q1的集电极，第二三极管Q2的发射极接第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准电流源电路，其特征在于，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9以及第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；其中，第五电阻R5的一端接工作电压VDD，另一端接第七三极管Q7的发射极，第四电阻R4的一端接第七三极管Q7的集电极，另一端接第五三极管Q5的集电极，第五三极管Q5的发射极接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端接第三三极管Q3的集电极，第三三极管Q3的发射极接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的基极接第二三极管Q2的发射极，第一三极管Q1的发射极接地GND；第一电阻R1的一端接地GND，另一端接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的基极接第一三极管Q1的集电极，第二三极管Q2的发射极接第四三极管Q4的发射极，第四三极管Q4的基极与第三三极管Q3的基极相连，第四三极管Q4的集电极接第六三极管Q6的发射极，第五三极管Q5的基极与第六三极管Q6的基极相连，第六三极管Q6的集电极接第六电阻R6的一端，第六电阻R6的另一端接工作电压VDD；第二电阻R2的一端接地GND，另一端接第八三极管Q8的发射极，第八三极管Q8的基极与第二三极管Q2的基极相连，第八三极管Q8的集电极和第九三极管Q9的发射极相连，第九三极管Q9的基极与第四三极管Q4的基极相连，第九三极管Q9的集电极用于输出基准电流。2.根据权利要求1所述的一种基准电流源电路，其特征在于，所述第二三极管Q2和第八三极管Q8为等比例镜像。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉伟，孙权，张龙，袁婷，罗红瑞，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：