【技术实现步骤摘要】
一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路
[0001]本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路
。
技术介绍
[0002]随着电池管理芯片的集成度不断提高以及其应用环境多元化发展下，电荷泵作为一个基本的模块电路，广泛应用于各种集成电路产品中
。
其中正电压电荷泵电路的主要作用是为系统提供高于输入电源电压正轨的正电压源，负电压电荷泵电路的主要作用是提供低于输入电源电压的负轨的负电压源，从而更好得满足系统设计指标
。
[0003]在多数的应用场景中，正电源高压电荷泵电路的使用较为普遍，但随着系统指标要求不断提高，电子系统内不仅需要正向高压，更需要负向高压来稳定可靠的工作
。
因此，对于能够提供低于电源负轨的电荷泵电路设计的需求日益紧迫
。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的不足，本专利技术专利提供一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，应用于
DC
‑
DC
电源模块中，在技术上通过在输出级增加一级源跟随器，具有一定的负载能力，来产生更稳定的斜坡电压，应用于输出需要带小电流的应用场景
。
[0005]为了解决现有技术存在的上述问题，本专利技术所采用的技术方案为：
[0006]一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，包括第一
P
型
MOS
管
、
第二
P
型
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，其特征在于：包括第一
P
型
MOS
管
(M1)、
第二
P
型
MOS
管
(M2)、
第三
P
型
MOS
管
(M3)、
第四
P
型
MOS
管
(M4)、
第五
N
型
MOS
管
(M5)、
第六
N
型
MOS
管
(M6)、
第七
N
型
MOS
管
(M7)、
第八
N
型
MOS
管
(M8)
；所述第一
P
型
MOS
管
(M1)
的源极
、
第二
P
型
MOS
管
(M2)
的源极
、
第三
P
型
MOS
管
(M3)
的源极
、
第四
P
型
MOS
管
(M4)
的源极均与
AGND
连接；所述第一
P
型
MOS
管
(M1)
的栅极与第二
P
型
MOS
管
(M2)
的漏极连接，第一
P
型
MOS
管
(M1)
的漏极通过第一电容
(C1)
与第一时钟信号
(CLK1)
连接；所述第二
P
型
MOS
管
(M2)
的栅极与第一
P
型
MOS
管
(M1)
的漏极连接，第二
P
型
MOS
管
(M2)
的漏极通过第二电容
(C2)
与第二延迟信号
(CLK2D)
连接；所述第三
P
型
MOS
管
(M3)
的栅极与第二
P
型
MOS
管
(M2)
的漏极连接，第三
P
型
MOS
管
(M3)
的漏极通过第三电容
(C3)
与第一延迟信号
(CLK1D)
连接；所述第四
P
技术研发人员：张露方，张龙，陈婷，刘海涛，陈铮鎔，侯灵岩，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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