【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种高精度上电复位电路。
技术介绍
1、现有技术中，通常采用的高精度上电复位电路(power-on-reset，por)的做法是将电源电压利用电阻进行分压，并与一个带隙基准电路产生的带隙基准电压作比较，利用比较器的输出状态来判断电源电压的范围，以达到一个高精度的por电路。但是，利用电阻对电源电压进行分压的设置往往会消耗大量的面积及功耗，不利于por电路的应用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种高精度上电复位电路，能够有效降低高精度上电复位电路的功耗和面积，且结构简单。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一方面，本专利技术提供一种高精度上电复位电路，包括：pmos管pm1、pmos管pm2、pmos管pm3、pmos管pm4、三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电流镜i1以及施密特触发器；
4、所述pmos管pm1的源极、所述pmos管pm2的源极、所述pmos管pm3的源极以及所述pmos管pm4的源极均与电源电压vdd连接；所述pmos管pm1的漏极分别与所述三极管q1的集电极、所述pmos管pm1的栅极以及所述pmos管pm2的栅极连接；所述三极管q1的发射极分别与所述电阻r1的一端以及所述电阻r2的一端连接；所述三极管q1的基极分别与所述三极管q2的基极、所述电阻r4的一端以及所述电阻r3的一端连接；所述三极管q2的发射极与所述电阻r1的另一端连接
5、可选地，所述高精度上电复位电路还包括pmos管pm；所述pmos管pm的源极和漏极均接电源电压vdd；所述pmos管pm的栅极与所述pmos管pm3的栅极连接。
6、可选地，所述三极管q2的发射极面积为所述三极管q1的发射极面积的n倍，n为正整数。
7、可选地，所述三极管为npn型三极管。
8、另一方面，本专利技术还提供一种高精度上电复位电路，包括：pmos管pm1、pmos管pm2、pmos管pm3、pmos管pm4、pmos管pm5、三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电流镜i1以及施密特触发器；
9、所述pmos管pm1的源极、所述pmos管pm2的源极、所述pmos管pm3的源极、所述pmos管pm4的源极以及所述pmos管pm5的源极均与电源电压vdd连接；所述pmos管pm1的漏极分别与所述三极管q1的集电极、所述pmos管pm1的栅极以及所述pmos管pm2的栅极连接；所述三极管q1的发射极分别与所述电阻r1的一端以及所述电阻r2的一端连接；所述三极管q1的基极分别与所述三极管q2的基极、所述电阻r4的一端以及所述电阻r3的一端连接；所述pmos管pm2的漏极分别与所述pmos管pm3的栅极以及所述三极管q2的集电极连接；所述三极管q2的发射极与所述电阻r1的另一端连接；所述pmos管pm3的漏极分别与所述电阻r5的一端以及所述电阻r4的另一端连接；所述电阻r5的另一端分别与所述pmos管pm5的漏极以及所述pmos管pm4的栅极连接；所述pmos管pm5的栅极与所述pmos管pm1的栅极连接；所述pmos管pm4的漏极分别与所述施密特触发器的输入端以及所述电流镜i1的一端连接；所述施密特触发器的输出端产生复位信号porb；所述电阻r2的另一端、所述电阻r3的另一端以及所述电流镜i1的另一端均接地。
10、可选地，所述高精度上电复位电路还包括pmos管pm；所述pmos管pm的源极和漏极均接电源电压vdd；所述pmos管pm的栅极与所述pmos管pm3的栅极连接。
11、再一方面，本专利技术还提供一种高精度上电复位电路，包括：pmos管pm1、pmos管pm2、pmos管pm3、pmos管pm4、pmos管pm5、pmos管pm6、三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电流镜i1、电流镜i2、电流镜i3以及施密特触发器；
12、所述pmos管pm1的源极、所述pmos管pm2的源极、所述pmos管pm3的源极、所述电阻r5的一端、所述电流镜i2的一端以及所述pmos管pm6的源极均与电源电压vdd连接；所述pmos管pm1的漏极分别与所述三极管q1的集电极、所述pmos管pm1的栅极以及所述pmos管pm2的栅极连接；所述三极管q1的发射极分别与所述电阻r1的一端以及所述电阻r2的一端连接；所述三极管q1的基极分别与所述三极管q2的基极、所述电阻r4的一端以及所述电阻r3的一端连接；所述pmos管pm2的漏极分别与所述pmos管pm3的栅极以及所述三极管q2的集电极连接；所述三极管q2的发射极与所述电阻r1的另一端连接；所述pmos管pm3的漏极分别与所述pmos管pm4的栅极以及所述电阻r4的另一端连接；所述pmos管pm4的源极与所述电阻r5的另一端连接；所述pmos管pm4的漏极分别与所述pmos管pm5的栅极以及所述电流镜i1的一端连接；所述pmos管pm5的源极分别与所述电流镜i2的另一端以及所述pmos管pm6的栅极连接；所述pmos管pm6的漏极分别与所述施密特触发器的输入端以及所述电流镜i3的一端连接；所述施密特触发器的输出端产生复位信号porb；所述电阻r2的另一端、所述电阻r3的另一端、所述电流镜i1的另一端、所述pmos管pm5的漏极以及所述电流镜i3的另一端均接地。
13、可选地，所述高精度上电复位电路还包括pmos管pm；所述pmos管pm的源极和漏极均接电源电压vdd；所述pmos管pm的栅极与所述pmos管pm3的栅极连接。
14、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
15、本专利技术通过采用4～6个pmos管、两个三极管、4～5个电阻、1～3个电流镜以及一个施密特触发器来构成高精度上电复位电路，能够使后级电路根据施密特触发器的输出端产生的复位信号porb进行复位或复位释放，有效降低高精度上电复位电路的功耗和面积，且结构简单。此外，通过在实施例一基础上增加一个pmos管和一个电阻对高精度上电复位电路进行优化，或在实施例一基础上增加两个pmos管、两个电流镜以及一个电阻来对高精度上电复位电路进行优化，能够进一步提高上电复位的精度。
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1.一种高精度上电复位电路，其特征在于，包括：PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电流镜I1以及施密特触发器；
2.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，还包括PMOS管PM；所述PMOS管PM的源极和漏极均接电源电压VDD；所述PMOS管PM的栅极与所述PMOS管PM3的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，所述三极管Q2的发射极面积为所述三极管Q1的发射极面积的n倍，n为正整数。
4.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管。
5.一种高精度上电复位电路，其特征在于，包括：PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电流镜I1以及施密特触发器；
6.根据权利要求5所述的高精度上电复位电路，其特征在于，还包括PMOS管PM
7.一种高精度上电复位电路，其特征在于，包括：PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电流镜I1、电流镜I2、电流镜I3以及施密特触发器；
8.根据权利要求7所述的高精度上电复位电路，其特征在于，还包括PMOS管PM；所述PMOS管PM的源极和漏极均接电源电压VDD；所述PMOS管PM的栅极与所述PMOS管PM3的栅极连接。
...【技术特征摘要】
1.一种高精度上电复位电路，其特征在于，包括：pmos管pm1、pmos管pm2、pmos管pm3、pmos管pm4、三极管q1、三极管q2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电流镜i1以及施密特触发器；
2.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，还包括pmos管pm；所述pmos管pm的源极和漏极均接电源电压vdd；所述pmos管pm的栅极与所述pmos管pm3的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，所述三极管q2的发射极面积为所述三极管q1的发射极面积的n倍，n为正整数。
4.根据权利要求1所述的高精度上电复位电路，其特征在于，所述三极管为npn型三极管。
5.一种高精度上电复位电路，其特征在于，包括：pmos管pm1、pmos管pm2、pmos管pm3、pmos管pm4、pmos管pm5...
【专利技术属性】
技术研发人员：施育莹，孙巍，白胜天，李曙光，
申请(专利权)人：南京英锐创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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