【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体电路，尤其涉及一种高速串行数据发射阻抗匹配装置及方法。
技术介绍
1、近年来，数据中心内的服务器、交换机、线卡和背板连接的数据速率和ios数量急剧增加。由于越来越多的全球互联网用户要求更快的通信和更丰富的媒体内容，数据中心的总带宽大约每两年翻一番。在数据中心交换机芯片中，利用128个端口以10gbps的速度运行，吞吐量达到1.28tbps。但是，机架的总可用功率和数据中心的冷却要求对每个通道的功率有严格的上限，因此需要对各个通道的信号输出进行阻抗匹配，以对通道的损耗进行均衡。
2、然而，在现有技术中，阻抗匹配电路大多采用电流驱动，此中方式需要在电路中设置电阻，致使阻抗匹配电路面积较大，功耗较高。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种高速串行数据发射阻抗匹配装置及方法，以减小阻抗匹配电路的面积和功耗。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种高速串行数据发射阻抗匹配装置，该装置包括：
3、串行发射电路，所述串行发射电路包括串联连接的第一串行发射单元和第二串行发射单元；所述串行发射电路用于对高速串行数据进行阻抗匹配；
4、第一调控模块，所述第一调控模块与所述第一串行发射单元连接；所述第一调控模块用于将所述第一串行发射单元的驱动电压与第一标准电压进行比较，并生成第一计数器控制码，以对所述第一串行发射单元的阻抗进行调整；
5、第二调控模块，所述第二调控模块与所述第二串行发射单元连接；所述第二调控模块用于将所述第
6、可选地，所述第一调控模块包括：串联连接的第一比较单元和第一控制码生成单元；
7、所述第一比较单元用于将所述第一串行发射单元的驱动电压与所述第一标准电压进行比较，并生成第一控制信号；所述第一控制码生成单元用于根据所述第一控制信号生成所述第一计数器控制码，并依据所述第一计数器控制码对所述第一串行发射单元的阻抗进行调整。
8、可选地，所述第一比较单元包括：第一电阻和第一比较器；
9、所述第一电阻的第一端与所述第一串行发射单元连接；所述第一电阻的第二端接地；所述第一比较器的输入端与所述第一电阻的第一端连接；所述第一比较器的输出端与所述第一控制码生成单元连接；
10、所述第一电阻用于下拉所述第一串行发射单元；所述第一比较器用于将所述第一串行发射单元的驱动电压与所述第一标准电压进行比较，并生成第一控制信号。
11、可选地，所述第二调控模块包括：串联连接的第二比较单元和第二控制码生成单元；
12、所述第二比较单元用于将所述第二串行发射单元的驱动电压与所述第二标准电压进行比较，并生成第二控制信号；所述第二控制码生成单元用于根据所述第二控制信号生成所述第二计数器控制码，并依据所述第二计数器控制码对所述第二串行发射单元的阻抗进行调整。
13、可选地，所述第二比较单元包括：第二电阻和第二比较器；
14、所述第二电阻的第一端与电源电压连接；所述第二电阻的第二端与所述第二串行发射单元连接；所述第二比较器的输入端与所述第二电阻的第二端连接；所述第二比较器的输出端与所述第二控制码生成单元连接；
15、所述第二电阻用于上拉所述第二串行发射单元；所述第二比较器用于将所述第二串行发射单元的驱动电压与所述第二标准电压进行比较，并生成第二控制信号。
16、可选地，所述第一串行发射单元包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第七mos管和第八mos管；
17、所述第一mos管的第一端、所述第二mos管的第一端、所述第三mos管的第一端、所述第四mos管的第一端和所述第五mos管的第一端均与电源电压连接；所述第一mos管的控制端、所述第二mos管的控制端、所述第三mos管的控制端、所述第四mos管的控制端和所述第五mos管的控制端的连接节点与所述第一调控模块连接；所述第六mos管的控制端、所述第七mos管的控制端和所述第八mos管的控制端的连接节点与信号源连接；所述第一mos管的第二端与所述第六mos管的第一端连接；所述第二mos管的第二端与所述第七mos管的第一端连接；所述第三mos管的第二端、所述第四mos管的第二端和所述第五mos管的第二端均连接至所述第八mos管的第一端；所述第六mos管的第二端、所述第七mos管的第二端和所述第八mos管的第二端的连接节点连接至信号接收源。
18、可选地，所述第一mos管的尺寸、所述第二mos管的尺寸、所述第三mos管的尺寸、所述第四mos管的尺寸和所述第五mos管的尺寸由大到小且呈等比排列；
19、所述第六mos管的尺寸、所述第七mos管的尺寸和所述第八mos管的尺寸由大到小且呈等比排列。
20、可选地，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管、所述第四mos管、所述第五mos管、所述第六mos管、所述第七mos管和所述第八mos管均为pmos管。
21、可选地，所述第二串行发射单元包括：第九mos管、第十mos管、第十一mos管、第十二mos管、第十三mos管、第十四mos管、第十五mos管和第十六mos管；
22、所述第九mos管的第一端、所述第十mos管的第一端、所述第十一mos管的第一端、所述第十二mos管的第一端和所述第十三mos管的第一端均接地；所述第九mos管的控制端、所述第十mos管的控制端、所述第十一mos管的控制端、所述第十二mos管的控制端和所述第十三mos管的控制端的连接节点与所述第二调控模块连接；所述第十四mos管的控制端、所述第十五mos管的控制端和所述第十六mos管的控制端的连接节点与信号源连接；所述第九mos管的第二端与所述第十四mos管的第一端连接；所述第十mos管的第二端与所述第十五mos管的第一端连接；所述第十一mos管的第二端、所述第十二mos管的第二端和所述第十三mos管的第二端均连接至所述第十六mos管的第一端；所述第十四mos管的第二端、所述第十五mos管的第二端和所述第十六mos管的第二端的连接节点连接至信号接收源。
23、可选地，所述第九mos管的尺寸、所述第十mos管的尺寸、所述第十一mos管的尺寸、所述第十二mos管的尺寸和所述第十三mos管的尺寸由大到小且呈等比排列；
24、所述第十四mos管的尺寸、所述第十五mos管的尺寸和所述第十六mos管的尺寸由大到小且呈等比排列。
25、可选地，所述第九mos管、所述第十mos管、所述第十一mos管、所述第十二mos管、所述第十三mos管、所述第十四mos管、所述第十五mos管和所述第十六mos管均为nmos管。
26、根据本专利技术的另一方面，还提供了一种高速串行数据发射阻抗匹配方法，该方法包括：
27、第一调控模本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一调控模块包括：串联连接的第一比较单元和第一控制码生成单元；
3.根据权利要求2所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一比较单元包括：第一电阻和第一比较器；
4.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第二调控模块包括：串联连接的第二比较单元和第二控制码生成单元；
5.根据权利要求4所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第二比较单元包括：第二电阻和第二比较器；
6.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一串行发射单元包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；
7.根据权利要求6所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一MOS管的尺寸、所述第二MOS管的尺寸、所述第三MOS管的尺寸、所述第四MOS管的尺寸和所述
8.根据权利要求6所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管、所述第五MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管和所述第八MOS管均为PMOS管。
9.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第二串行发射单元包括：第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管；
10.一种高速串行数据发射阻抗匹配方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一调控模块包括：串联连接的第一比较单元和第一控制码生成单元；
3.根据权利要求2所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一比较单元包括：第一电阻和第一比较器；
4.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第二调控模块包括：串联连接的第二比较单元和第二控制码生成单元；
5.根据权利要求4所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第二比较单元包括：第二电阻和第二比较器；
6.根据权利要求1所述的高速串行数据发射阻抗匹配装置，其特征在于，所述第一串行发射单元包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：武锦，周磊，
申请(专利权)人：迅芯微电子苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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