半导体结构制备方法技术

本公开涉及一种半导体结构制备方法。所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成对准标记，所述对准标记为凹槽；于所述基底的表面及所述对准标记内形成由下至上依次叠置的第一介质层及掩膜层，位于对准标记内的所述掩膜层的上表面低于所述基底的上表面；去除位于所述对准标记之外的所述掩膜层。采用本方法能够达到简化半导体工艺步骤，省略与光罩层有关的开窗工艺和刻蚀工艺有益效果。窗工艺和刻蚀工艺有益效果。窗工艺和刻蚀工艺有益效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构制备方法


[0001]本公开涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构制备方法。

技术介绍

[0002]半导体工艺中的光刻工艺举足轻重，而对准标记对光刻工艺的对准精确度有着重要的影响。
[0003]现行工艺方法中，在对准标记经过有源区工艺后，需要额外增加一道零层开窗的光刻及刻蚀工艺，用以去除对准标记区上方的二氧化硅，进而后续工艺能够移除对准标记沟槽内的氮化硅。此过程中由于增加光罩层造成了工艺步骤及成本的增加。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够省略与光罩层有关的零层开窗工艺和刻蚀工艺的半导体结构制备方法。
[0005]第一方面，本公开提供了一种半导体结构制备方法。所述方法包括：
[0006]提供基底；
[0007]于所述基底内形成对准标记，所述对准标记为凹槽；
[0008]于所述基底的表面及所述对准标记内形成由下至上依次叠置的第一介质层及掩膜层，位于对准标记内的所述掩膜层的上表面低于所述基底的上表面；
[0009]去除位于所述对准标记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成对准标记，所述对准标记为凹槽；于所述基底的表面及所述对准标记内形成由下至上依次叠置的第一介质层及掩膜层，位于对准标记内的所述掩膜层的上表面低于所述基底的上表面；去除位于所述对准标记之外的所述掩膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括第二介质层和第三介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述基底的表面，所述第三介质层位于所述第二介质层远离所述基底的表面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括氧化硅层；所述第二介质层包括氮化硅层；所述第三介质层包括氮氧化硅层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述对准标记之外的所述掩膜层包括：刻蚀去除位于所述对准标记之外的所述第三介质层及位于所述对准标记之外的部分所述第二介质层；去除位于所述对准标记之外的所述第二介质层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除位于所述对准标记之外的所述第三介质及位于所述对准标记之外的部分所述第二介质层包括：形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层位于所述第三介质层的表面，且填满所述对准标记；所述图形化光刻胶层内形成有开口，所述开口暴露出部分所述第三介质层的表面，以定义出浅沟槽的形状及位置；基于所述图形化光刻胶层刻蚀所述第三介质层、所述第二介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶蕾，李乐，王峰，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：