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本公开涉及一种半导体结构制备方法。所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成对准标记，所述对准标记为凹槽；于所述基底的表面及所述对准标记内形成由下至上依次叠置的第一介质层及掩膜层，位于对准标记内的所述掩膜层的上表面低于所述基底的上表面；去除位...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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