一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法，涉及去毛刺溶液技术领域；为了解决因为碱度太高，对一些薄型封装体或致密性差的封装体有严重影响的问题；本溶液具体包括氢氧化钠8

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法


[0001]本专利技术涉及去毛刺溶液
，尤其涉及一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法。

技术介绍

[0002]毛刺也称为飞边或溢料，是指半导体器件经塑封后残留在引脚等处的环氧塑封料溢料，俗称为“毛刺”。它是在塑封过程中从模具中溢出的塑料类物质，通常的毛刺主要包括三部分：未完全固化的环氧树脂、脱模剂及固化的环氧模塑料，它们在半导体器件的引脚处形成，并以厚度不等的塑料膜的形式将引脚包裹起来。
[0003]目前通常采用强碱高温浸泡浸泡的方法处理，现有技术中的电解去毛刺溶液中：氢氧化钾含量为250g/L(以氢氧化钠)，使用时，在温度50
‑
60℃、阴极电流密度15
‑
25A/dm2条件下电解1.5
‑
3min。这类强碱无论浸泡还是电解都会对塑封体本身起化学反应，使表面疏松、变色，该去毛刺溶液虽能有效的去除在封装时所产生的环氧溢胶(毛刺)，但缺点是碱度太高，对一些薄型封装体或致密性差的封装体有严重影响，严重时甚至导致处理后的元器件不能使用，而且较高的浓度也不利于环保的要求和低碳经济的要求，经济性也差，因此开发一种可干净去除溢料且不损伤塑封体和基材的去毛刺溶液显得十分迫切。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液及制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：/>[0006]一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，包括氢氧化钠8
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14％、葡萄糖酸钠2
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8％、碱度稳定剂3
‑
5％、抗静电剂0
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2％和表面活性剂2
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5％，其余百分比为去离子水，所述碱度稳定剂包括偏硅酸钠和柠檬酸盐，抗静电剂包括铵盐和磷酸衍生物，表面活性剂包括十二烷基硫酸、十二烷基苯磺酸钠、甘油单酸硬脂酸酯和脂肪酸聚氧乙烯酸酯中的一种或一种以上的混合物。
[0007]优选的：所述碱度稳定剂中，偏硅酸钠占比为20
‑
35％，铵盐占比为25
‑
45％，其余百分比为柠檬酸盐。
[0008]进一步的：所述铵盐包括单季铵盐、双季铵盐和三季铵盐中的一种或一种以上的混合物，去离子水的电阻率在600K
‑
800KΩ
·
cm之间。
[0009]进一步优选的：所述磷酸衍生物包括三氢焦磷酸盐、二硬脂酰磷脂酸和二苯基磷酸乙酯中的一种或一种以上的混合物。
[0010]一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法，包括以下步骤：
[0011]S1：按照对应的百分比称取对应重量的氢氧化钠、葡萄糖酸钠、碱度稳定剂、抗静电剂、表面活性剂和去离子水，随后向反应釜中倒入适量去离子水，随后边搅拌边加入氢氧化钠，然后边搅拌边加入葡萄糖酸钠；
[0012]S2：葡萄糖酸钠加完后结束搅拌，随后将反应釜中溶液的温度降低至60
‑
40℃；
[0013]S3：将表面活性剂放入另一个反应釜中，随后加入去离子水并搅拌，制成活性剂溶液并倒入溶解有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液中；
[0014]S4：将碱度稳定剂边搅拌边加入制成的溶液中，搅拌均匀后再边搅拌边加入抗静电剂和剩余的去离子水，搅拌均匀后制成去毛刺溶液。
[0015]作为本专利技术进一步优选的：所述S1中，将混合有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液在常温通风环境下持续搅拌15
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20min后再进行降温。
[0016]作为本专利技术再进一步的方案：所述S3中，将混合有表面活性剂的溶液在反应釜中搅拌10
‑
15min后，再倒入冷却后的溶解有氢氧化钠和葡萄糖酸钠的溶液中。
[0017]在前述方案的基础上：所述S4中，将先后加入碱度稳定剂和抗静电剂的溶液继续搅拌20
‑
30min后密封包装入桶。
[0018]在前述方案的基础上优选的：所述S4中，将去毛刺溶液加热到90
‑
110℃条件下，再将需去毛刺的电子元件浸入溶液中进行去毛刺处理。
[0019]本专利技术的有益效果为：
[0020]1.氢氧化钠能够有效的去除封装时产生在集成电路半导体上的环氧溢胶，而葡萄糖酸钠可提高去毛刺溶液对集成电路板的清洗效果，同时配合碱度稳定剂可以达到降低溶液碱度的作用抑制了强碱对集成电路板的腐蚀，同时也能够配合强碱与毛刺进行反应，提高溶液去毛刺效果。
[0021]2.表面活性剂可以使集成电路板表面湿润，提高了溶剂在集成电路板表面的附着性和沉积量，有利于溶液与毛刺之间进行充分反应，同时加入的抗静电剂可配合表面活性剂一起对电路板表面进行处理，提高去毛刺效率。
[0022]3.本溶液的制备只需将氢氧化钠、葡萄糖酸钠、碱度稳定剂、抗静电剂和表面活性剂按次序分别与去离子水进行混合搅拌较短时间即可制成，让工作人员可以随时使用随时制备，同时将去离子水的电阻率控制在600K
‑
800KΩ
·
cm之间，可以提高溶液自身的导电效率，从而提高去毛刺溶液与毛刺之间的反应效率，同时通过加入葡萄糖酸钠和碱度稳定剂，可以有效的减小氢氧化钠的使用量，从而减少了碱等有毒有害物质的使用，对环境的危害程度也会降低。
[0023]4.将去毛刺时溶液的温度提高到90
‑
110℃，让电路板上的毛刺和去毛刺溶液在较高温度下进行反应，在提高反应效率的同时，可以将残留在电路板表面的脱模剂溶解，让去毛刺溶液在对电路板进行去毛刺的同时能够有效的对电路板表面残存的油污等物质进行清洗消除，提高电路板加工清洗效率。
附图说明
[0024]图1为本专利技术提出的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0026]下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终
相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。
[0027]实施例1：
[0028]一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，包括氢氧化钠8
‑
14％、葡萄糖酸钠2
‑
8％、碱度稳定剂3
‑
5％、抗静电剂0
‑
2％和表面活性剂2
‑
5％，其余百分比为去离子水，所述碱度稳定剂包括偏硅酸钠和柠檬酸盐，抗静电剂包括铵盐和磷酸衍生物，表面活性剂包括十二烷基硫酸、十二烷基苯磺酸钠、甘油单酸硬脂酸酯和脂肪酸聚氧乙烯酸酯中的一种或一种以上的混合物。
[0029]所述碱度稳定剂中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，包括氢氧化钠8
‑
14％、葡萄糖酸钠2
‑
8％、碱度稳定剂3
‑
5％、抗静电剂0
‑
2％和表面活性剂2
‑
5％，其余百分比为去离子水，其特征在于，所述碱度稳定剂包括偏硅酸钠和柠檬酸盐，抗静电剂包括铵盐和磷酸衍生物，表面活性剂包括十二烷基硫酸、十二烷基苯磺酸钠、甘油单酸硬脂酸酯和脂肪酸聚氧乙烯酸酯中的一种或一种以上的混合物。2.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，其特征在于，所述碱度稳定剂中，偏硅酸钠占比为20
‑
35％，铵盐占比为25
‑
45％，其余百分比为柠檬酸盐。3.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，其特征在于，所述铵盐包括单季铵盐、双季铵盐和三季铵盐中的一种或一种以上的混合物，去离子水的电阻率在600K
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800KΩ
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cm之间。4.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液，其特征在于，所述磷酸衍生物包括三氢焦磷酸盐、二硬脂酰磷脂酸和二苯基磷酸乙酯中的一种或一种以上的混合物。5.一种集成电路半导体封装后处理用去毛刺溶液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：按照对应的百分比称取对应重量的氢氧化钠、葡萄糖酸钠、碱度稳定剂、抗静电剂、表面活性剂和去离子水，随后向反应釜中倒入适量...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海超，
申请(专利权)人：上海涤宝科技有限公司，
类型：发明
国别省市：