宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构及其形成方法，其中所述封装结构包括：基板，贴装在所述基板正面上的第一芯片和第二芯片；贴装在所述基板正面上的磁导率屏蔽件，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片且不与所述第一芯片接触；位于所述基板正面上且覆盖所述第二芯片和磁导率屏蔽件的表面以及填充所述磁导率屏蔽件与所述第一芯片之间空间的塑封层；位于在所述塑封层顶部表面以及所述塑封层和所述基板的侧壁表面的电导率屏蔽层，所述电导率屏蔽层包围所述磁导率屏蔽件和第二芯片。本申请的封装结构即针对低频电磁信号进行屏蔽，同时兼顾对高频电磁信号的屏蔽。同时兼顾对高频电磁信号的屏蔽。同时兼顾对高频电磁信号的屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体封装领域，尤其涉及一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]新一代电子产品的飞速发展，推动集成电路封装也在向高密度、高频率、微型化、高集成的方向发展，而高频芯片往往会产生较强的电磁波，对封装内外及芯片造成不期望的干扰或噪声；加上电子部件密度越来越高，传输线路的距离越来越近，使得来自集成电路封装内外的电磁干扰问题也日益严重，同时会降低集成电路的品质、寿命等。
[0003]现有的为了屏蔽电磁波，主要是在芯片封装结构上设置一个磁场屏蔽层，用于屏蔽芯片间的电磁干扰。但是，现有的电子产品和设备由于功能需求各异，高频震荡产生的电磁波含有各种复杂的高低频频段，因而芯片封装结构中的芯片会受到不同频率信号的干扰，既有高频信号，也有低频信号，而不同频率的信号的屏蔽方法以及结构是不同的，传统的电磁屏蔽方法难以解决此类复杂的电磁兼容问题，如何提高电磁屏蔽的信号屏蔽宽幅是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供了一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，包括：
[0005]基板，贴装在所述基板正面上的第一芯片和第二芯片；
[0006]贴装在所述基板正面上的磁导率屏蔽件，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片且不与所述第一芯片接触；
[0007]位于所述基板正面上且覆盖所述第二芯片和磁导率屏蔽件的表面以及填充所述磁导率屏蔽件与所述第一芯片之间空间的塑封层；
[0008]位于在所述塑封层顶部表面以及所述塑封层和所述基板的侧壁表面的电导率屏蔽层，所述电导率屏蔽层包围所述磁导率屏蔽件和第二芯片。
[0009]可选的，所述磁导率屏蔽件仅包围所述第一芯片的四个侧面。
[0010]可选的，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片的四个侧面和顶面。
[0011]可选的，所述磁导率屏蔽件的顶部中具有贯穿所述磁导率屏蔽件顶部的若干通孔，所述塑封层还填充满所述若干通孔。
[0012]可选的，所述磁导率屏蔽件为单层结构，所述基板背面具有第一接地端和第二接地端，所述单层结构的磁导率屏蔽件通过贯穿所述基板的第一连接结构与位于所述基板背面的第一接地端电连接，所述电导率屏蔽层通过第二连接结构与位于所述基板背面的第二接地端电连接。
[0013]可选的，所述磁导率屏蔽件的材料为高磁导率材料，所述高磁导率材料为NiFe合金、CoFeB合金、CoFeTa合金、CoFe合金、CoPt合金、NiCo Fe合金或Co。
[0014]可选的，所述磁导率屏蔽件为多层结构，所述多层结构的磁导率屏蔽件包括第一磁导率层、第二磁导率层和位于第一磁导率层和第二磁导率层之间的绝缘层，所述第一磁导率层位于靠近第一芯片的一侧，所述第二磁导率层位于远离所述第一芯片的一侧；所述基板背面具有第一接地端、第二接地端和第三接地端，所述第一磁导率层通过贯穿所述基板的第三连接结构与所述基板背面的第一接地端电连接，所述第二磁导率层通过贯穿所述基板的第四连接结构与所述基板背面的第三接地端电连接，所述电导率屏蔽层通过第二连接结构与位于所述基板背面的第二接地端电连接。
[0015]可选的，所述第一磁导率层的材料为易饱和的高磁导率材料，所述第二磁导率的材料为不易饱和的低磁导率材料，所述易饱和的高磁导率材料包括坡莫合金，所述不易饱和的低磁导率材料包括矽钢。
[0016]可选的，所述第二连接结构包括三种，分别为第一种第二连接结构、第二种第二连接结构和第三种第二连接结构，所述第一种第二连接结构位于所述基板的背面，将所述电导率屏蔽层的某一侧面与所述第二接地端电连接，所述第二种第二连接结构贯穿所述塑封层和所述基板，包括连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述基板中且贯穿所述基板，所述第二部分位于所述塑封层中且贯穿所述塑封层，所述第二种第二连接结构将所述电导率屏蔽层的顶部与所述第二接地端电连接，所述第三种连接结构贯穿所述基板，将所述电导率屏蔽层的另一侧面与所述第二接地端电连接。
[0017]可选的，所述第二种第二连接结构位于所述塑封层中的第二部分位于所述第一芯片和所述第二芯片之间，且所述第二部分的长度大于所述第一芯片和所述第二芯片的长度。
[0018]可选的，所述第一芯片的数量为多个时，每一个第一芯片周围均贴装一个磁导率屏蔽件。
[0019]可选的，所述第一芯片为磁敏感类的芯片，所述第二芯片为高频信号源芯片或易受高频信号干扰类的芯片。
[0020]可选的，所述电导率屏蔽层的材料为高电导率的材料，所述高电导率的材料为铜、钨、铝或银等。
[0021]本申请还提供了一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构的形成方法，包括：
[0022]提供基板和磁导率屏蔽件；
[0023]在所述基板正面上的贴装第一芯片和第二芯片；
[0024]在所述基板正面上贴装磁导率屏蔽件，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片且不与所述第一芯片接触；
[0025]在所述基板正面上形成覆盖所述第二芯片和磁导率屏蔽件的表面以及填充所述磁导率屏蔽件与所述第一芯片之间空间的塑封层；
[0026]在所述塑封层顶部表面以及所述塑封层和所述基板的侧壁表面形成电导率屏蔽层，所述电导率屏蔽层包围所述磁导率屏蔽件和第二芯片。
[0027]可选的，其特征在于，所述磁导率屏蔽件仅包围所述第一芯片的四个侧面。
[0028]可选的，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片的四个侧面和顶面。
[0029]可选的，所述磁导率屏蔽件的顶部中具有贯穿所述磁导率屏蔽件顶部的若干通孔，形成所述塑封层时，所述塑封层穿过所述若干通孔填充所述磁导率屏蔽件与所述第一
芯片之间的空间。
[0030]可选的，所述磁导率屏蔽件为单层结构，所述基板背面具有第一接地端和第二接地端，所述基板中还形成有贯穿所述基板的第一连接结构，所述基板和/或塑封层中具有第二连接结构，所述第一连接结构与所述第一接地端电连接，所述第二连接结构与所述第二接地端电连接，所述单层结构的磁导率屏蔽件的贴装到所述第一连接结构的表面，所述电导率屏蔽层与所述第二连接结构电连接。
[0031]可选的，所述磁导率屏蔽件为多层结构，所述多层结构的磁导率屏蔽件包括第一磁导率层、第二磁导率层和位于第一磁导率层和第二磁导率层之间的绝缘层，所述第一磁导率层位于靠近第一芯片的一侧，所述第二磁导率层位于远离所述第一芯片的一侧；所述基板背面具有第一接地端、第二接地端和第三接地端，所述基板中还形成有贯穿所述基板的第一连接结构和第三连接结构，所述基板和/或塑封层中具有第二连接结构，所述第一连接结构与所述第一接地端电连接，所述第二连接结构与所述第二接地端电连接，所述第三连接结构与所述第三接地端电连接，所述第一磁导率层贴装到所述第三连接结构的表面，所述第二磁导率层贴装到所述第四连接结构的表面，所述电导率屏蔽层与第二连接结构电连接。
[0032]可选的，所述第二连接结构包括三种，分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括：基板，贴装在所述基板正面上的第一芯片和第二芯片；贴装在所述基板正面上的磁导率屏蔽件，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片且不与所述第一芯片接触；位于所述基板正面上且覆盖所述第二芯片和磁导率屏蔽件的表面以及填充所述磁导率屏蔽件与所述第一芯片之间空间的塑封层；位于在所述塑封层顶部表面以及所述塑封层和所述基板的侧壁表面的电导率屏蔽层，所述电导率屏蔽层包围所述磁导率屏蔽件和第二芯片。2.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件仅包围所述第一芯片的四个侧面。3.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件包围所述第一芯片的四个侧面和顶面。4.如权利要求3所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件的顶部中具有贯穿所述磁导率屏蔽件顶部的若干通孔，所述塑封层还填充满所述若干通孔。5.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件为单层结构，所述基板背面具有第一接地端和第二接地端，所述单层结构的磁导率屏蔽件通过贯穿所述基板的第一连接结构与位于所述基板背面的第一接地端电连接，所述电导率屏蔽层通过第二连接结构与位于所述基板背面的第二接地端电连接。6.如权利要求5所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件的材料为高磁导率材料，所述高磁导率材料为NiFe合金、CoFeB合金、CoFeTa合金、CoFe合金、CoPt合金、NiCo Fe合金或Co。7.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述磁导率屏蔽件为多层结构，所述多层结构的磁导率屏蔽件包括第一磁导率层、第二磁导率层和位于第一磁导率层和第二磁导率层之间的绝缘层，所述第一磁导率层位于靠近第一芯片的一侧，所述第二磁导率层位于远离所述第一芯片的一侧；所述基板背面具有第一接地端、第二接地端和第三接地端，所述第一磁导率层通过贯穿所述基板的第三连接结构与所述基板背面的第一接地端电连接，所述第二磁导率层通过贯穿所述基板的第四连接结构与所述基板背面的第三接地端电连接，所述电导率屏蔽层通过第二连接结构与位于所述基板背面的第二接地端电连接。8.如权利要求7所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第一磁导率层的材料为易饱和的高磁导率材料，所述第二磁导率的材料为不易饱和的低磁导率材料，所述易饱和的高磁导率材料包括坡莫合金，所述不易饱和的低磁导率材料包括矽钢。9.如权利要求5或7所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括三种，分别为第一种第二连接结构、第二种第二连接结构和第三种第二连接结构，所述第一种第二连接结构位于所述基板的背面，将所述电导率屏蔽层的某一侧面与所述第二接地端电连接，所述第二种第二连接结构贯穿所述塑封层和所述基板，包括连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述基板中且贯穿所述基板，所述第二部分位于所述塑封层中且贯穿所述塑封层，所述第二种第二连接结构将所述电导率屏蔽层的顶部与
所述第二接地端电连接，所述第三种连接结构贯穿所述基板，将所述电导率屏蔽层的另一侧面与所述第二接地端电连接。10.如权利要求9所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第二种第二连接结构位于所述塑封层中的第二部分位于所述第一芯片和所述第二芯片之间，且所述第二部分的长度大于所述第一芯片和所述第二芯片的长度。11.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第一芯片的数量为多个时，每一个第一芯片周围均贴装一个磁导率屏蔽件。12.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第一芯片为磁敏感类的芯片，所述第二芯片为高频信号源芯片或易受高频信号干扰类的芯片。13.如权利要求1所述的宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述电导率屏蔽层的材料为高电导率的材料，所述高电导率的材料为铜、钨、铝或银。14.一种宽幅信号双层电磁屏蔽封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板和磁导率屏蔽件；在所述基板正面上的贴装第一芯片和第二芯片；在所述基板正面上贴装磁导率屏蔽件，所述磁导率屏蔽件包围所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周青云，林耀剑，丁科，徐晨，刘硕，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：