一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区、至少一个N型的耐压区以及N+低阻导电区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔进行离子注入，形成N+源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层；清除所有阻挡层，在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层，使得其耐压特性显著提高，满足特高压输电的需求。的需求。的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法。

技术介绍

[0002]SiC器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。
[0003]特高压输电由于其电流很小，其对于器件的电流特性要求很低，对耐压特性要求很高。在国家电网的特高压输电等领域对于器件的耐压特性有非常高的要求，同时其电流很小，对器件的电流能力要求很小，这就出现了对于高耐压小电流特性器件的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，使得其耐压特性显著提高，满足特高压输电的需求。
[0005]本专利技术是这样实现的：一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，包括：步骤1、在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少一个N型的耐压区；步骤3、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成N+低阻导电区；步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔进行离子注入，以形成N+源区；步骤5、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层；步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层；步骤7、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层；步骤8、清除所有阻挡层，在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层。
[0006]进一步地，所述漂移层为N
‑
型。
[0007]本专利技术的优点在于：在器件纵向结构中有低阻的导电通道，该通道将漏极的电位引到N+低阻导电区；器件的N+低阻导电区和第一P型耐压夹断层形成第一个横向PN结，将纵向器件的纵向耐压结构转变为横向；第一N型耐压区和第二P型耐压夹断层和形成第二个横向PN结，提高器件的横向耐压特性；以此进行叠加多个横向PN结，提高器件的横向耐压特性；由于半导体工艺的限制，器件制备过程中难以制造厚的外延层，故纵向MOSFET的
耐压一般限制在2KV左右，而本专利技术将纵向耐压结构转化为横向的超结结构，可以将器件的耐压提高到5KV以上，只要横向继续延展，器件耐压可以一直提升。与此同时，器件器件有低阻的纵向导电沟道，可以实现低阻导通，其导通电阻不会增加。
附图说明
[0008]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0009]图1是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图一。
[0010]图2是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图二。
[0011]图3是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图三。
[0012]图4是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图四。
[0013]图5是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图五。
[0014]图6是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图六。
[0015]图7是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图七。
[0016]图8是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法流程图八。
[0017]图9是本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的原理示意图。
具体实施方式
[0018]如图1至9所示，本专利技术一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，（MOSFET为Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect
‑
Transistor，金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管）包括：步骤1、在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层a，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区，形成第一P型耐压夹断区105和第二P型耐压夹断区1061，所述漂移层102为N
‑
型；步骤2、在漂移层上形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少一个N型的耐压区1062；步骤3、在漂移层上形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成N+低阻导电区104；漂移层最终被N+低阻导电区104分割为第一N
‑
型漂移层102和第二N
‑
型漂移层103；步骤4、重新形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔进行离子注入，以形成N+源区107；步骤5、重新形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔氧化形成栅极绝缘层109；步骤6、重新形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻形成通孔，通过通孔淀积金属形成源极金属层108；步骤7、重新形成阻挡层a，并对阻挡层a蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成栅极金属层110；步骤8、清除所有阻挡层a，在碳化硅衬底101上淀积形成漏极金属层111。
[0019]如图9所示，通过上述方法得到了耐压碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底101，
第一N
‑
型漂移层102，所述第一N
‑
型漂移层102设于所述碳化硅衬底101的上侧面；第二N
‑
型漂移层103，所述第二N
‑
型漂移层103设于所述碳化硅衬底101的上侧面，所述第二N
‑
型漂移层103的宽度不小于500纳米；N+低阻导电区104，所述N+低阻导电区104底部连接至所述碳化硅衬底101的上侧面，且所述N+低阻导电区104设于所述第一N
‑
型漂移层102以及第二N
‑
型漂移层103之间；第一P型耐压夹断区105，所述第一P型耐压夹断区105设于所述第一N
‑
型漂移层102上，且所述第一P型耐压夹断区105侧面连接至所述N+低阻导电区104侧面；至少一个横向PN模块106，所述横向PN模块106设于所述第一N
‑
型漂移层102上，且所述横向PN模块106侧面连接至所述第一P型耐压夹断区105侧面，所述横向PN模块106的侧面连接至另一个横向PN模块106的侧面；N+源区107，所述N+源区107设于所述第一横向PN模块106上；源极金属层108，所述源极金属层108分别连接所述N+源区107，也可以与横向PN模块106连接；栅极绝缘层109，所述栅极绝缘层109连接至所述第二N
‑
型漂移层103、N+低阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在具有漂移层的碳化硅衬底上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少两个P型的耐压夹断区；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成至少一个N型的耐压区；步骤3、在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成N+低阻导电区；步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张长沙，周海，李佳帅，单体玮，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：