【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种纵向碳化硅器件的制作方法。
技术介绍
1、碳化硅功率器件应用已经较为广泛，但是为了实现电力电子系统的高性能、高功率密度、低成本。
2、现有的碳化硅功率mosfet存在栅控能力相对较弱的问题，因此，需要较高的栅极电压才能实现器件的完全导通；并且在碳化硅功率器件中的体二极管的续流能力弱，关断时浪涌电流可能会损坏器件。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种纵向碳化硅器件的制作方法，使得器件具备结构简单、制备工艺简单，栅控能力强、栅极驱动损耗小、关态损耗低以及体二极管续流能力强。
2、本专利技术是这样实现的：一种纵向碳化硅器件的制作方法，包括：
3、步骤1、获取带有漂移层的碳化硅衬底，并在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，在漂移层上外延生长源区；
4、步骤2、在源区上形成阻挡层，并对阻挡层和源区蚀刻至漂移层，形成左右绝缘区，之后对左右绝缘区进行氧化，形成绝缘块；
5、步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层和绝缘块蚀刻形成第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区，对第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区进行金属淀积，形成第一栅极金属层和第二栅极金属层；
6、步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源极金属区，并对源极金属区进行金属淀积，形成源极金属层；
7、步骤5、去除阻挡层，完成制造。
8、进一步地，所述碳化硅衬底n型衬底，其掺杂浓度为1×1015cm-3~8×1015c
9、进一步地，所述漂移层的掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1017cm-3，厚度为1000-5000nm。
10、进一步地，所述p型源区的掺杂浓度为6×1019cm-3~5×1020cm-3，厚度为100-300nm。
11、进一步地，所述第一栅极绝缘层的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘层的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区的厚度均大于或等于所述源区的厚度。
12、本专利技术具有如下优点：其在不影响器件的反向耐压特性和电流能力的基础上可增加碳化硅纵向器件的栅控能力，减少器件的关断漏电，降低器件的栅极驱动电压，降低器件损耗关态损耗和驱动损耗。
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1.一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述碳化硅衬底N型衬底，其掺杂浓度为1×1015cm-3~8×1015cm-3，厚度为10-100nm。
3.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述漂移层的掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1017cm-3，厚度为1000-5000nm。
4.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述p型源区的掺杂浓度为6×1019cm-3~5×1020cm-3，厚度为100-300nm。
5.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘层的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区的厚度均大于或等于所述源区的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述碳化硅衬底n型衬底，其掺杂浓度为1×1015cm-3~8×1015cm-3，厚度为10-100nm。
3.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件的制作方法，其特征在于，所述漂移层的掺杂浓度为1×1016cm-3~1×1017cm-3，厚度为1000-5000nm。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彤，张长沙，李昀佶，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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