【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方法。
技术介绍
1、sic mosfet作为第三代半导体的典型代表，已经在市场上有了较为广泛的应用，其中平面栅碳化硅器件由于制备工艺相对简单，应用最为广泛。由于碳化硅功率器件单位面积电阻低，所以其相比硅器件有较大的优势。在这样的条件下，相同电阻的器件通过相同的电流，产生相同的热，但是碳化硅器件小，散热面积小，会导致热量散不出去，进而烧毁器件，不能充分发挥碳化硅器件的优势。单位面积通过电流的大小与功率密度直接相关。功率密度越高通过的电流越大。体积相等的充电器，一个功率密度是另外一个的2倍，意味着功率密度高的充电功率是低的2倍，充电速度是低的2倍。所以在所有应用中，提高功率密度是永恒的追求。而提高散热能力既可以有效提高器件的功率密度。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方法，大大提高了碳化硅器件的导热性。
2、本专利技术是这样实现的：一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方法，包括：
3、步骤1、在金刚石衬底上外延生长碳化硅外延层，所述金刚石衬底的掺杂浓度为2×1016cm-3~6×1016cm-3；
4、步骤2、在碳化硅外延层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对碳化硅外延层进行离子注入，以形成阱区；
5、步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对阱区进行离子注入，
6、步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻得到源极金属区，通过向源极金属区淀积金属，形成源极金属层；
7、步骤5、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻得到栅极绝缘区，通过栅极绝缘区淀积，形成绝缘层；
8、步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻得到栅极区，通过栅极区淀积金属，形成栅极金属层；
9、步骤7、去除阻挡层，采用激光对金刚石衬底进行石墨烯化，形成漏极。
10、本专利技术具有如下优点：通过使用金刚石衬底，使得碳化硅器件的导热性能大大提高，并且该金刚石衬底的厚度远小于现有的碳化硅衬底，这就使得整个碳化硅器件的厚度减小，更有利于用户使用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，其特征在于，所述步骤7进一步具体为：去除阻挡层，在栅极金属层和漏极金属层的一侧面淀积形成保护层，采用激光对金刚石衬底进行石墨烯化，形成漏极。
3.根据权利要求2所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，其特征在于，所述保护层为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，其特征在于，所述金刚石衬底的厚度为200-600nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，其特征在于，所述碳化硅外延层的掺杂浓度和金刚石衬底的掺杂浓度相同，且所述碳化硅外延层的掺杂物质与金刚石衬底的掺杂物质相同。
【技术特征摘要】
1.一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方法，其特征在于，所述步骤7进一步具体为：去除阻挡层，在栅极金属层和漏极金属层的一侧面淀积形成保护层，采用激光对金刚石衬底进行石墨烯化，形成漏极。
3.根据权利要求2所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet的制作方...
【专利技术属性】
技术研发人员：施广彦，张长沙，张瑜洁，李昀佶，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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