【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低功耗碳化硅沟槽型vdmos的制备方法。
技术介绍
1、碳化硅vdmos作为碳化硅功率器件中的代表性器件，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用；碳化硅vdmos的沟槽栅的导通电阻低，但是在其拐角处的电场集中会降低其栅极可靠性。解决沟槽栅的栅极可靠性是学术和产业界一直需要解决的问题。
2、与此同时，持续性地降低器件导通电阻，是提高电源系统效率的永恒追求。随着各种电力系统对功率密度的追求，器件的高频特征阻抗成为衡量器件特性的重要指标之一，提高器件高频特征阻抗正在成为产业界一个新的技术发展方向。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种低功耗碳化硅沟槽型vdmos的制备方法，能有效降低器件的功耗，实现器件低功耗运行。
2、本专利技术是这样实现的：一种低功耗碳化硅沟槽型vdmos的制备方法，包括如下步骤：
3、步骤1、在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长，形成漂移层；
4、步骤2、在漂移层上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，离子注入形成阱区；
5、步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔对阱区进行离子注入，形成源区；
6、步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、源区以及阱区形成通孔，之后淀积形成栅极介质层；
7、步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅极介质层，形成沟槽，在所
8、步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制造。
9、本专利技术的优点在于：
10、一、器件是基于沟槽栅结构碳化硅mosfet优化得到，具备沟槽栅总特征电阻小的特点；
11、二、器件的导电沟道为全纵向结构，没有电流方向的变化，总特征阻抗的高频特性好，有高频工作优势；
12、三、栅介质层下部的左右两侧由p型阱区包围，在不增加p型埋层的情况下能解决栅极拐角处电场集中导致的击穿问题；
13、四、器件的源极金属层和漂移层形成肖特基接触，构建了寄生肖特基体二极管，降低器件的寄生体二极管续流损耗；
14、五、通过以上几种器件结构机制，能有效降低器件的功耗，实现器件低功耗运行。
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1.一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为3e16 cm-3，所述阱区的掺杂浓度为6e16 cm-3，所述源区的掺杂浓度为5e19cm-3。
3.如权利要求1所述的一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底、漂移层以及源区均为N型，所述阱区为P型。
4.如权利要求1所述的一种低功耗碳化硅沟槽型VDMOS的制备方法，其特征在于，所述阱区厚度为1200nm，源区厚度为600nm。
【技术特征摘要】
1.一种低功耗碳化硅沟槽型vdmos的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种低功耗碳化硅沟槽型vdmos的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为3e16 cm-3，所述阱区的掺杂浓度为6e16 cm-3，所述源区的掺杂浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：施广彦，张长沙，张瑜洁，李昀佶，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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