一种防止硅片边缘损伤的预处理装置制造方法及图纸

技术编号:34788526 阅读:16 留言:0更新日期:2022-09-03 19:51
本实用新型专利技术公开了一种防止硅片边缘损伤的预处理装置,其特征在于,所述预处理装置包括:承载机构,所述承载机构用于承载并固定单晶硅棒;涂覆机构,所述涂覆机构用于向所述单晶硅棒表面的多个设定区域分别涂覆设定厚度的保护层;拱形状的滑轨;第一驱动机构,所述第一驱动机构被构造成能够使得所述涂覆机构沿所述滑轨的周向方向多次滑动,以使所述涂覆机构每次滑动后能够与所述单晶硅棒表面相应的设定区域对准;其中,所述涂覆机构每次按照设定的角度进行滑动。定的角度进行滑动。定的角度进行滑动。

【技术实现步骤摘要】
一种防止硅片边缘损伤的预处理装置


[0001]本技术涉及半导体加工
,尤其涉及一种防止硅片边缘损伤的预处理装置。

技术介绍

[0002]硅片作为半导体行业最为基础的材料,其制备工序多且复杂,主要制备工序包括:利用多晶硅原料制备单晶硅棒的拉晶工艺,将单晶硅棒切割成为硅片的线切割工艺,将硅片的厚度均一化使其表面平坦化的研磨工艺,去除及改善机械研磨引起的损伤的刻蚀工艺,将硅片表面镜面化的抛光工艺,以及清洗已完成抛光工艺硅片的清洗工艺。上述的线切割工艺是将圆柱状的单晶硅棒使用高张力钢线进行线切割以使其成为单片的硅片,并采用滚磨等工艺将不必要的部分去除。在上述线切割加工过程中单晶硅棒及硅片的边缘易出现破损缺失、裂纹、崩边等不良现象。而对于单晶硅棒及硅片而言,易发生崩边及破损缺失的高风险位置主要集中于晶向<110>方向的范围区域,这是由于晶向<110>方向为硅原子最易产生滑移的方向,单晶硅棒及硅片在受到外界作用力后可首先沿晶向<110>方向发生崩边或者破损缺失,因此在线切割加工过程中亟需提前对该晶向范围区域施加保护措施以预防单晶硅棒及硅片在线切割加工过程中产生的崩边或破损缺失等边缘损伤,以降低单晶硅棒及硅片的不良率。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题,本技术实施例期望提供一种防止硅片边缘损伤的预处理装置;能够降低单晶硅棒及硅片在线切割加工过程中出现边缘损伤缺陷的概率,提高单晶硅棒及硅片的良率。
[0004]本技术的技术方案是这样实现的:
[0005]本技术实施例提供了一种防止硅片边缘损伤的预处理装置,所述预处理装置包括:
[0006]承载机构,所述承载机构用于承载并固定单晶硅棒;
[0007]涂覆机构,所述涂覆机构用于向所述单晶硅棒表面的多个设定区域分别涂覆设定厚度的保护层;
[0008]拱形状的滑轨;
[0009]第一驱动机构,所述第一驱动机构被构造成能够使得所述涂覆机构沿所述滑轨的周向方向多次滑动,以使所述涂覆机构每次滑动后能够与所述单晶硅棒表面相应的设定区域对准;其中,所述涂覆机构每次按照设定的角度进行滑动。
[0010]本技术实施例提供了一种防止硅片边缘损伤的预处理装置;所述预处理装置能够使得涂覆机构沿滑轨的周向方向多次滑动,以使得涂覆机构每次滑动后能够与单晶硅棒表面相应的设定区域对准,进而能够利用涂覆机构分别对单晶硅棒表面的多个设定区域涂覆设定厚度的保护层,以在线切割过程中保护单晶硅棒及硅片的边缘形貌,降低了单晶
硅棒及硅片崩边或者破损缺失等边缘损伤缺陷的风险,提高单晶硅棒及硅片的良率。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例提供的一种用于单晶硅棒的线切割装置结构示意图;
[0012]图2为本技术实施例提供的另一种用于单晶硅棒的线切割装置结构示意图;
[0013]图3为本技术实施例提供的一种防止硅片边缘损伤的预处理装置结构示意图;
[0014]图4为本技术实施例提供的单晶硅棒表面设定区域的涂覆范围示意图。
具体实施方式
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0016]参见图1,其示出了一种用于单晶硅棒的线切割装置1,可以理解地,图1所示的线切割装置1的结构仅用于进行原理性说明,并不表示本领域技术人员不会根据具体的实施状态在图1所示的组成结构上增加或减少组件,本技术实施例对此不做具体限制。如图1所示,线切割装置1可以包括切割部件11和载置部件12;切割部件11可以在一些示例中如图1所示置于载置部件12的竖直方向下方,也可以在一些示例中如图2所示置于载置部件12的竖直方向上方。具体来说,切割部件11可以包括多个线辊111以及切割线112,切割线112缠绕于线辊111以形成相互平行的切割网线,随着线辊111的滚动,带动切割网线做高速往复运动;在图1中,线辊111的数量以2个为例进行说明,并且切割线112的往复运动方向如图1中的实线箭头所示,往复运动速度示例性地可以为10m/s至15m/s。载置部件12用于装载并固定待切割的单晶硅棒S,在图1所示的示例中,载置部件12可以包括基台121以及安装于基台121上的夹持轴122,夹持轴122可以沿待切割的单晶硅棒S的轴线方向夹持待切割的单晶硅棒S的两端以固定待切割的单晶硅棒S。在图2所示的示例中,载置部件12除了可以包括前述示例中所述的基台121以及安装于基台121上的夹持轴122之外,还可以包括承载待切割的单晶硅棒S的底座123。
[0017]对于图1、图2中所示的线切割装置1,可以通过移动切割部件11或者载置部件12以使切割线112与待切割的单晶硅棒S之间沿竖直方向的相向运动,待切割线112与待切割的单晶硅棒S相互接触之后,利用切割线112的高速往复运动实现对待切割的单晶硅棒S的切割。在如图1所示的示例中,可以将切割部件11沿黑色箭头所示方向移动,也可以将载置部件12沿虚线白色箭头方向移动,以实现切割线112与待切割的单晶硅棒S之间沿竖直方向的相向运动。在如图2所示的示例中,可以将载置部件12沿黑色箭头所示方向移动,也可以将切割部件11沿虚线白色箭头方向移动,以实现切割线112与待切割的单晶硅棒S之间沿竖直方向的相向运动。需要说明的是,本本技术实施例通过加装升降装置(图中未示出)以实现切割部件11或者载置部件12的移动,可以理解地,本领域技术人员还可以根据实际需要及实施场景通过其他方式实现切割部件11或者载置部件12的移动,本专利技术实施例对此不
做赘述。
[0018]需要说明的是,在线切割单晶硅棒S的过程中,由于切割作用力易对单晶硅棒S及硅片的边缘造成破坏,使得切割后的硅片的边缘发生崩边或者边缘破损现象,以在单晶硅棒S及硅片的晶向<110>方向尤为严重。基于此,本技术实施例期望能够通过预先对单晶硅棒S的边缘进行预处理保护以降低线切割过程中发生崩边或者破损缺失的概率。
[0019]基于上述阐述,参见图3,其示出了本技术实施例提供的一种防止硅片边缘损伤的预处理装置3,所述预处理装置3具体包括:
[0020]承载机构31,所述承载机构31用于承载并固定单晶硅棒S;
[0021]涂覆机构32,所述涂覆机构32用于向所述单晶硅棒S表面的多个设定区域分别涂覆设定厚度的保护层;
[0022]拱形状的滑轨33;
[0023]第一驱动机构34,所述第一驱动机构34被构造成能够使得所述涂覆机构32沿所述滑轨33的周向方向多次滑动,以使本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止硅片边缘损伤的预处理装置,其特征在于,所述预处理装置包括:承载机构,所述承载机构用于承载并固定单晶硅棒;涂覆机构,所述涂覆机构用于向所述单晶硅棒表面的多个设定区域分别涂覆设定厚度的保护层;拱形状的滑轨;第一驱动机构,所述第一驱动机构被构造成能够使得所述涂覆机构沿所述滑轨的周向方向多次滑动,以使所述涂覆机构每次滑动后能够与所述单晶硅棒表面相应的设定区域对准;其中,所述涂覆机构每次按照设定的角度进行滑动。2.根据权利要求1所述的预处理装置,其特征在于,所述承载机构的表面呈与所述单晶硅棒表面相贴合的弧形面。3.根据权利要求1所述的预处理装置,其特征在于,所述承载机构的表面设置有粘接树脂,用于与所述单晶硅棒的一侧进行粘接以固定所述单晶硅棒。4.根据权利要求1所述的预处理装置,其特征在于,所述单晶硅棒表面的多个设定区域的涂覆范围分别为以每个晶向<110>方向为基准
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【专利技术属性】
技术研发人员:令狐嵘凯杨西龙黄兆皓
申请(专利权)人:西安奕斯伟材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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