本实用新型专利技术属于半导体尾气技术领域，具体为一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，包括筒体，所述筒体内壁自左向右依次等距安装有第一渗透膜、第二渗透膜和第三渗透膜，通过第一渗透膜、第二渗透膜和第三渗透膜依次将筒体自右向右划分有第一腔体、第二腔体、第三腔体和提纯腔，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体底部分别安装有第一压力传感器、第二压力传感器和第三压力传感器，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体顶部分别连通有第一电控阀、第二电控阀和第三电控阀。本实用新型专利技术有利于避免多层渗透膜之间气体不断残留导致压力过大，同时增压引导性，使得氦气提纯效果更高。使得氦气提纯效果更高。使得氦气提纯效果更高。
【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置
[0001]本技术涉及半导体尾气
，具体为一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置。
技术介绍
[0002]在半导体工艺制程中，需要使用多种特殊气体、大量的酸、碱等化学品以及有机溶剂和挥发性液体，这些气体和化学品在半导体制造的不同工艺中使用会产生废气。
[0003]现有专利(公告号为CN202121195420.1)及一种膜分离氦气提纯设备，及膜分离氦气提纯设备，可以处理纯度为30～50％的原料氦气，并产出纯度为99.9～99.99％的成品氦气，解决了膜分离提纯氦气纯度低的难题，但是单单通过两层膜完成分离，两层膜之间残留的气体无法释放，同时氦气缺乏引流的方向，使得提纯效果较低。
[0004]因此，我们提出一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，有利于避免多层渗透膜之间气体不断残留导致压力过大，同时增压引导性，使得氦气提纯效果更高。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，以解决上述
技术介绍
中提出的单单通过两层膜完成分离，两层膜之间残留的气体无法释放，同时氦气缺乏引流的方向，使得提纯效果较低的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，包括筒体，所述筒体内壁自左向右依次等距安装有第一渗透膜、第二渗透膜和第三渗透膜，通过第一渗透膜、第二渗透膜和第三渗透膜依次将筒体自右向右划分有第一腔体、第二腔体、第三腔体和提纯腔，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体底部分别安装有第一压力传感器、第二压力传感器和第三压力传感器，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体顶部分别连通有第一电控阀、第二电控阀和第三电控阀，所述第一压力传感器、第二压力传感器和第三压力传感器的信号输出端分别对应第一电控阀、第二电控阀和第三电控阀的信号输入端。
[0007]优选的，所述提纯腔内安装有负压泵，所述负压泵左端设置有阀体。
[0008]优选的，所述筒体右端连通有进气管，所述筒体左端连通出气管。
[0009]优选的，所述筒体内壁等距安装有环体。
[0010]优选的，所述第一渗透膜对应环体卡合固定。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1)本技术的用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，通过第一渗透膜、第二渗透膜和第三渗透膜和压力传感器的设置，通过第一压力传感器、第二压力传感器和第三压力传感器对第一腔体、第二腔体、第三腔体内压力进行检测，当第一腔体、第二腔体、第三腔体内压力大于阈值时通过第一电控阀、第二电控阀和第三电控阀完成泄压，同时将其他气体排出，有利于避免多层渗透膜之间气体不断残留导致压力过大，同时有利于氦气的
提纯效果。
[0013]2)本技术的用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，通过负压泵、第一腔体、第二腔体和第三腔体的设置，气体依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体压力逐渐减少，导致膜渗透效率较低，通过右端进气加压，左端负压形成引流效果，使得提纯时间缩短效果更高。
附图说明
[0014]图1为本技术用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置的结构示意图；
[0015]图2为本技术用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置的结构示意图；
[0016]图3为本技术用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置的结构示意图。
[0017]图中：1、筒体；2、负压泵；3、第三腔体；4、第三电控阀；5、第二腔体；6、第二电控阀；7、第一腔体；8、第一电控阀；9、进气管；10、第一压力传感器；11、第一渗透膜；12、第二压力传感器；13、第二渗透膜；14、第三压力传感器；15、第三渗透膜；16、出气管；17、提纯腔；18、环体。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]实施例：
[0021]请参阅图1
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3，本技术提供一种技术方案：一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，包括筒体1，所述筒体1内壁自左向右依次等距安装有第一渗透膜11、第二渗透膜13和第三渗透膜15，通过第一渗透膜11、第二渗透膜13和第三渗透膜15依次将筒体1自右向右划分有第一腔体7、第二腔体5、第三腔体3和提纯腔17，所述第一腔体7、第二腔体5和第三腔体3底部分别安装有第一压力传感器10、第二压力传感器12和第三压力传感器14，所述第一腔体7、第二腔体5和第三腔体3顶部分别连通有第一电控阀8、第二电控阀6和第三电控阀4，所述第一压力传感器10、第二压力传感器12和第三压力传感器14的信号输出端分别对应第一电控阀8、第二电控阀6和第三电控阀4的信号输入端；
[0022]通过第一压力传感器10、第二压力传感器12和第三压力传感器14对第一腔体7、第二腔体5、第三腔体3内压力进行检测，当第一腔体7、第二腔体5、第三腔体3内压力大于阈值时通过第一电控阀8、第二电控阀6和第三电控阀4完成泄压，同时将其他气体排出，气体依次进入第一腔体7、第二腔体5和第三腔体3压力逐渐减少，导致膜渗透效率较低，通过右端进气加压，左端负压形成引流效果，使得提纯时间缩短效果更高。
[0023]其中，所述提纯腔17内安装有负压泵2，所述负压泵2左端设置有阀体；
[0024]通过右端进气形成加压，左端负压形成引流效果，使得提纯时间缩短效果更高。
[0025]其中，所述筒体1右端连通有进气管9，所述筒体1左端连通出气管16；
[0026]外部尾气通过进气管9进入筒体1内，氦气通过出气管16排出。
[0027]其中，所述筒体1内壁等距安装有环体18；
[0028]环体18便于对渗透膜完成固定。
[0029]其中，所述第一渗透膜11对应环体18卡合固定；
[0030]通过将第一渗透膜11、第二渗透膜13和第三渗透膜15分别对应环体18相卡合。
[0031]工作原理：外部尾气通过进气管9进入筒体1内，氦气通过出气管16排出，通过第一压力传感器10、第二压力传感器12和第三压力传感器14对第一腔体7、第二腔体5、第三腔体3内压力进行检测，当第一腔体7、第二腔体5、第三腔体3内压力大于阈值时通过第一电控阀8本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体尾气处理前端的氦气提纯装置，包括筒体(1)，所述筒体(1)内壁自左向右依次等距安装有第一渗透膜(11)、第二渗透膜(13)和第三渗透膜(15)，通过第一渗透膜(11)、第二渗透膜(13)和第三渗透膜(15)依次将筒体(1)自右向右划分有第一腔体(7)、第二腔体(5)、第三腔体(3)和提纯腔(17)，其特征在于：所述第一腔体(7)、第二腔体(5)和第三腔体(3)底部分别安装有第一压力传感器(10)、第二压力传感器(12)和第三压力传感器(14)，所述第一腔体(7)、第二腔体(5)和第三腔体(3)顶部分别连通有第一电控阀(8)、第二电控阀(6)和第三电控阀(4)，所述第一压力传感器(10)、第二压力传感器(12)和第三压力传感器(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：周国忠，
申请(专利权)人：苏州朗道节能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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