引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种引线框架，包括框架本体，位于框架本体上的多个产品单元，所述产品单元包括基岛和多个引脚，所述基岛的正面和背面都设有多个凹槽。本实用新型专利技术通过基岛正面采用V槽结构粗化，增加固晶焊料与基岛结合强度，增加固晶可靠性；基岛反面采用圆锥槽结构粗化，增加塑封料与基岛的结合强度，增加塑封体可靠性，并通过引脚V槽增加引脚与塑封料的结合强度，防止水汽沿引脚与塑封料的结合处进入到产品内部，造成产品失效；树脂流道上的通孔能够有效减少塑封料与引线框的接触面积，减小该位置塑封料与引线框的粘合力，有利于塑封后树脂流道的去除。后树脂流道的去除。后树脂流道的去除。

【技术实现步骤摘要】
引线框架


[0001]本技术涉及半导体元器件
，特别是涉及一种引线框架。

技术介绍

[0002]QFP（Quad Flat Package）为四侧引脚扁平封装，此种封装方式需要用到引线框架，现有技术中引线框架都是由铜片冲压而成，包括多个引线框架单元，引线框架单元之间由连筋连接起来，形成阵列，然后在引线框架上粘接上芯片、键合上丝线再进行塑封，最后切割分离得到单颗封装产品。
[0003]而此种引线框架上的焊料、塑封料与基岛结合强度低，在温度变化剧烈的应用场合，存在焊料、塑封料与基岛发生剥离失效，产品可靠性低。

技术实现思路

[0004]本技术为了解决上述现有技术中引线框架基岛与焊料、塑封料的结合强度低的技术问题，提出一种引线框架。
[0005]本技术采用的技术方案是：
[0006]本技术提出了一种引线框架，包括框架本体，位于框架本体上的多个产品单元，所述产品单元包括基岛和多个引脚，所述基岛的正面和背面都设有多个凹槽。
[0007]进一步的，基岛的正面的凹槽为V槽。
[0008]进一步的，基岛的正面的凹槽为圆锥槽。
[0009]优选地，基岛的正面和背面的多个凹槽呈矩形阵列均匀排布。
[0010]进一步的，框架本体的树脂流道上设有至少一个通孔，每条所述树脂流道对应5个所述产品单元。
[0011]引脚的正面和背面都设有V槽。引脚上的V槽呈条形，并与所述引脚所在的基岛的侧边平行。
[0012]进一步的，产品单元的引脚键合区域镀有依次镀有Ni层、Pd层、Au层。
[0013]进一步的，框架本体的尺寸为249.62mm
×
70mm
×
0.127mm。
[0014]框架本体上设有70个产品单元。
[0015]与现有技术比较，本技术具有如下优势：
[0016]1.基岛正面采用V槽结构粗化，增加固晶焊料与基岛结合强度，增加固晶可靠性；基岛反面采用圆锥槽结构粗化，增加塑封料与基岛的结合强度，增加塑封体可靠性；
[0017]2.在引脚键合区域镀NiPdAu，使得集成电路键合材既可以使用金线也可以使用铜线，防止铜线焊点与卤素发生反应，产生变色与腐蚀，提高产品键合可靠性。并且，相比于镀Ag引线框架，大大降低了Ag离子在引脚之间的模封体环氧树脂内迁移，防止引脚间因Ag离子爬迁而出现短路失效；
[0018]3.通过引脚V槽增加引脚与塑封料的结合强度，防止水汽沿引脚与塑封料的结合处进入到产品内部，造成产品失效；
[0019]4.树脂流道上的通孔能够有效减少塑封料与引线框的接触面积，减小该位置塑封料与引线框的粘合力，有利于塑封后树脂流道的去除。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术实施例中的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例中产品单元的结构示意图；
[0023]图3为本技术实施例中基岛正面的结构示意图；
[0024]图4为图3的局部放大图；
[0025]图5为图4的截面图；
[0026]图6为本技术实施例中屏幕组件与支撑组件连接状态的结构示意图；
[0027]图7为图6的局部放大图；
[0028]图8为图7的截面图；
[0029]图9为本技术实施例中引脚的结构示意图；
[0030]图10为本技术实施例中引脚的截面图；
[0031]图11为本技术实施例中引脚键合区的多层结构示意图；
[0032]图12为本技术实施例中一列产品单元的结构示意图。
[0033]1、框架本体；2、产品单元；21、基岛；211、V槽；222、圆锥槽；22、引脚；221、条形V槽；23、引脚键合区；231、Ni层；232、Pd层；233、Au层； 3、树脂流道；31、通孔。
具体实施方式
[0034]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0035]下面结合附图以及实施例对本技术的原理及结构进行详细说明。
[0036]QFP（Quad Flat Package）为四侧引脚扁平封装，此种封装方式需要用到引线框架，现有技术中引线框架都是由铜片冲压而成，包括多个引线框架单元，引线框架单元之间由连筋连接起来，形成阵列，然后在引线框架上粘接上芯片、键合上丝线，再进行塑封，最后切割分离，得到单颗封装产品。
[0037]如图1、2所示，本技术提出了一种引线框架，固晶基岛21采用downset结构，段差设计为0.17mm。主要包括框架本体1，位于框架本体1上的多个产品单元2，每个产品单元2包括基岛21和位于多个引脚22，具体为正方形的基岛21区域，引脚22位于基岛21的上下左右四个侧边，且基岛21区域的正面和背面都设有多个凹槽，即对基岛21的正反面做粗化处理，具体是在基岛21正面采用V槽211结构粗化，增加固晶焊料与基岛21结合强度，增加固晶可靠性；基岛21反面采用圆锥槽222结构粗化，增加塑封料与基岛21的结合强度，增加塑封体可靠性。
[0038]具体的，如图3至5所示，基岛21正面设置V槽211，即V形槽，在基岛21的正面俯视每一个V槽211呈正方形，V槽211在基岛21的正面呈矩形阵列排布，也可以是圆形阵列，或者其他排布方式，只要是能够对基岛21的正面做粗化处理增加固晶焊料与基岛21结合强度的设计方式，都在本技术的保护范围之内。
[0039]如图6至8所示，基岛21背面设置圆锥槽222，在基岛21的背面俯视每一个圆锥槽222呈圆形，圆锥槽222呈矩形阵列排布，也可以是圆形阵列，或者其他排布方式，只要是能够对基岛21的正面做粗化处理增加塑封料与基岛21的结合强度的设计方式，都在本技术的保护范围之内。
[0040]如图9、10所示，每个引脚22的正面与背面都设有条形V槽221，该条形V槽221与引脚22所在的基岛21的侧边平行，增加引脚22与塑封料的结合强度，防止水汽沿引脚22与塑封料的结合处进入到产品内部，造成产品失效。
[0041]如图2、11所示，基岛21与引脚22之间的键合区域，即引脚键合区23，引脚键合区镀NiPdAu，主体为在框架本体1的Cu层上电镀一层Ni层231，再接着在Ni层231上电镀一层Pd层232，最后在Pd层232上电镀一层Au，以此顺序电镀形成NiPdAu镀层。使得集成电路键合材既可以使用金线也可以使用铜线，防止铜线焊点与卤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，包括框架本体，位于框架本体上的多个产品单元，所述产品单元包括基岛和多个引脚，其特征在于，所述基岛的正面和背面都设有多个凹槽，所述框架本体的树脂流道上设有至少一个通孔，每条所述树脂流道对应5个所述产品单元。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述基岛的正面的凹槽为V槽。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述基岛的正面的凹槽为圆锥槽。4.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述基岛的正面和背面的多个凹槽呈矩形阵列均匀排布。5.如权利要求1所述的引线框架，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵承贤，范庆庆，徐世明，张磊路，张璐璐，陈文曦，
申请(专利权)人：珠海格力新元电子有限公司，
类型：新型
国别省市：