高透可钢双银LOW-E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高透可钢双银LOW

【技术实现步骤摘要】
高透可钢双银LOW
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E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃


[0001]本技术涉及玻璃
，尤其涉及一种高透可钢双银LOW
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E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃。

技术介绍

[0002]玻璃由于其良好的通透性，具有透光，防紫外线及防风雪的功能，成为一种优良的建筑材料被广泛用于建筑上。其中LOW
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E玻璃以其美观大方的颜色、较好的质感以及优良的节能特性，在建筑幕墙领域已受到广泛应用。其中可钢LOW
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E玻璃由于适用于大面积生产，具备目前最高效的生产流程，可以进行后续切、磨、钢、夹等工艺的加工，因此广受关注，成为未来LOW
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E玻璃发展的大趋势。但目前的可钢LOW
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E玻璃还有透过率不足的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提供一种高透可钢双银LOW
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E玻璃、中空玻璃及夹层玻璃，旨在解决现有的可钢LOW
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E玻璃透过率不足的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供一种高透可钢双银LOW
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E玻璃，包括层叠设置的玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层包括依次层叠设置的两层复合层和第三电介质层，所述复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、低辐射功能层、阻挡保护层和晶床介质层；其中，远离所述第三电介质层的所述复合层中，所述第一电介质层与所述玻璃基片层相邻设置；靠近所述第三电介质层的所述复合层中，所述晶床介质层与所述第三电介质层相邻设置，所述第一电介质层为SiNx层，所述第二电介质层为ZnAlOx层，靠近所述玻璃基片层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为10nm～20nm，靠近所述第三电介质层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为65nm～70nm。
[0005]优选地，所述低辐射功能层为Ag层，所述阻挡保护层为NiCr层，所述晶床介质层为AZO层。
[0006]优选地，两层所述复合层分别为第一复合层和第二复合层，所述第一复合层与所述玻璃基片层相邻设置，所述第二复合层与所述第三电介质层相邻设置，所述第二复合层的厚度大于所述第一复合层的厚度。
[0007]优选地，所述第三电介质层为SiNx层。
[0008]优选地，所述镀膜层的厚度140nm～196nm。
[0009]优选地，所述第一复合层的厚度为23nm～47nm，所述第二复合层的厚度为92nm～119nm，所述第三电介质层的厚度为20nm～30nm。
[0010]优选地，所述第一复合层中，所述第二电介质层的厚度为5nm～10nm，所述低辐射功能层的厚度为2nm～4nm，所阻挡保护层的厚度为1nm～3nm，所述晶床介质层的厚度为5nm～10nm。
[0011]优选地，所述第二复合层中，所述第二电介质层的厚度为10nm～15nm，所述低辐射功能层的厚度为14nm～18nm，所述阻挡保护层的厚度为3nm～6nm，所述晶床介质层的厚度
为5nm～10nm。
[0012]本技术还提供一种中空玻璃，所述中空玻璃应用有上述的高透可钢双银LOW
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E玻璃。
[0013]本技术还提供一种夹层玻璃，所述夹层玻璃应用有上述的高透可钢双银LOW
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E玻璃。
[0014]在本技术的技术方案中，通过将高透可钢双银LOW
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E玻璃的第二电介质层设置为ZnAlOx层，ZnAlOx充分氧化后，对光的吸收率更低，从而达到增加高透可钢双银LOW
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E玻璃透过率的效果。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0016]图1为本技术一实施例高透可钢双银LOW
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E玻璃的结构示意图。
[0017]附图标号说明：
[0018][0019][0020]本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0021]下面将结合本实施例中的附图，对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]需要说明，本实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0023]另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0024]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]另外，本技术各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0026]请参阅图1，本技术提供一种高透可钢双银LOW
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E玻璃，包括层叠设置的玻璃基片层10和镀膜层20，所述镀膜层20包括依次层叠设置的两层复合层21和第三电介质层23，所述复合层21包括依次层叠设置的第一电介质层211、第二电介质层212、低辐射功能层213、阻挡保护层214和晶床介质层215；其中，远离所述第三电介质层23的所述复合层21a中，所述第一电介质层211a与所述玻璃基片层10相邻设置；靠近所述第三电介质层的所述复合层21b中，所述晶床介质层215b与所述第三电介质层相邻设置，所述第一电介质层211为SiNx层，所述第二电介质层212为ZnAlOx层。
[0027]可以理解地，高透可钢双银LOW
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E玻璃自上而下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透可钢双银LOW
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E玻璃，其特征在于，包括层叠设置的玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层包括依次层叠设置的两层复合层和第三电介质层，所述复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、低辐射功能层、阻挡保护层和晶床介质层；其中，远离所述第三电介质层的所述复合层中，所述第一电介质层与所述玻璃基片层相邻设置；靠近所述第三电介质层的所述复合层中，所述晶床介质层与所述第三电介质层相邻设置，其中，所述第一电介质层为SiNx层，所述第二电介质层为ZnAlOx层，靠近所述玻璃基片层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为10nm～20nm，靠近所述第三电介质层的复合层中，所述第一电介质层的厚度为65nm～70nm。2.如权利要求1所述的高透可钢双银LOW
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E玻璃，其特征在于，所述低辐射功能层为Ag层，所述阻挡保护层为NiCr层，所述晶床介质层为AZO层。3.如权利要求2所述的高透可钢双银LOW
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E玻璃，其特征在于，两层所述复合层分别为第一复合层和第二复合层，所述第一复合层与所述玻璃基片层相邻设置，所述第二复合层与所述第三电介质层相邻设置，所述第二复合层的厚度大于所述第一复合层的厚度。4.如权利要求3所述的高透可钢双银LOW
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E玻璃，其特征在于，所述第三电介质层为Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳斌，刘自乾，李佐鹏，
申请(专利权)人：湖南旗滨节能玻璃有限公司，
类型：新型
国别省市：