一种低辐射镀膜玻璃制造技术

本发明专利技术公开了一种低辐射镀膜玻璃，低辐射镀膜玻璃从内到外依次包括玻璃基板、第一Si3N4层、ZnO层、银层、Cu

【技术实现步骤摘要】
一种低辐射镀膜玻璃


[0001]本专利技术是关于节能玻璃
，特别是关于一种低辐射镀膜玻璃。

技术介绍

[0002]低辐射玻璃是一种重要的节能环保复合材料。
[0003]现有技术CN109052989B公开了一种茶色基片效果的低辐射镀膜玻璃。该现有技术的主要问题在于其膜层数多，膜层结构复杂，品控难度较高。此外，该现有技术提出的低辐射玻璃由于存在多个Ag层，所以为了保证Ag层不氧化(主要指长期使用过程中不被氧化)，该现有技术要求在Ag层两侧布置较多的阻挡层(该现有技术的电介质层都具有一定的阻挡作用)，较多层数的阻挡层增加了膜层总厚度，这是导致该现有技术光透射率较低的一个原因；此外，较多层数的阻挡层具有不同的折射率，这又将导致光线在传播过程中被复杂散射和折射，导致光透射率降低；最后，各层阻挡层之间存在界面区，界面区折射率与层本体内折射率差别更大，这可能再次导致整个低辐射玻璃的光透射率下降。因此，减小层数是提升光透过率的一个基本方法，然而，减小层数带来的Ag层氧化问题，以及随意变动膜层结果，导致膜层之间折射率失配的问题，都将导致透光率的恶化。该矛盾现有技术尚无法有效解决。
[0004]现有技术CN108516699B提供一种低辐射镀膜玻璃及其制备方法，该现有技术的主要构思在于：功能层为ATO膜或者ATO/Ag复合膜。但是本专利技术的专利技术人经过研究和实验发现，该现有技术的主要问题在于该现有技术要求ATO薄膜厚度在580nm以上，而众所周知的是，应用磁控溅射方法镀敷厚度几个纳米甚至20纳米左右的薄膜是高效且成品率较高的，但是应用磁控溅射方法镀敷500纳米以上的厚膜时，则由于磁控溅射沉积速度较快，工艺可控性相对较差，导致厚膜的制备效果较差、缺陷较多、成品率极难控制。但是随意将ATO薄膜厚度又会导致性能下降，该矛盾现有技术尚无法有效解决。
[0005]公开于该
技术介绍
部分的信息仅用于帮助本领域技术人员理解本专利技术的
技术实现思路
，尤其在
技术介绍
部分陈述的现有技术存在的技术问题并不表明这些技术问题本身已经被本领域技术人员所熟知。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种低辐射镀膜玻璃，其能够克服现有技术的缺陷。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供了一种低辐射镀膜玻璃，低辐射镀膜玻璃从内到外依次包括玻璃基板、第一Si3N4层、ZnO层、银层、Cu
x
O层、第一NiCr层、掺锑二氧化锡层、第二NiCr层以及第二Si3N4层。
[0008]在一优选的实施方式中，第一Si3N4层厚度为10
‑
20nm，ZnO层厚度为5
‑
10nm，银层厚度为2
‑
4nm。
[0009]在一优选的实施方式中，Cu
x
O层厚度为10
‑
15nm，第一NiCr层厚度为2
‑
4nm。
[0010]在一优选的实施方式中，掺锑二氧化锡层厚度为200
‑
300nm，第二NiCr层厚度为2
‑
4nm，第二Si3N4层厚度为10
‑
20nm。
[0011]在一优选的实施方式中，第一Si3N4层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成第一Si3N4层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为Si3N4靶材，溅射功率为90
‑
120W；
[0012]ZnO层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成ZnO层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为ZnO靶材，溅射功率为50
‑
70W；
[0013]银层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成银层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为纯银靶材，溅射功率为30
‑
40W。
[0014]在一优选的实施方式中，Cu
x
O层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成Cu
x
O层的工艺为：溅射气氛为Ar气和氧气的混合气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为5
‑
10sccm，氧气流量为15
‑
25sccm，溅射靶材为纯铜靶材，溅射功率为70
‑
90W；
[0015]第一NiCr层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成第一NiCr层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为NiCr靶材，溅射功率为30
‑
40W。
[0016]在一优选的实施方式中，掺锑二氧化锡层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成掺锑二氧化锡层的工艺为：溅射气氛为溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为掺锑二氧化锡层靶材，其中，锑掺杂量为3
‑
8at％，溅射功率为60
‑
90W。
[0017]在一优选的实施方式中，第二NiCr层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成第二NiCr层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为NiCr靶材，溅射功率为30
‑
40W。
[0018]在一优选的实施方式中，第二Si3N4层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成第二Si3N4层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为Si3N4靶材，溅射功率为90
‑
120W。
[0019]与现有技术相比，本专利技术具有如下优点，针对现有技术的难题，本专利技术希望提出一种膜层层数少、ATO层厚度实质低，但同时保持低辐射率、高红外反射率、高成品率、高透光率的玻璃体系。
附图说明
[0020]图1是现有技术的低辐射玻璃的膜层结构示意图。
[0021]图2是根据本专利技术的一个实施方式的低辐射玻璃的膜层结构示意图。
[0022]图3是根据本专利技术一实施方式的方法流程图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0024]需要说明的是，本申请的基片玻璃可以是任意种类的常用于低辐射玻璃的玻璃，例如钢化玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述低辐射镀膜玻璃从内到外依次包括玻璃基板、第一Si3N4层、ZnO层、银层、Cu
x
O层、第一NiCr层、掺锑二氧化锡层、第二NiCr层以及第二Si3N4层。2.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一Si3N4层厚度为10
‑
20nm，所述ZnO层厚度为5
‑
10nm，所述银层厚度为2
‑
4nm。3.如权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述Cu
x
O层厚度为10
‑
15nm，所述第一NiCr层厚度为2
‑
4nm。4.如权利要求3所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述掺锑二氧化锡层厚度为200
‑
250nm，所述第二NiCr层厚度为2
‑
4nm，所述第二Si3N4层厚度为10
‑
20nm。5.如权利要求4所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一Si3N4层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成所述第一Si3N4层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为Si3N4靶材，溅射功率为90
‑
120W；所述ZnO层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成所述ZnO层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为ZnO靶材，溅射功率为50
‑
70W；所述银层是通过射频磁控溅射方法形成的，形成所述银层的工艺为：溅射气氛为Ar气，溅射气压为1
‑
3Pa，Ar气流量为10
‑
30sccm，溅射靶材为纯银靶材，溅射功率为30
‑
40W。6.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建，刘俊，曾涛，刘海波，何磊，刘文体，
申请(专利权)人：中建材内江玻璃高新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：