一种化学气相沉积机台产能提升方法技术

本发明专利技术提供一种化学气相沉积机台产能提升方法，包括步骤：在所述热盘的中圈和外圈均增加一个片位，并在每个片位上放置待沉积芯片；向所述机台内通入比例为1:2的沉积气体SiH4与N2O；启动所述机台，待所述机台工作完成后，得到沉积有SiO2涂层的芯片。本发明专利技术通过合理利用热盘空间片位排布，在原有热盘中圈和外圈各增加一个片位，提升单热盘的载片量，同时将通入机台内进行反应的沉积气体SiH4与N2O的原1:1比例优化为1:2，从而使机台沉积的SiO2涂层膜厚均匀性较佳，即在保证沉积膜层均匀性的同时提升整体机台的产能。同时提升整体机台的产能。同时提升整体机台的产能。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积机台产能提升方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，尤其是涉及一种化学气相沉积机台产能提升方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。
[0003]目前市场上常见的化学气相沉积机台，载片量较少(例如19片盘机)。随着LED等半导体行业对沉积涂层膜质的要求越来越高，沉积工艺复杂程度也随之提升，沉积机台的沉积时长也普遍较长，从而导致机台内单个热盘沉积的产能不足，对生产成本造成了较大的压力。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种化学气相沉积机台产能提升方法，保证沉积膜层均匀性的同时提升整体机台的产能。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种化学气相沉积机台产能提升方法，包括步骤：
[0007]S1、在每个热盘的中圈和外圈均增加一个片位，并在每个片位上放置待沉积芯片；
[0008]S2、向所述机台内通入比例为1:2的沉积气体SiH4与N2O；
[0009]S3、启动所述机台，待所述机台工作完成后，得到沉积有SiO2涂层的芯片。
[0010]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供一种化学气相沉积机台产能提升方法，通过合理利用热盘空间片位排布，在原有热盘的中圈和外圈各增加一个片位，提升单个热盘的载片量，同时将通入机台内进行反应的沉积气体SiH4与N2O的原1:1比例优化为1:2，从而使机台沉积的SiO2涂层膜厚均匀性较佳，即在保证沉积膜层均匀性的同时提升整体机台的产能。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例的一种化学气相沉积机台产能提升方法中光刻工艺的流程图；
[0012]图2为现有化学气相沉积机台中的单热盘结构；
[0013]图3为本专利技术实施例的一种单热盘结构。
具体实施方式
[0014]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0015]请参照图1及图3，一种化学气相沉积机台产能提升方法，包括步骤：
[0016]S1、在每个热盘的中圈和外圈均增加一个片位，并在每个片位上放置待沉积芯片；
[0017]S2、向所述机台内通入比例为1:2的沉积气体SiH4与N2O；
[0018]S3、启动所述机台，待所述机台工作完成后，得到沉积有SiO2涂层的芯片。
[0019]由上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：通过合理利用热盘空间片位排布，在原有热盘的中圈和外圈各增加一个片位，提升单个热盘的载片量，同时将通入机台内进行反应的沉积气体SiH4与N2O的原1:1比例优化为1:2，从而使机台沉积的SiO2涂层膜厚均匀性较佳，即在保证沉积膜层均匀性的同时提升整体机台的产能。
[0020]进一步地，所述步骤S3中启动所述机台后，还包括：
[0021]控制所述热盘的温度为250～300℃。
[0022]由上述描述可知，控制热盘的工作温度为250～300℃，能进一步提升沉积在芯片上的SiO2涂层的均匀性。
[0023]进一步地，所述步骤S3中启动所述机台后，还包括：
[0024]控制所述机台内的腔压为80～100Pa。
[0025]由上述描述可知，控制机台工作时内部的腔压为80～100Pa，以进一步提升SiO2涂层的质量和均匀性。
[0026]进一步地，所述步骤S3中启动所述机台后，还包括：
[0027]向所述机台内通入惰性气体N2。
[0028]由上述描述可知，在沉积工作过程中向机台内通入惰性气体，可以增加机台腔体内的气体流动性，确保沉积气体SiH4与N2O的反应完全，也进一步提升了后续芯片上沉积的SiO2涂层的均匀性。
[0029]进一步地，所述步骤S3具体为：
[0030]启动所述机台，并启动真空泵将SiH4和N2O发生化学反应生成的N2和H2气体实时抽出到所述机台外，待所述机台工作完成，得到沉积有SiO2涂层的芯片。
[0031]由上述描述可知，1:2比例的SiH4和N2O在机台内发生化学反应时，会生成两份的N2、两份的H2和一份的SiO2，通过真空泵实时将N2和H2抽出，保证腔体内的SiO2能够更好地沉积在带沉积芯片上形成涂层。
[0032]本专利技术提供的一种化学气相沉积机台产能提升方法，用于提升化学气相沉积机台的产能和沉积膜层的均匀性，以下结合实施例具体说明。
[0033]请参照图1至图3，本专利技术的实施例一为：
[0034]一种化学气相沉积机台产能提升方法，如图1所示，包括步骤：
[0035]S1、在每个热盘的中圈和外圈均增加一个片位，并在每个片位上放置待沉积芯片。
[0036]如图2所示，现有常用化学气相沉积机台的单个热盘上共有内圈、中圈和外圈的三圈载片位，其中内圈为1个片位，中圈为6个片位，外圈为12个片位。在本实施例中，保持机台上原热盘直径尺寸不变，对原热盘进行改造，如图3所示，将中圈的6个片位增加为7个片位，将外圈的12个片位增加为13个片位，从而整体单个热盘由原先的19个片位增加到了21个片位，即由原先的19片盘改造为了21片盘。
[0037]S2、向机台内通入比例为1:2的沉积气体SiH4与N2O。
[0038]S3、启动机台，待机台工作完成后，得到沉积有SiO2涂层的芯片。
[0039]在本实施例中，启动机台后，机台内的SiH4和N2O会发生化学反应，其反应方程式如下：
[0040][0041]可知，1:2比例的SiH4和N2O在机台内发生化学反应时，会生成两份的N2、两份的H2和一份的SiO2，而N2和H2为气体，若是一直存在于机台内会对SiO2的沉积均匀性造成影响，因此在本实施例中，启动机台的同时，还需要启动真空泵将N2和H2气体及时抽出到机台外，待机台工作完成，即得到沉积有SiO2涂层的芯片。
[0042]即在本实施例中，通过合理利用热盘空间片位排布，在原有热盘的中圈和外圈各增加一个片位，提升单个热盘的载片量，同时将通入机台内进行反应的沉积气体SiH4与N2O的原1:1比例优化为1:2，从而使机台沉积的SiO2涂层膜厚均匀性较佳，即在保证沉积膜层均匀性的同时提升整体机台的产能。
[0043]本专利技术的实施例二为：
[0044]一种化学气相沉积机台产能提升方法，在上述实施例一的基础上，在本实施例中，步骤S3中启动机台后，还包括：
[0045]控制热盘的温度为250～300℃。
[0046]即在本实施例中，控制热盘的工作温度为250～300℃，能进一步提升沉积在芯片上的SiO2涂层的均匀性。
[0047]同时，在本实施例中，步骤S3中启动机台后，还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积机台产能提升方法，其特征在于，包括步骤：S1、在每个热盘的中圈和外圈均增加一个片位，并在每个片位上放置待沉积芯片；S2、向所述机台内通入比例为1:2的沉积气体SiH4与N2O；S3、启动所述机台，待所述机台工作完成后，得到沉积有SiO2涂层的芯片。2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积机台产能提升方法，其特征在于，所述步骤S3中启动所述机台后，还包括：控制所述热盘的温度为250～300℃。3.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积机台产能提升方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文浩，李刚，林武，刘莹，张建，尚大可，胡宇翔，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：