MOCVD盘支撑工装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOCVD盘支撑工装，其包括至少一层支撑架，支撑架包括N根呈正N边形状布置的立柱；各立柱上均设有一水平的连杆，各连杆一端可拆卸地连接在立柱上，另一端可拆卸地连接至处于正N边形几何中心的连接件上；各连杆将N边形区域划分为N个相等的三角区，N个三角区中设有M个互相间隔的装盘区；各装盘区由中心向外侧均设有与两连杆相连的一短支杆与一长支杆；长支杆上设有两支撑件，短支杆上设有一支撑件，三支撑件提供三个支撑点形成三角结构以支撑待加工基片；其中N为正偶数且N≥4，M＝N/2。本实用新型专利技术的MOCVD盘支撑工装利用化学气相沉积炉内筒有效空间尺寸为边界设计，使得在有效空间内放置更多数量的基片。片。片。

【技术实现步骤摘要】
MOCVD盘支撑工装


[0001]本技术属于MOCVD设备领域，尤其涉及一种MOCVD盘支撑工装。

技术介绍

[0002]金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一种利用气相反应物，在基材表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。随着半导体产业的发展，各类大型半导体衬底基片应运而生，配套用于表面化学气相沉积的工装设计，创新要求越来越高。
[0003]生产时将待涂衬底基片通过支撑工装的支承放置于化学气相沉积反应炉内，气体反应在待涂的衬底基片表面沉积形成涂层，所以对于涂层基片生产的质量和数量而言，合适的支撑工装设计显得尤为重要。而现有的支撑放置基片的工装只能支撑放置单片基片，且现有的支撑放置基片的工装存在由于影响气流流向造成其两面沉积不均匀的问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种MOCVD盘支撑工装，旨在解决现有的工装存在的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供的MOCVD盘支撑工装，包括至少一层支撑架，所述支撑架包括N根呈正N边形状布置的立柱；各所述立柱上均设有一水平的连杆，各所述连杆一端可拆卸地连接在所述立柱上，另一端可拆卸地连接至处于所述正N边形几何中心的连接件上；各所述连杆将N边形区域划分为N个相等的三角区，N个所述三角区中设有M个互相间隔设置的装盘区；各所述装盘区由所述中心向外侧均设有与两所述连杆相连的一短支杆与一长支杆；所述长支杆上设有两支撑件，所述短支杆上设有一支撑件，三所述支撑件提供三个支撑点形成三角结构以支撑待加工基片；其中N为正偶数且N≥4，M＝N/2。
[0006]进一步地，本技术的支撑工装包括多层所述支撑架，上下相邻的两所述立柱可拆卸拼接，拼接后相邻两层支撑架中的所述装盘区交错分布。
[0007]进一步地，各所述立柱的首、尾两端均设有螺纹盲孔，借助螺柱与所述螺纹盲孔的配合，上下相邻的两所述立柱可拆卸地连接。
[0008]进一步地，上下相邻的两所述立柱之间还连接有至少一个中间柱，所述中间柱的首、尾两端也均设有螺纹盲孔，借助螺柱与所述螺纹盲孔的配合，所述中间柱可拆卸地连接于两所述立柱之间。
[0009]进一步地，所述连接件为星型连接件，所述星型连接件包括N个连接分支，每个所述连接分支上设有连接螺孔，借助螺栓与螺孔的配合，所述连杆可拆卸地与相应的连接分支连接。
[0010]进一步地，本技术的支撑工装包括双层所述支撑架，每层所述支撑架包括六根所述立柱，六根所述立柱呈正六边形状布置，各所述连杆将六边形区域划分为六个相等的三角区，六个所述三角区中设有三个互相间隔设置的装盘区。
[0011]进一步地，所述立柱的侧壁上设有三角形安装孔，所述连杆为三棱柱杆件，所述连杆通过所述三角形安装孔插接在所述立柱上。
[0012]进一步地，所述支撑件为针状结构，其包括呈柱状的下半部以及呈圆锥状的上半部；所述支撑件的下半部插接在所述长支杆或短支杆的销孔上。
[0013]进一步地，所述立柱、连杆、长支杆、短支杆、支撑件、中间柱均为采用等静压石墨材料制成的部件。
[0014]进一步地，所述螺栓、螺柱、星型连接件均为采用碳碳复合材料制成的部件。
[0015]本技术的一种MOCVD盘支撑工装采用了正多边形的框架结构，充分利用化学气相沉积炉内筒有效空间尺寸为边界设计，使得在有效空间内放置更多数量的基片；并且通过对装盘区的间隔设置，且仅以三个支撑点对待加工基片进行支撑，可以保证各基片加工时周围的气场均匀性。采用本技术的支撑工装对化学气相沉积炉中的基片进行加工可大大提高加工效率且改善加工质量。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术MOCVD盘支撑工装一实施例的立体图；
[0018]图2为图1所示MOCVD盘支撑工装的俯视图；
[0019]图3为图1所示MOCVD盘支撑工装的使用状态图；
[0020]图4为图1所示MOCVD盘支撑工装中立柱与中间柱的装配示意图；
[0021]图5为图1所示MOCVD盘支撑工装中连杆与连接件的装配示意图；
[0022]图6为图1所示MOCVD盘支撑工装中支撑件与长支杆的装配示意图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「中心」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。此外，在附图中，结构相似或相同的结构是以相同标号表示。
[0025]参阅图1至图3，其展示了本技术MOCVD盘支撑工装一实施例的整体结构及其使用状态。如图所示，本技术的MOCVD盘支撑工装包括至少一层支撑架，所述支撑架包括N根呈正N边形状布置的立柱110；各所述立柱上均设有一水平的连杆120，各所述连杆120一端可拆卸地连接在所述立柱110上，另一端可拆卸地连接至处于N边形几何中心的连接件100上，从而形成一个星型支撑架；一般的化学气相沉积炉为圆柱体结构，该正N边形结构能够最大程度的利用其炉内的空间。此外，各所述连杆120将N边形内区域划分为N个相等的三角区，N个所述三角区中有M个相间隔的装盘区150；在本实施例中，N＝6，M＝N/2＝3，即所述
立柱呈正六边形状分布设置，且所述连杆120将正六边形区域划分呈六个三角区，其中设置了三个相间隔的装盘区150；需要理解的是，N的取值还可以为4或8、10等其他正偶数，可根据实际的基片大小或炉内空间等大小进行设置。
[0026]进一步地，各所述装盘区150由所述中心向外侧均设有与两所述连杆110相连的一短支杆140与一长支杆130；所述长支杆130上设有两支撑件131，所述短支杆140上设有一支撑件131，三所述支撑件131提供三个支撑点形成三角结构用于稳固支撑基片。具体地，所述短支杆140设于靠近星型支撑架的中心位置，所述短支杆140的两端架设于两连杆120上且与连杆120固定连接，短支杆140的中间位置设有所述支撑件131。所述长支杆130设于靠近立柱110的位置处，所述长支杆130的两端架设于两连杆120上且与连杆120固定连接，长支杆130的两所述支撑件131间隔设置，且与短支杆140上的支撑件131三者的连线大致呈等边三角形。优选地，所述支撑件131为针状结构，其包括呈圆锥本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD盘支撑工装，其特征在于：包括至少一层支撑架，所述支撑架包括N根呈正N边形状布置的立柱；各所述立柱上均设有一水平的连杆，各所述连杆一端可拆卸地连接在所述立柱上，另一端可拆卸地连接至处于所述正N边形几何中心的连接件上；各所述连杆将N边形区域划分为N个相等的三角区，N个所述三角区中设有M个互相间隔设置的装盘区；各所述装盘区由所述中心向外侧均设有与两所述连杆相连的一短支杆与一长支杆；所述长支杆上设有两支撑件，所述短支杆上设有一支撑件，三所述支撑件提供三个支撑点形成三角结构以支撑待加工基片；其中N为正偶数且N≥4，M＝N/2。2.根据权利要求1所述的MOCVD盘支撑工装，其特征在于：包括多层所述支撑架，上下相邻的两所述立柱可拆卸拼接，拼接后相邻两层支撑架中的所述装盘区交错分布。3.根据权利要求2所述的MOCVD盘支撑工装，其特征在于：各所述立柱的首、尾两端均设有螺纹盲孔，借助螺柱与所述螺纹盲孔的配合，上下相邻的两所述立柱可拆卸地连接。4.根据权利要求3所述的MOCVD盘支撑工装，其特征在于：上下相邻的两所述立柱之间还连接有至少一个中间柱，所述中间柱的首、尾两端也均设有螺纹盲孔，借助螺柱与所述螺纹盲孔的配合，所述中间柱可拆卸地连接于两...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建中，鞠德胜，万荣群，
申请(专利权)人：无锡海飞凌半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：