【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于排放晶片边缘气体的流动路径的排除环
相关引用
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]在半导体制造中，利用沉积处理产生介电(绝缘性)和金属(传导性)材料的层。举例而言，化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)用于沉积例如钨的金属，以形成传导性特征部，例如芯片上的触点、通孔和柱塞。
[0003]在一些半导体制造处理中，可使用与半导体晶片的外部边缘重叠的排除环来使可能在如此处理期间出现的边缘不均匀性减少或减至最少。
技术实现思路
[0004]本说明书中所述主题的一或更多实施方案的细节在附图和以下说明中提出。其他特征、方面和优点将根据说明、附图和权利要求变得显而易见。
[0005]在一些实施方案中，提供了一种用于处理半导体晶片的排除环，所述排除环包含外周段，其具有顶表面和底表面，其中所述外周段的顶表面与所述外周段的底表面之间的距离限定所述排除...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理半导体晶片的排除环，所述排除环包含：外周段，其具有顶表面和底表面，其中所述外周段的顶表面与所述外周段的底表面之间的距离限定所述排除环的第一厚度；内周段，其具有顶表面和底表面；以及一个或更多个过渡表面，其横跨在所述外周段的底表面与所述内周段的底表面之间，其中：所述内周段的顶表面与所述内周段的底表面之间的距离限定所述排除环的第二厚度；所述排除环的所述第一厚度大于所述排除环的所述第二厚度；且多个流动路径形成于所述外周段内，其中:所述多个流动路径中的每个流动路径从所述一或更多过渡表面延伸、穿过所述排除环的所述外周段、且到达所述排除环的外周，且所述多个流动路径沿着所述排除环的所述外周段的周缘彼此分隔开。2.根据权利要求1所述的排除环，其还包含：多个耳部，其中所述耳部中的每一个从所述排除环的所述外周段延伸，且具有顶表面和底表面；和多个指部，其中所述指部中的每一个附接至所述耳部中的相应的一个。3.根据权利要求2所述的排除环，其中所述多个耳部包含围绕所述排除环的所述外周段基本上均匀分隔开的三个耳部，且其中所述多个流动路径包含所述三个耳部中的每一个之间的一定数量的流动路径，且所述流动路径的数量在三个至十六个的范围内。4.根据权利要求3所述的排除环，其中相同数量的流动路径通过所述三个耳部中的每一个之间的所述外周段。5.根据权利要求4所述的排除环，其中七个至十四个流动路径穿过所述三个耳部中的每一个之间的所述外周段形成。6.根据权利要求3所述的排除环，其中邻近所述三个耳部中的每一个的流动路径的尺寸被设定为大于不邻近所述三个耳部中的任何一个的流动路径。7.根据权利要求3所述的排除环，其中：所述内周段具有围绕中心轴线呈轴对称的最内边缘，且第一参考平面中的所述流动路径的总横截面积在总环底表面面积的约16％至约20％的范围内，所述第一参考平面垂直于所述中心轴线且插入所述内周段的底表面与所述外周段的底表面之间，所述总环底表面面积被定义为介于所述排除环的所述外周与内接所述一或更多过渡表面的参考圆之间。8.根据权利要求7所述的排除环，其中所述第一参考平面中的所述流动路径的所述总横截面积在所述总环底表面面积的约23％至约28％的范围内。9.根据权利要求7所述的排除环，其中所述第一参考平面中的所述流动路径的所述总横截面积在所述总环底表面面积的约35％至约43％的范围内。10.根据权利要求1至9中任一项所述的排除环，其中所述流动路径中的每一个选自：a)所述外周段的底表面中的通道和b)穿过所述外周段的封闭式通道。
11.一种排除环，其包含：内周部；和外周部，其与所述内周部整合，其中：所述外周部具有一第一厚度，所述第一厚度大于所述内周部的第二厚度，其中当安装于等离子体处理工具中时，所述外周部的底表面被配置成设置在基座上方，当所述外周部的底表面设置在所述等离子体处理工具的所述基座上方时，所述内周部被配置成与所述基座分隔，由此限定所...
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