一种石墨舟片及石墨舟，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔，所述通孔的宽度≤16mm，由此，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展，更突显了镀膜均匀性和质量的重要性，为高效大硅片电池的发展铺平道路。发展铺平道路。发展铺平道路。
【技术实现步骤摘要】
石墨舟片及石墨舟
[0001]本技术涉及一种用于双面镀膜的石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟，属于太阳能电池镀膜
技术介绍
[0002]随着太阳能发电的普及，相关的光伏产品需求量越来越大，因此对光伏设备的要求越来越高，不仅要增加产能，而且需要更好的控制质量，管式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)和管式PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)设备是太阳能电池片生产中重要的设备，主要是完成硅片表面的镀膜。
[0003]在新型N型硅片上镀膜需要硅片上产生均匀的电场，传统的镂空石墨舟片因镂空面积较大，电流存在差异导致镂空位置镀膜偏薄；使用传统的实心石墨舟，重量增加60％以上石墨舟载具存在载重上限，对载具的考验较大，且实心石墨舟片在加热状态下整体的变形比较严重，对电池片整体镀膜影响较大且存在背面绕镀问题。同时，目前光伏行业往大硅片的方向发展，如何解决大硅片上镀膜均匀性和质量的问题变的尤为重要和迫在眉睫。
[0004]因此，亟需一种新的石墨舟片结构以解决上述技术问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种能够有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题的石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟。
[0006]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔，所述通孔的宽度≤16mm。
[0007]作为本技术进一步改进的技术方案，多个所述通孔相互平行。
[0008]作为本技术进一步改进的技术方案，所述石墨舟片的正反面还设有从所述通孔末端向外侧延伸的导气凹槽。
[0009]作为本技术进一步改进的技术方案，所述石墨舟片的正反面还设有方形凹槽，所述通孔位于所述方形凹槽所在区域。
[0010]作为本技术进一步改进的技术方案，所述石墨舟片还设有自所述方形凹槽向外侧延伸的导气凹槽。
[0011]作为本技术进一步改进的技术方案，所述方形凹槽的深度为0.3
‑
1.0mm。
[0012]作为本技术进一步改进的技术方案，所述导气凹槽和所述方形凹槽的深度相同。
[0013]作为本技术进一步改进的技术方案，所述通孔方向与所述石墨舟片底边夹角为3
°
。
[0014]作为本技术进一步改进的技术方案，所述通孔和卡点的距离≥15mm。
[0015]本技术还采用如下技术方案：一种石墨舟，其包括内片和外片，所述内片采用
权利要求1
‑
10中其中一项所述的石墨舟片，所述石墨舟片的边长≤230mm。
[0016]相较于现有技术，本技术石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟的硅片覆盖区设有多个通孔，所述通孔的宽度≤16mm，通孔1用于防止出现电场不均匀现象，由此设计，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展，更突显了镀膜均匀性和质量的重要性，为高效大硅片电池的发展铺平道路。
附图说明
[0017]图1是本技术实施1的石墨舟片的平面示意图。
[0018]图2是本技术实施2的石墨舟片的平面示意图。
[0019]图3是本技术实施3的石墨舟片的平面示意图。
[0020]图4是本技术实施4的石墨舟片的平面示意图。
[0021]图5是本技术石墨舟的立体示意图。
具体实施方式
[0022]请参阅图1所示，本技术实施1公开一种石墨舟片10，设置有硅片覆盖区，待镀膜的硅片固定在石墨舟片10的硅片覆盖区，在对硅片进行镀膜时，可同时对硅片的双面进行镀膜，得到双模镀膜的硅片。
[0023]该石墨舟片10设有相互平行的多个长条形通孔11，通孔11等间距排列于硅片覆盖区。通孔11用于防止出现电场不均匀现象，通孔11的宽度≤16mm；通过控制卡点15距离通孔11≥15mm，分别可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题。如此设计，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池背面镀氧化硅的质量问题。通孔11方向与底边夹角为3
°
，经试验验证，该角度从0
°
到180
°
均能达到解决电场不均匀现象以及背面绕镀问题。
[0024]请参阅图2所示，本技术实施2公开一种石墨舟片20，其设有相互平行的多个长条形通孔21及从各个通孔21末端向外侧延伸的导气凹槽22，通孔21与实施例1中的通孔21相同，通孔21等间距排列于硅片覆盖区。通孔21用于防止出现电场不均匀现象，通孔21的宽度≤16mm，石墨舟片20的正反面上都设有导气凹槽22，导气凹槽22用于将通孔21位置的特气导出，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题。如此设计，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池背面镀氧化硅的质量问题。通孔21方向与底边夹角为3
°
，经试验验证，该角度从0
°
到180
°
均能达到解决电场不均匀现象以及背面绕镀问题。
[0025]请参阅图3所示，本技术实施3公开一种石墨舟片30，该石墨舟片30在硅片覆盖区设置相互平行的多个长条形通孔31和方形凹槽33，通孔31的宽度≤16mm，不再出现电场不均匀现象。通孔31与实施例1的通孔11相同，通孔31位于方形凹槽33所在区域，石墨舟
片30的正反面分别设有方形凹槽33，方形凹槽33的深度为0.3
‑
1.0mm，由此，可使硅片与石墨舟片30贴合更加紧密，同时产生更均匀的电场，也可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，如此设计，也解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。通孔31方向与底边夹角为3
°
，经试验验证，该角度从0
°
到180
°
均能达到解决电场不均匀现象以及背面绕镀问题。
[0026]请参阅图4所示，本技术实施4公开了一种石墨舟片40，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，其特征在于：所述硅片覆盖区设有多个等间距排列的长条形通孔以及自所述通孔末端向外延伸的导气凹槽，所述通孔的宽度≤16mm。2.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：多个所述通孔相互平行。3.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：所述石墨舟片的正反面还均设有所述导气凹槽。4.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：所述石墨舟片的正反面还设有方形凹槽，所述通孔位于所述方形凹槽所在区域。5.根据权利要求4所述的石墨舟片，其特征在于：所述石墨舟片还设有自所述方形凹槽向外侧延伸的导气凹槽。6.根据权利要求4或5...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖宝臣，姜闯，左敏，杨柳，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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