阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板技术

本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板，涉及液晶显示技术领域，其中，该方法包括：先在衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层，然后在第二金属层上形成光刻胶层，对第二金属层、欧姆接触层和有源层依次进行第一次湿法刻蚀、第一次干法刻蚀、第二次湿法刻蚀和第二次干法刻蚀，形成沟道区，最后去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层，在钝化层上形成像素电极层，其中，在进行目标干法刻蚀前，采用三氟化氮与氧气的混合气体对所述光刻胶层进行预处理，目标干法刻蚀包括第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀。本申请提供的技术方案能够减少阵列基板的铜工艺制作工程中产生的金属硫化物残留。物残留。物残留。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板


[0001]本申请涉及液晶显示
，尤其涉及阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]随着液晶显示技术的不断成熟，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT
‑
LCD)广泛应用于各个领域，其中，阵列基板作为像素的开关，控制着液晶的旋转使得液晶显示器呈现不同的色彩，为了追求更高刷新率，阵列基板的制作过程会用到铜工艺。
[0003]阵列基板的铜工艺制作过程中，先采用半色调光罩(Half
‑
Tone Mask，HTM)曝光工艺，然后采用2W2D蚀刻工艺对沉积后的绝缘层和金属层进行刻蚀，其中，HTM曝光工艺，会使得阵列基板沟道区的光刻胶(Photoresist，PR)残留厚度不易控制。
[0004]如果PR残留厚度过薄，会造成在后续进行刻蚀时产生金属硫化物残留，导致进一步产生欧姆接触层的残留，造成局部短路，影响TFT
‑
LCD的显示性能。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板，以减少阵列基板的铜工艺制作过程中产生的金属硫化物残留，提高TFT
‑
LCD的显示性能。
[0006]为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，包括：
[0007]在衬底基板上形成第一金属层；
[0008]在所述第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；
[0009]在所述第二金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的光刻胶层厚度小于所述第二区域的光刻胶层厚度；
[0010]以所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除所述第二金属层两侧的区域；
[0011]采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第一区域的光刻胶层；
[0012]对所述有源层和所述欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除所述有源层和所述欧姆接触层两侧未被所述光刻胶层覆盖的区域；
[0013]以所述第二区域的光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除所述第二金属层未被所述光刻胶层覆盖的区域；
[0014]采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第二区域的光刻胶层；
[0015]对所述欧姆接触层进行所述第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；
[0016]去除所述光刻胶层，在所述第二金属层上形成钝化层；
[0017]在所述钝化层上形成像素电极层。
[0018]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一次干法刻蚀和所述第二次干法
刻蚀采用的气体均为三氟化氮与氯气的混合气体。
[0019]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述在衬底基板上形成第一金属层，包括：
[0020]在所述衬底基板上设置第一金属；
[0021]在所述第一金属的第三区域设置保护层，所述第三区域为所述第一金属的中间区域；
[0022]对所述第一金属进行湿法刻蚀，去除未被所述保护层覆盖的第一金属；
[0023]去除所述保护层，所述保护层覆盖的第一金属为所述第一金属层。
[0024]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层为栅极层，所述第二金属层为漏源金属层。
[0025]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层和所述第二金属层的材质包括铝、钼、铜和银中的至少一种。
[0026]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述欧姆接触层的材质为三氢化磷掺杂的氢化非晶硅。
[0027]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层、所述第二金属层和所述像素电极层均采用溅射工艺形成。
[0028]作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一绝缘层、所述有源层、所述欧姆接触层、所述光刻胶层和所述钝化层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
[0029]第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板是基于上述第一方面或第一方面任一项所述的方法制备的。
[0030]第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括上述第二方面所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
[0031]本申请实施例提供的阵列基板制备方案，包括在衬底基板上形成第一金属层；在第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；在第二金属层上形成光刻胶层，光刻胶层包括第一区域和第二区域，第一区域的光刻胶层厚度小于第二区域的光刻胶层厚度；以光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除第二金属层两侧的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第一区域的光刻胶层；对有源层和欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除有源层和欧姆接触层两侧未被光刻胶层覆盖的区域；以第二区域的光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除第二金属层未被光刻胶层覆盖的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第二区域的光刻胶层；对欧姆接触层进行第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极层。本申请实施例提供的阵列基板制备方案，在第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀前采用三氟化氮与氧气的混合气体去除残留的光刻胶，这样就可以减少阵列基板的铜工艺制作过程中产生的金属硫化物残留，从而进一步减少欧姆接触层的残留，减小因为残留物产生的局部短路的风险，提高TFT
‑
LCD的显示性能。
附图说明
[0032]图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图；
[0033]图2
‑
a到图2
‑
f到为图1中步骤S140到S190的流程结构示意图；
[0034]图3为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0035]图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
[0036]附图标记说明：
[0037]1‑
衬底基板；
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第一金属层；
[0038]3‑
第一绝缘层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4‑
有源层；
[0039]5‑
欧姆接触层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ6‑
第二金属层；
[0040]7‑
光刻胶层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ8‑
钝化层；
[0041]9‑
像素电极层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10
‑
阵列基板；
[0042]11
‑
彩膜基板；
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12<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；在所述第二金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的光刻胶层厚度小于所述第二区域的光刻胶层厚度；以所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除所述第二金属层两侧的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第一区域的光刻胶层；对所述有源层和所述欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除所述有源层和所述欧姆接触层两侧未被所述光刻胶层覆盖的区域；以所述第二区域的光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除所述第二金属层未被所述光刻胶层覆盖的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第二区域的光刻胶层；对所述欧姆接触层进行所述第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；去除所述光刻胶层，在所述第二金属层上形成钝化层；在所述钝化层上形成像素电极层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀和所述第二次干法刻蚀采用的气体均为三氟化氮与氯气的混合气体。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一金属层，包括：在所述衬底基板上设置第一金属；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍万飞，李宁宁，吴文兵，詹仁宏，卓恩宗，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：