显示基板及其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种显示基板及其制作方法及显示装置，显示基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、第一层间介质层和第三栅绝缘层；在第一有源层的上方形成过孔，其中过孔贯穿第三栅绝缘层且延伸至第一有源层；沉积金属氧化物层，其中金属氧化物层覆盖位于过孔位置的第一有源层；进行高温退火，改善第一有源层的亚阈值摆幅；对金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。本申请省去了刻蚀工艺制程，基本避免了因刻蚀所导致的低工艺稳定性及产品显示不良的问题。导致的低工艺稳定性及产品显示不良的问题。导致的低工艺稳定性及产品显示不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法及显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板中应用的半导体类型主要有LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)、LTPS(Low Temperature Poly
‑
silicon，低温多晶硅)和Oxide(氧化物)三种类型。其中，LTPO半导体将LTPS半导体和Oxide半导体融合在一起，既兼具LTPS半导体的优势，具有迁移率高、充电快的优势，又兼具Oxide的优势，具有低漏电流、低功耗的优势。因此，使用LTPO半导体的OLED显示面板成为行业中的主流发展趋势。
[0003]LTPO半导体的工艺制程中包含LTPS TFT和Oxide TFT制作。其中，根据膜层结构不同，Oxide TFT可细分为Top Gate、BCE和EXL三种结构。目前，Top Gate结构的LTPO半导体(可称为LTPO Oxide TOP Gate结构)为主流发展结构，但相较于BCE结构的LTPO半导体(可称为LTPO Oxide BCE结构)，其工艺制程复杂，工艺成本高。而BCE结构的LTPO半导体，其工艺稳定性较差，成为制约其发展的主要因素。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种显示基板及其制作方法及显示装置，以提高现有LTPO Oxide BCE结构的显示基板的工艺稳定性。
[0005]根据本申请实施例第一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括步骤：
[0006]提供衬底基板；
[0007]在所述衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、第一层间介质层和第三栅绝缘层；
[0008]在所述第一有源层的上方形成过孔，其中所述过孔贯穿所述第三栅绝缘层且延伸至所述第一有源层；
[0009]沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层覆盖位于所述过孔位置的所述第一有源层；
[0010]进行高温退火，改善所述第一有源层的亚阈值摆幅；
[0011]对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。
[0012]在一个实施例中，沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层，具体包括步骤：
[0013]在所述第三栅绝缘层的表面及所述过孔的孔底和孔壁均沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层。
[0014]在一个实施例中，对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层，具体包括步骤：
[0015]刻蚀掉所述过孔中的所述金属氧化物层，并对所述第三栅绝缘层表面的所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。
[0016]在一个实施例中，对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层，具体包括步骤：
[0017]保留所述过孔中的所述金属氧化物层，并对所述第三绝缘层表面的所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。
[0018]在一个实施例中，形成第二有源层后，进一步形成第一源极和第一漏极，具体包括步骤：
[0019]在所述过孔中的所述金属氧化物层上、所述第三绝缘层上和所述第二有源层上沉积金属层；
[0020]对所述金属层进行图案化，形成所述第一源极和所述第一漏极。
[0021]在一个实施例中，所述过孔中的所述金属氧化物层延伸至所述第三绝缘层的表面。
[0022]在一个实施例中，所述金属氧化物层的材质为IGZO、IZO或GZO。
[0023]在一个实施例中，所述第三栅绝缘层的材质为SiO。
[0024]根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板为根据上述任一所述的制作方法制作的显示基板。
[0025]根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括根据上述任一所述的制作方法制作的显示基板。
[0026]本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0027]通过本申请的方法制作显示基板时，在进行高温退火之前，用金属氧化物层覆盖裸露的第一有源层。这样，高温退火时，第一有源层表面不会形成氧化层，使得高温退火后，不需再通过刻蚀去除第一有源层表面的氧化层，即省去了刻蚀工艺制程，从而基本避免了因刻蚀所导致的第三栅绝缘层的缺陷，进而基本避免了因刻蚀所导致的低工艺稳定性及产品显示不良的问题。而且省去了刻蚀工艺制程，也有效的降低了工艺成本。
[0028]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0029]图1a
‑
图1d是现有技术实施例提供的显示基板的膜层制作流程图；
[0030]图2是第三栅绝缘层在第二栅极倒角处发生缺陷的缺陷示意图；
[0031]图3是刻蚀前第三栅绝缘层的表面形貌；
[0032]图4是刻蚀前第三栅绝缘层的截面形貌；
[0033]图5是刻蚀后第三栅绝缘层的表面形貌；
[0034]图6是刻蚀后第三栅绝缘层的截面形貌；
[0035]图7是本申请实施例提供的显示基板的步骤流程图；
[0036]图8a
‑
图8c是本申请实施例提供的显示基板的膜层制作流程图；
[0037]图9是本申请实施例提供的显示基板的另一种结构示意图；
[0038]图10是本申请实施例提供的显示基板的另一种步骤流程图。
[0039]附图中各标记为：
[0040]第一有源层
‑1’
；第一栅绝缘层
‑2’
；第一栅极
‑3’
；第二栅绝缘层
‑4’
；第二栅极
‑
5
’
；第一层间介质层
‑6’
；第三栅绝缘层
‑7’
；第二有源层
‑8’
；第一源极
‑9’
；第一漏极
‑
10
’
；过孔
‑
11
’
；
[0041]第一有源层
‑
1；第一栅绝缘层
‑
2；第一栅极
‑
3；第二栅绝缘层
‑
4；第二栅极
‑
5；第一层间介质层
‑
6；第三栅绝缘层
‑
7；金属氧化物层
‑
8；第二有源层
‑
81；过孔
‑
9；第一缓冲层
‑
10。
具体实施方式
[0042]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、第一层间介质层和第三栅绝缘层；在所述第一有源层的上方形成过孔，其中所述过孔贯穿所述第三栅绝缘层且延伸至所述第一有源层；沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层，其中所述金属氧化物层覆盖位于所述过孔位置的所述第一有源层；进行高温退火，改善所述第一有源层的亚阈值摆幅；对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层，具体包括步骤：在所述第三栅绝缘层的表面及所述过孔的孔底和孔壁均沉积用于形成第二有源层的金属氧化物层。3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层，具体包括步骤：刻蚀掉所述过孔中的所述金属氧化物层，并对所述第三栅绝缘层表面的所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层。4.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，对所述金属氧化物层进行图案化，形成第二有源层，具体包括步骤：保留所述过孔中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，付雨婷，余吉吉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：