阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过在衬底基板的有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案，并在有源层图案上对应沟道区的位置涂覆第二墨水以形成保护层图案，然后对有源层图案和保护层图案进行固化成膜，使有源层图案形成有源层，保护层图案形成保护层，如此把保护层设置在所述有源层的沟道区，对有源层的沟道区进行保护，以缓解现有金属氧化物存在的被腐蚀污染的问题。存在的被腐蚀污染的问题。存在的被腐蚀污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]目前的显示技术中，主要利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件来控制像素开关，以形成需要显示的画面。薄膜晶体管器件所用的半导体材料主要包括非晶硅、金属氧化物和低温多晶硅等。其中金属氧化物相较于非晶硅具有较高的电子迁移率，而相较于低温多晶硅而言，制造工艺相对较为简单，同时又可满足高分辨率、高刷新率的要求。虽然金属氧化物半导体材料具有诸多的优点，但却具有不稳定性。比如在金属氧化物半导体制程完成后，在其上方形成源漏极金属走线时，金属氧化物半导体容易被腐蚀污染，导致半导体特性异常。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以缓解现有金属氧化物存在的被腐蚀污染的技术问题。
[0004]为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，其包括：
[0006]提供衬底基板，并在所述衬底基板上定义出有源区和沟道区，所述沟道区位于所述有源区内；
[0007]在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案；
[0008]在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案；
[0009]对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜，使所述有源层图案形成有源层，所述保护层图案形成保护层。
[0010]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，所述在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案的步骤，包括：
[0011]制作金属盐溶液以形成所述第一墨水；
[0012]采用喷墨打印工艺把所述第一墨水打印在所述有源区形成所述有源层图案。
[0013]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，所述金属盐溶液包括Zn(NO3)2溶液、In(NO3)3溶液中的一种或多种。
[0014]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，所述在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案的步骤，包括：
[0015]把SiS2粉末溶于有机溶剂中形成所述第二墨水；
[0016]采用喷墨打印工艺把所述第二墨水打印在所述沟道区形成所述保护层图案。
[0017]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，有机溶剂包括苯类、醇类。
[0018]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，所述对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜，使所述有源层图案形成有源层，所述保护层图案形成保护层的步骤，
包括：
[0019]将形成有所述有源层图案和所述保护层图案的所述衬底基板送入烘干炉内进行烘干，同步进行抽气，使所述金属盐溶液中的溶剂挥发形成金属氧化物半导体层作为所述有源层，同时所述第二墨水中的SiS2与溶液中的水气反应形成SiO2，以在所述有源层的表面形成所述保护层。
[0020]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，所述在所述有源区打印第一墨水以形成有源层图案的步骤之前，还包括：
[0021]在所述衬底基板上形成第一金属薄膜，图案化所述第一金属薄膜以在对应所述有源区内形成栅极；
[0022]在所述栅极以及所述衬底基板上制备栅极绝缘层。
[0023]在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，还包括以下步骤：
[0024]在所述保护层以及所述衬底基板上形成第二金属薄膜，图案化所述第二金属薄膜以形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述保护层两侧的所述有源层连接；
[0025]在所述源极、所述漏极以及所述保护层上形成栅极绝缘层；
[0026]在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极对应所述保护层设置。
[0027]本申请实施例还提供一种阵列基板，其包括由前述实施例其中之一的阵列基板制备方法制备的阵列基板。
[0028]本申请实施例还提供一种显示面板，其包括对置基板和前述实施例的阵列基板，所述阵列基板和所述对置基板相对间隔设置。
[0029]本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板及其制备方法以及显示面板中，通过在衬底基板的有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案，并在有源层图案上对应沟道区的位置涂覆第二墨水以形成保护层图案，然后对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜，使所述有源层图案形成有源层，所述保护层图案形成保护层，如此把保护层设置在所述有源层的沟道区，对有源层的沟道区进行保护，避免了有源层的沟道区被腐蚀污染，从而解决了现有金属氧化物存在的被腐蚀污染的问题。同时有源层和保护层同步形成，从而可以节省一道光罩，节约了成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图。
[0032]图2为本申请实施例提供的衬底基板的剖面结构示意图。
[0033]图3为在图2的衬底基板上制备的栅极以及有源层图案的剖面结构示意图。
[0034]图4为在图3的有源层图案上制备的保护层图案的剖面结构示意图。
[0035]图5为对图4的有源层图案和保护层图案进行固化形成的有源层和保护层的剖面结构示意图。
[0036]图6为在图5的有源层和保护层上制备的源极和漏极的剖面结构示意图。
[0037]图7为在图6的漏极上方制备的像素电极的剖面结构示意图。
[0038]图8为本申请实施例提供的阵列基板的另一种剖面结构示意图。
具体实施方式
[0039]以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
[0040]请参照图1至图7，图1为本申请实施例提供阵列基板制备方法的流程示意图，图2至图7为本申请实施例提供的阵列基板制备方法中各步骤制得的阵列基板的部分膜层结构示意图，其中图2为本申请实施例提供的衬底基板的剖面结构示意图；图3为在图2的衬底基板上制备的栅极以及有源层图案的剖面结构示意图；图4为在图3的有源层图案上制备的保护层图案的剖面结构示意图；图5为对图4的有源层图案和保护层图案进行固化形成的有源层和保护层的剖面结构示意图；图6为在图5的有源层和保护层上制备的源极和漏极的剖面结构示意图；图7为在图6的漏极上方制备的像素电极的剖面结构示意图。
[0041]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：提供衬底基板，并在所述衬底基板上定义出有源区和沟道区，所述沟道区位于所述有源区内；在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案；在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案；对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜，使所述有源层图案形成有源层，所述保护层图案形成保护层。2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述有源区涂覆第一墨水以形成有源层图案的步骤，包括：制作金属盐溶液以形成所述第一墨水；采用喷墨打印工艺把所述第一墨水打印在所述有源区形成所述有源层图案。3.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液包括Zn(NO3)2溶液、In(NO3)3溶液中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述沟道区涂覆第二墨水以形成保护层图案的步骤，包括：把SiS2粉末溶于有机溶剂中形成所述第二墨水；采用喷墨打印工艺把所述第二墨水打印在所述沟道区形成所述保护层图案。5.根据权利要求4所述的阵列基板制备方法，其特征在于，有机溶剂包括苯类、醇类。6.根据权利要求4所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述对所述有源层图案和所述保护层图案进行固化成膜，使所述有源层图案形成有...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雷雷，李珊，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：