【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示,尤其涉及一种下电放电电路、下电放电方法及显示面板。
技术介绍
1、目前,显示面板中的栅极驱动(gate on array,goa)单元在开关机下电时,所有输入的电平信号在w1时间点(参考图1)被同时拉高,控制行开关的tft(thin filmtransistor,薄膜场晶体管)会被导通,对该tft和自举电容进行放电,但由于信号同时变化,放电回路中的tft无法达到压差条件,无法导通,使得需要放电的tft与自举电容不能完全放电,导致电荷残留,形成开关机画异,显示面板出现画面显示异常。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种下电放电电路、下电放电方法及显示面板,旨在解决现有技术中goa单元在开关机下电时tft和自举电容不能完全放电,导致电荷残留,出现画面显示异常的技术问题。
2、为实现上述目的,本专利技术提出一种下电放电电路,所述下电放电电路包括信号模块与放电模块,所述信号模块包括高电平信号线与信号输出单元,所述信号输出单元通过所述高电平信号线与电源系
...【技术保护点】
1.一种下电放电电路,其特征在于,所述下电放电电路包括信号模块与放电模块,所述信号模块包括高电平信号线与信号输出单元,所述信号输出单元通过所述高电平信号线与电源系统连接,所述放电模块与所述高电平信号线连接,所述信号输出单元与栅极驱动单元连接,所述栅极驱动单元包括维持单元与待释放单元,所述待释放单元包括自举电容、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管,所述自举电容的第一端分别与所述第一薄膜晶体管的栅极端和所述第二薄膜晶体管的源极端连接,所述自举电容的第二端与所述第一薄膜晶体管的漏极端连接,所述第一薄膜晶体管的源极端接入时钟信号,所述第二薄膜晶体管的漏极端接入低电平信号,所述第
...【技术特征摘要】
1.一种下电放电电路,其特征在于,所述下电放电电路包括信号模块与放电模块,所述信号模块包括高电平信号线与信号输出单元,所述信号输出单元通过所述高电平信号线与电源系统连接,所述放电模块与所述高电平信号线连接,所述信号输出单元与栅极驱动单元连接,所述栅极驱动单元包括维持单元与待释放单元,所述待释放单元包括自举电容、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管,所述自举电容的第一端分别与所述第一薄膜晶体管的栅极端和所述第二薄膜晶体管的源极端连接,所述自举电容的第二端与所述第一薄膜晶体管的漏极端连接,所述第一薄膜晶体管的源极端接入时钟信号,所述第二薄膜晶体管的漏极端接入低电平信号,所述第二薄膜晶体管的栅极端与所述维持单元连接;
2.如权利要求1所述的下电放电电路,其特征在于,所述放电模块包括第一放电模块与第二放电模块,所述高电平信号线包括第一高电平信号线与第二高电平信号线,所述第一放电模块分别与所述第一高电平信号线和所述信号输出单元连接,所述第二放电模块分别与所述第二高电平信号线和所述信号输出单元连接;
3.如权利要求2所述的下电放电电路,其特征在于,所述第一放电模块包括连接的第一开关单元与第一放电调整单元,所述第一开关单元与所述第一高电平信号线连接,所述第一放电调整单元与所述信号输出单元连接,所述第二放电模块包括第二放电调整单元,所述第二放电调整单元分别与所述第二高电平信号线和所述信号输出单元连接,所述第一开关单元在下电时断开,所述第一开关单元在非下电时闭合。
4.如权利要求3所述的下电放电电路,其特征在于,所述第一放电调整单元包括并联的第一维持电容、第二维持电容、第三维持电容以及...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨婷婷,师俊,李文东,袁海江,
申请(专利权)人:惠科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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