【技术实现步骤摘要】
用以在存储器单元的侧壁上形成膜的反应器
[0001]本文公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置或半导体装置的制造，且更特定来说涉及(但不限于)用于在存储器装置中的存储器单元堆叠的侧壁上或在半导体装置中的其它结构上形成层(例如，膜)的反应器。
技术介绍
[0002]原子层沉积(ALD)通常用于在例如在硅晶片的衬底上形成材料的薄膜。在一个实例中，ALD是一种气相沉积，其中通过循环地执行的自饱和反应堆积膜。膜的厚度由所执行的循环的数目确定。
[0003]在ALD工艺的一个实例中，气体前体交替且重复地供应到衬底或晶片以在晶片上形成材料的薄膜。一种反应物以自限制过程吸附在晶片上。后续反应物脉冲与所吸附材料反应以形成所需材料的单个分子层。在典型ALD反应中，每循环形成的分子单层不超过一个。通过重复的生长循环产生较厚膜，直到实现目标厚度。
[0004]在典型ALD工艺中，将具有待涂覆的至少一个表面的一或多个衬底及用于形成所需产物的反应物引入到反应器或沉积腔室中。一或多个衬底通常放置在晶片支撑件(例如，基座)上。晶片支撑件...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：反应器，其具有至少一个腔室；衬底支撑件，其经配置以将衬底固持在所述腔室中；流量控制器，其经配置以控制到所述腔室中的反应物的流量，所述反应物包含第一反应物及第二反应物，其中在将所述第一反应物提供到所述腔室中之后将所述第二反应物提供到所述腔室中；及温度控制器，其经配置以控制所述衬底的温度，其中：当所述第一反应物被提供到所述腔室中时，所述温度经控制到第一温度，使得所述第一反应物的冷凝部分被吸附在所述衬底上；当所述第二反应物被提供到所述腔室中时，所述温度经控制到第二温度，其中所述第二温度高于所述第一温度，且所述第一反应物的所述冷凝部分被部分蒸发；且所述第二反应物与所述第一反应物反应以在所述衬底上形成反应产物。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一温度是25摄氏度或更低。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二温度比所述第一温度高至少50摄氏度。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底支撑件进一步经配置以执行旋转所述衬底、倾斜所述衬底、水平移动所述衬底或垂直移动所述衬底中的至少一者。5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括气体分配器，所述气体分配器经配置以将所述反应物作为蒸气分配到所述腔室中并朝向所述衬底分配。6.根据权利要求1所述的设备，其中存储器阵列位于所述衬底的顶部表面处，所述存储器阵列包括存储器单元堆叠，并且所述反应产物是形成在所述存储器单元堆叠的侧壁上的至少一个层。7.根据权利要求6所述的设备，其中沟槽位于所述存储器单元堆叠之间，所述第一反应物及所述第二反应物在所述沟槽中反应以在所述侧壁上形成所述层，每一沟槽具有高度及宽度，并且如通过将所述高度除以所述宽度确定的每一沟槽的宽高比大于10:1。8.根据权利要求1所述的设备，其中每一存储器单元堆叠包括逻辑存储元件及下伏于所述逻辑存储元件的钨层，且每一侧壁的至少一部分形成在所述钨层上。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述逻辑存储元件包括硫属化物，所述第一反应物为二乙基锌，所述第二反应物为水，且所述反应产物为氧化锌。10.根据权利要求1所述的设备，其中通过将所述温度控制到所述第二温度来活化所述第一反应物。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底的所述温度通过加热或冷却所述衬底支撑件中的至少一者来控制。12.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括在至少13MHz的频率下操作且经配置以创建活化所述第二反应物的RF场的射频RF产生器，或在小于1MHz的频率下操作且经配置以偏置所述衬底支撑件以为所述第一反应物或所述第二反应物中的至少一者的所活化部分提供方向性的射频RF产生器中的至少一者。13.根据权利要求1所述的设备，其中：所述至少一个腔室包括第一腔室及第二腔室；所述第一反应物被提供到所述第一腔室中；
在对所述第一腔室执行吹扫之后，将所述衬底从所述第一腔室移动到所述第二腔室；且在将所述衬底移动到所述第二腔室之后，将所述第二反应物提供到所述第二腔室中。14.一种方法，其包括：将衬底固持在反应器的至少一个腔室中；将所述反应器中的温度控制到第一温度；将第一反应物提供到所述腔室中，其中所述第一反应物的一部分在所述衬底上冷凝；在所述第一反应物的所述部分在所述衬底上冷凝之后，将所述温度控制...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。