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本发明涉及与在存储器及逻辑装置中的存储器单元堆叠的侧壁上形成膜相关的设备及方法。在一种方法中，将硅晶片固持在原子层沉积ALD反应器的腔室中。所述反应器中的温度经控制到第一温度(例如，室温或以下)，其中被提供到所述腔室中的第一气体反应物冷凝并...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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