【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]本技术涉及一种基板处理装置，具体涉及利用电感耦合等离子体的基板处理装置。
技术介绍
[0002]利用等离子体来进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、蚀刻(Etching)等基板处理的装置常采用向包括天线的装置施加高频电力以在天线周围形成感应电场从而产生等离子体的方式。
[0003]对于利用感应电场的等离子体处理装置，使用用于产生感应电场的天线、用于保护天线免受等离子体影响的窗以及用于在处理装置内支撑窗的窗支撑框架是必需的。
[0004]随着显示装置的大型化趋势，为了处理大面积基板，等离子体处理装置也在变大，窗也被分隔为多个。
[0005]为了支撑多个窗，窗支撑框架具有分隔为多个区域的结构，以支撑各个窗，但是分隔结构会对等离子体的均匀度产生较大影响。这是因为窗支撑框架会切割感应电场的一部分，而且由在天线中流动的高频电流感应形成的感应电流会沿窗支撑框架流动。
[0006]尤其是，当窗支撑框架内形成有闭环的分隔结构时，会产生沿闭环环...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：处理空间，用于收纳待处理基板；天线收纳空间，用于收纳天线，所述天线被配置成与所述待处理基板对置；多个窗，用于将所述处理空间与所述天线收纳空间分隔；以及窗支撑框架，用于支撑所述多个窗，其中，所述多个窗包括：多个第一窗，呈长方形，在所述窗支撑框架的中端被配置成2
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2排列；多个第二窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的前端；以及多个第三窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的后端，其中，所述第二窗与所述第三窗的尺寸相同，所述第一窗的长边与短边的长度之比大于所述第二窗以及所述第三窗的长边与短边的长度之比。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一窗的长边与短边的长度之比为4以上。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二窗以及第三窗的长边与短边的长度之比为1.5以上。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一窗的长边与所述第二窗和第三窗的短边平行。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一窗的长边与所述基板进入所述处理空间的方向平行。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个第二窗沿着所述多个第一窗的长边被配置成1
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴世文，金泰皖，
申请(专利权)人：INVENIA有限公司，
类型：新型
国别省市：
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