基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种基板处理装置。本实用新型专利技术的实施例的基板处理装置包括：腔室，包括处理空间和天线收纳空间，所述处理空间用于收纳待处理基板，所述天线收纳空间用于收纳天线，所述天线被配置成与所述待处理基板对置；多个窗，位于所述腔室内，用于分隔所述处理空间和所述天线收纳空间；窗支撑框架，用于支撑所述多个窗；以及加热板，位于所述多个窗的上表面，用于加热所述多个窗，其中，所述窗支撑框架包括朝向所述窗凸出的支撑凸台，以支撑所述窗，所述加热板设置为与所述支撑凸台重叠。本实用新型专利技术不会显著影响用于产生等离子体的感应电场，同时能够减少副产物附着在窗上的现象。象。象。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本技术涉及一种基板处理装置，更具体涉及利用电感耦合等离子体的基板处理装置。

技术介绍

[0002]在利用等离子体来进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、蚀刻(Etching)等基板处理的装置中，常采用向包括天线的装置施加高频电力以在天线周围形成感应电场从而产生等离子体的方式。
[0003]对于利用感应电场的等离子体处理装置，必须使用用于产生感应电场的天线、用于保护天线免受等离子体影响的窗。
[0004]但是，利用等离子体进行基板处理的过程中产生的副产物在工艺中附着在腔室内温度相对较低的窗上，导致更换窗的周期变短，或需要维护/修理以去除附着在窗上的副产物。
[0005]为此，虽然存在利用用于加热窗的加热器来最小化副产物附着在窗上的技术，但是利用电流的加热器由于随着加热器的运行所产生的电磁波而等离子体受到影响，从而可能改变等离子体分布或降低等离子体分布的均匀性。

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]本技术所要解决的技术问题在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，包括处理空间和天线收纳空间，所述处理空间用于收纳待处理基板，所述天线收纳空间用于收纳天线，所述天线被配置成与所述待处理基板对置；多个窗，位于所述腔室内，用于分隔所述处理空间和所述天线收纳空间；窗支撑框架，用于支撑所述多个窗；以及加热板，位于所述多个窗的上表面，用于加热所述多个窗，其中，所述窗支撑框架包括朝向所述窗凸出的支撑凸台，以支撑所述窗，所述加热板设置为与所述支撑凸台重叠。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热板沿所述窗的边缘配置成环形。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括位于所述支撑凸台和所述窗之间的阻尼部件。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述阻尼部件用于向所述支撑凸台和所述窗之间提供热阻尼和物理阻尼。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴世文，金学庆，
申请(专利权)人：INVENIA有限公司，
类型：新型
国别省市：