本实用新型专利技术公开了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体，包括装置本体，所述装置本体包括工作台、底座和进气管路，所述底座位于装置本体顶部，所述底座内部中空式结构，所述进气管路设有三组，三组所述进气管路安装在工作台顶部，所述进气管路包括出气口、连接管和顶部管道，所述顶部管道底部固定在工作台顶部，所述连接管顶部固定在顶部管道底部，且连接管位于底座内部，所述出气口顶部焊接在连接管底部。该种装置的进气管路采用了内探式的设计，从而可以有效地把废气进行集中，进一步提高了对半导体废气的燃烧处理工作。提高了对半导体废气的燃烧处理工作。提高了对半导体废气的燃烧处理工作。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体
[0001]本技术涉及半导体行业废气处理
，具体为一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体。
技术介绍
[0002]半导体废气多为有毒有害气体，对人体和环境危害严重，随着半导体行业的日益繁荣，产能激增，半导体厂商由于企业内部设施的限制对废气处理设备有更多各类需求，对处理效率有更高要求。
[0003]现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体有如下缺陷：
[0004]1、现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体在一般时焊接在平板上，从而使废气进行燃烧反应区，从而该种集气腔体不能有效把气体充分燃烧，从而影响集气腔体工作效率。
[0005]2、现有的半导体废气处理设备新型内探式集气腔体在使用时，会导致废气燃烧堵塞的情况发生，不能顺畅地燃烧，从而影响工作人员使用。
技术实现思路
[0006](一)解决的技术问题
[0007]针对现有技术的不足，本技术提供了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体，解决了现有半导体废气处理设备新型内探式集气腔体不能把有效地使集气腔体把废气和火焰充分燃烧的问题。
[0008](二)技术方案
[0009]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体，包括装置本体，所述装置本体包括工作台、底座和进气管路，所述底座位于装置本体顶部，所述底座内部中空式结构，所述进气管路设有三组，三组所述进气管路安装在工作台顶部，所述进气管路包括出气口、连接管和顶部管道，所述顶部管道底部固定在工作台顶部，所述连接管顶部固定在顶部管道底部，且连接管位于底座内部，所述出气口顶部焊接在连接管底部。
[0010]优选的，所述工作台顶部中端开设有清理凹槽，所述清理凹槽为中空式结构，所述清理凹槽顶部放置有盖板。
[0011]优选的，所述进气管路呈弧形状。
[0012]优选的，所述顶部管道侧边安装有小出气管，所述顶部管道顶部外侧安装有连接圈。
[0013](三)有益效果
[0014]本技术提供了一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体。具备以下有益效果：
[0015]1、该种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体设有三组进气管路，该种进气管
路的连接管和出气口均内探至底座内部，从而进气管路根据燃烧火焰的角度，确定内探管理的弯转角度，使废气与燃烧火焰充分接触，已达到最佳的燃烧处理效果，从而可以提高半导体废气处理的效率，提高工作人员的工作效率。
[0016]2、该种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体的进气管道呈弧形状，弧形状可以使半导体废气呈弧形进入进气管道，从而防止呈直线状滞留在进气管道内部，进步影响半导体废气在燃烧区燃烧，而进气管路内的顶部管道侧边设有小出气管，从而可以便于空气流动，从而防止进气管道内部堵塞。
附图说明
[0017]图1为本技术整体的结构示意图；
[0018]图2为本技术整体侧面的结构示意图；
[0019]图3为本技术整体顶部的结构示意图；
[0020]图4为本技术底部的结构示意图；
[0021]图5为本技术整体侧面的结构示意图。
[0022]图中，1、装置本体；2、工作台；3、底座；4、进气管路；5、清理凹槽；6、盖板；7、出气口；8、连接管；9、顶部管道；10、小出气管；11、连接圈。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]请参阅图1
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5，本技术实施例提供一种技术方案：一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体，包括装置本体1，所述装置本体1包括工作台2、底座3和进气管路4，所述底座3位于装置本体1顶部，所述底座3内部中空式结构，所述进气管路4设有三组，三组所述进气管路4安装在工作台2顶部，所述进气管路4包括出气口7、连接管8和顶部管道9，所述顶部管道9底部固定在工作台2顶部，所述连接管8顶部固定在顶部管道9底部，且连接管8位于底座3内部，所述出气口7顶部焊接在连接管8底部，该种进气管路采用了内探至底座3内部，从而进气管路4根据燃烧火焰的角度，确定内探管理的弯转角度，使废气与燃烧火焰充分接触，达到了最佳的燃烧处理效果。
[0025]所述工作台2顶部中端开设有清理凹槽5，所述清理凹槽5为中空式结构，所述清理凹槽5顶部放置有盖板6，工作人员可以打开清理凹槽5内的盖板6，从而通过清理凹槽5把底座3空腔内的空间和组件进行清理或者维护工作。
[0026]所述进气管路4呈弧形状，弧形状的进气管路4可以提高半导体废气输送的效率，半导体废气可以依照弧形的进气管路4滑动，从而快速的进入燃烧点进行燃烧，从而防止呈直线状滞留在进气管道4内部，进步影响半导体废气在燃烧区燃烧。
[0027]所述顶部管道9侧边安装有小出气管10，所述顶部管道9顶部外侧安装有连接圈11，顶部管道9侧边的小出气管10可以便于空气的进入进气管路4内，从而便于进气管路4内的半导体废气流动，从而把半导体废气输送到底座3内的进行燃烧工作，提高半导体废气燃
烧的效率，而顶部管道9顶部的连接圈11可以便于连接半导体废气管，从而方便连接工作。
[0028]工作原理：工作时，工作人员把进气管路4内的顶部管道9进入半导体废气管，顶部管道9顶部的连接圈可以提高连接的紧密性，从而防止半导体废气从连接处渗漏的现象发生，半导体废气通过进气管道4进行底座3内部，从从而在底座3内的燃烧点进行燃烧工作，半导体废气在进气管道4内运动时，弧形状的进气管路4可以提高半导体废气输送的效率，半导体废气可以依照弧形的进气管路4滑动，从而快速的进入燃烧点进行燃烧，从而防止呈直线状滞留在进气管道4内部，进步影响半导体废气在燃烧区燃烧，而顶部管道9侧边的小出气管10可以便于空气的进入进气管路4内，从而便于进气管路4内的半导体废气流动，从而把半导体废气输送到底座3内的进行燃烧工作，提高半导体废气燃烧的效率，该种进气管路4的连接管8和出气口7均内探至底座内部，从而进气管路4根据燃烧火焰的角度，确定内探管理的弯转角度，使废气与燃烧火焰充分接触，已达到最佳的燃烧处理效果，从而可以提高半导体废气处理的效率，提高工作人员的工作效率，防止半导体废气不能集中在一起，影响废气燃烧的效率。
[0029]本技术的1、装置本体；2、工作台；3、底座；4、进气管路；5、清理凹槽；6、盖板；7、出气口；8、连接管；9、顶部管道；10、小出气管；11、连接圈，部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，本技术解决本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体废气处理设备新型内探式集气腔体，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)包括工作台(2)、底座(3)和进气管路(4)，所述底座(3)位于装置本体(1)顶部，所述底座(3)内部中空式结构，所述进气管路(4)设有三组，三组所述进气管路(4)安装在工作台(2)顶部，所述进气管路(4)包括出气口(7)、连接管(8)和顶部管道(9)，所述顶部管道(9)底部固定在工作台(2)顶部，所述连接管(8)顶部固定在顶部管道(9)底部，且连接管(8)位于底座(3)内部，所述出气口(7)顶部焊接在连...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔汉博，崔汉宽，
申请(专利权)人：上海高生集成电路设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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