电子系统技术方案

本公开的各实施例涉及电子系统。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区，该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区。第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。根据本公开的实施例可以检测导线的目前或过去的切断。施例可以检测导线的目前或过去的切断。施例可以检测导线的目前或过去的切断。

【技术实现步骤摘要】
电子系统


[0001]实施例和实施方式涉及微电子学，并且具体地涉及与集成电路的衬底隔离的MOS晶体管。

技术介绍

[0002]某些应用需要包括与集成电路的衬底电隔离的MOS晶体管的集成电路。
[0003]因此，需要提出这种MOS晶体管，其具有易于生产的结构，并且特别地与常规的CMOS制造方法兼容，该CMOS制造方法特别是使用两个多晶硅级，但是这种MOS晶体管还与非易失性存储器单元制造方法兼容，该非易失性存储器单元制造方法具有带有被掩埋在衬底中的栅极的选择晶体管。

技术实现思路

[0004]本公开的目的是提供一种电子系统，以至少部分地解决现有技术中存在的无法检测导线的过去的切断的问题。
[0005]在一个方面，本公开提供了一种电子系统，包括：封闭容器；集成电路，具有第一衬底、以及第一端子和第二端子；导电导线，将第一端子和第二端子连接，并且具有可切断部分，可切断部分被布置为在打开或尝试打开封闭容器的情况下被切断，以及检测设备，被配置为检测可切断部分的切断；其中检测设备包括在集成电路内的以下项：第一电容器，与集成电路的第一衬底电隔离并且被连接到第一端子；第一MOS晶体管，具有与第一衬底电隔离的源极区和漏极区、以及被连接到第二端子的栅极区，其中第一MOS晶体管被配置为响应于零电压被施加到栅极区而处于导通状态，并且响应于非零电压被施加到栅极区而处于断开状态；第二电容器，与集成电路的第一衬底电隔离，并且具有第一电极，第一电极被连接到第一MOS晶体管的漏极区；以及测量电路，被配置为测量第一电极处的电压，其中如果电压低于阈值，则第一电极的电压指示可切断部分的目前或过去的切断。
[0006]在一个实施例中，第一MOS晶体管包括：第一多晶硅区，与第一衬底电隔离并且包括栅极区；第二多晶硅区，与第一多晶硅区和第一衬底电隔离，第二多晶硅区包括第一MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区，其中第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。
[0007]在一个实施例中，与第一多晶硅区相比，用于第一MOS晶体管的第二多晶硅区的衬底区被掺杂得不太重。
[0008]在一个实施例中，用于第一MOS晶体管的第二多晶硅区的衬底区包括以下一项：本征多晶硅、或具有小于1017原子/cm3的掺杂剂浓度的掺杂多晶硅。
[0009]在一个实施例中，第一多晶硅区具有大于1019原子/cm3的掺杂剂浓度。
[0010]在一个实施例中，第一MOS晶体管是PMOS晶体管。
[0011]在一个实施例中，第一MOS晶体管的源极区被连接到接地，并且其中第一MOS晶体管具有阈值电压，使得第一MOS晶体管响应于零电压被施加到栅极区而处于导通状态，并且
响应于负偏压被施加到栅极区而处于断开状态。
[0012]在一个实施例中，第一电容器和第二电容器中的每个电容器包括两个多晶硅电极，两个多晶硅电极由介电质分隔开并且位于集成电路的隔离区上。
[0013]在一个实施例中，电子系统还包括：非接触式无源应答器，被配置为使用载波信号经由天线与读取器通信，非接触式无源应答器包括具有被连接到天线的两个天线端子的集成电路；其中集成电路还包括比较电路，比较电路被配置为将第一电极的电压与阈值进行比较；以及处理电路，被配置为：响应于来自读取器的第一命令，命令对第一电容器进行充电；响应于来自读取器的第二命令，命令对第二电容器进行充电；响应于来自读取器的激活命令，激活测量电路；以及响应于来自读取器的读取命令，传递比较的结果。
[0014]在第二方面，本公开提供了一种电子系统，包括：集成电路，包括：第一衬底；以及至少一个第一MOS晶体管，第一MOS晶体管具有第一多晶硅区和第二多晶硅区，第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区，第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离，第二多晶硅区包括第一MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区，其中第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。
[0015]在一个实施例中，与第一多晶硅区相比，第一MOS晶体管的第二多晶硅区的衬底区被掺杂得不太重。
[0016]在一个实施例中，第一MOS晶体管的第二多晶硅区的衬底区包括以下一项：本征多晶硅、或具有小于1017原子/cm3的掺杂剂浓度的掺杂多晶硅。
[0017]在一个实施例中，第一多晶硅区具有大于1019原子/cm3的掺杂剂浓度。
[0018]在一个实施例中，第一MOS晶体管是PMOS晶体管。
[0019]在一个实施例中，第一MOS晶体管的源极区被连接到接地，并且其中第一MOS晶体管具有阈值电压，使得第一MOS晶体管响应于零电压被施加到栅极区而处于导通状态，并且响应于负偏压被施加到栅极区而处于断开状态。
[0020]在一个实施例中，第一MOS晶体管是NMOS晶体管。
[0021]在一个实施例中，集成电路还包括位于第一衬底中的隔离沟槽，并且其中第一多晶硅区位于隔离沟槽之上。
[0022]在一个实施例中，在第一MOS晶体管的源极
‑
漏极方向上，第一多晶硅区延伸超出第二多晶硅区，并且其中第二多晶硅区经由第一介电区位于第一多晶硅区上。
[0023]在一个实施例中，第一多晶硅区在与第一MOS晶体管的源极
‑
漏极方向垂直的方向上延伸超出第二多晶硅区；以及在第一MOS晶体管的源极
‑
漏极方向上，第二多晶硅区的尺寸大于第一多晶硅区的尺寸，并且第二多晶硅区经由第二介电区位于第一多晶硅区和隔离沟槽上。
[0024]在一个实施例中，第一多晶硅区在与第一MOS晶体管的源极
‑
漏极方向垂直的方向上延伸超出第二多晶硅区；以及在第一MOS晶体管的源极
‑
漏极方向上，第二多晶硅区的尺寸大于第一多晶硅区的尺寸，并且第二多晶硅区经由第三介电区位于第一多晶硅区上，并且还位于隔离沟槽上。
[0025]在一个实施例中，集成电路还包括：隔离沟槽，位于第一衬底中；以及介电层，围绕第一多晶硅区，其中第一多晶硅区被第一多晶硅区的介电层围绕，介电层穿过隔离沟槽延伸到第一衬底中，并且其中第一MOS晶体管的衬底区至少部分地位于被介电层围绕的第一
多晶硅区的一个端部上，并且源极区和漏极区位于隔离沟槽上。
[0026]在一个实施例中，集成电路还包括至少一个具有带有被掩埋在第一衬底中的栅极的选择晶体管的类型的非易失性存储器单元，并且其中第一多晶硅区具有与选择晶体管的栅极的形状类似的形状。
[0027]在一个实施例中，集成电路还包括：介电层，被设置在第一多晶硅区和第一衬底之间；以及第二MOS晶体管，第二MOS晶体管在第一衬底中包括源极区、漏极区和衬底区，衬底区在源极区和漏极区之间并且被介电层覆盖，第一多晶硅区包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管共用的栅极区。
[0028]在一个实施例中，第二MOS晶体管是NMOS晶体管或PMOS晶体管中的一种晶体管。
[0029]根据本公开的实施例的电子系统的优点在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子系统，其特征在于，包括：封闭容器；集成电路，具有第一衬底、以及第一端子和第二端子；导电导线，将所述第一端子和所述第二端子连接，并且具有可切断部分，所述可切断部分被布置为在打开或尝试打开所述封闭容器的情况下被切断，以及检测设备，被配置为检测所述可切断部分的切断；其中所述检测设备包括在所述集成电路内的以下项：第一电容器，与所述集成电路的所述第一衬底电隔离并且被连接到所述第一端子；第一MOS晶体管，具有与所述第一衬底电隔离的源极区和漏极区、以及被连接到所述第二端子的栅极区，其中所述第一MOS晶体管被配置为响应于零电压被施加到所述栅极区而处于导通状态，并且响应于非零电压被施加到所述栅极区而处于断开状态；第二电容器，与所述集成电路的所述第一衬底电隔离，并且具有第一电极，所述第一电极被连接到所述第一MOS晶体管的所述漏极区；以及测量电路，被配置为测量所述第一电极处的电压，其中如果所述电压低于阈值，则所述第一电极的所述电压指示所述可切断部分的目前或过去的切断。2.根据权利要求1所述的电子系统，其特征在于，所述第一MOS晶体管包括：第一多晶硅区，与所述第一衬底电隔离并且包括所述栅极区；第二多晶硅区，与所述第一多晶硅区和所述第一衬底电隔离，所述第二多晶硅区包括所述第一MOS晶体管的所述源极区、衬底区和所述漏极区，其中所述第一多晶硅区位于所述第一衬底的区域与所述第二多晶硅区之间。3.根据权利要求2所述的电子系统，其特征在于，用于所述第一MOS晶体管的所述第二多晶硅区的所述衬底区的掺杂剂浓度小于所述第一多晶硅区。4.根据权利要求2所述的电子系统，其特征在于，用于所述第一MOS晶体管的所述第二多晶硅区的所述衬底区包括以下一项：本征多晶硅、或具有小于10
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原子/cm3的掺杂剂浓度的掺杂多晶硅。5.根据权利要求2所述的电子系统，其特征在于，所述第一多晶硅区具有大于10
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原子/cm3的掺杂剂浓度。6.根据权利要求2所述的电子系统，其特征在于，所述第一MOS晶体管是PMOS晶体管。7.根据权利要求6所述的电子系统，其特征在于，所述第一MOS晶体管的所述源极区被连接到接地，并且其中所述第一MOS晶体管具有阈值电压，使得所述第一MOS晶体管响应于零电压被施加到所述栅极区而处于导通状态，并且响应于负偏压被施加到所述栅极区而处于断开状态。8.根据权利要求1所述的电子系统，其特征在于，所述第一电容器和所述第二电容器中的每个电容器包括两个多晶硅电极，所述两个多晶硅电极由介电质分隔开并且位于所述集成电路的隔离区上。9.根据权利要求1所述的电子系统，其特征在于，还包括：非接触式无源应答器，被配置为使用载波信号经由天线与读取器通信，所述非接触式无源应答器包括具有被连接到所述天线的两个天线端子的所述集成电路；其中所述集成电路还包括比较电路，所述比较电路被配置为将所述第一电极的所述电
压与所述阈值进行比较；以及处理电路，被配置为：响应于来自所述读取器的第一命令，命令对第一电容器进行充电；响应于来自所述读取器的第二命令，命令对第二电容器进行充电；响应于来自所述读取器的激活命令，激活所述测量电路；以及响应于来自所述读取器的读取命令，传递所述比较的结果。10.一种电子系统，其特征在于，包括：集成电路，包括：第一衬底；以及至少一个第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管具有第一多晶硅区和第二多晶硅区，所述第一多晶硅区与所述第一衬底电隔离并且包括栅极区，所述第二多晶硅区与所述第一多晶硅区和所述第一衬底电隔离，所述第二多晶硅区包括所述第一MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区，其中所述第一多晶硅区位于所述第一衬底的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：