一种水平式光刻胶剥离工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种水平式光刻胶剥离工艺。本发明专利技术的水平式光刻胶剥离工艺包括如下步骤：将待去胶晶圆在水平方向依次经过去胶液浸泡、去胶液喷淋、冲洗、烘干工序，实现晶圆上光刻胶的去除。本发明专利技术的水平式光刻胶剥离工艺，通过在水平方向湿法去胶，可将各类型光刻胶及变性光刻胶从衬底上彻底剥离，解决了变性光刻胶难以去除、光刻胶残留、去胶液残留的质量缺陷，提高了产品的可靠性和良率，同时提升了作业效率，增大了产能，降低了加工成本。降低了加工成本。降低了加工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种水平式光刻胶剥离工艺


[0001]本专利技术属于光刻胶剥离
，涉及一种光刻胶剥离工艺，尤其涉及一种水平式光刻胶剥离工艺。

技术介绍

[0002]在芯片制造封装过程中，晶圆级封装(wafer level packaging，WLP)是目前被广泛使用的一种先进封装方法，其具有封装尺寸小、功率低、成本低、技术成熟的优点，因此，其在半导体封测领域被广泛应用。
[0003]随着先进封装技术的飞速发展，各类光刻胶搭配工艺层出不穷，常见的有光刻后湿法金属腐蚀、光刻后晶圆电镀及光刻后干法刻蚀等，此类制程的光刻胶多为牺牲阻挡层，其后通常需要将光刻胶剥离。而常用的光刻胶剥离方法为干法光刻胶剥离和湿法光刻胶剥离。其中，干法光刻胶剥离成本高昂，且有一定的局限性，如光刻后湿法金属腐蚀后去胶，若使用干法，则会伤及下层钝化层，造成产品漏电失效；而湿法光刻胶剥离方法成本较低，局限性小，常和干法相互搭配，是先进封装领域的实用工艺，在整个先进封装制程中至关重要。
[0004]现有的光刻胶胶层剥离方法为槽式去胶，湿法去胶液通常主要成分为二甲基亚砜、单乙醇胺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水平式光刻胶剥离工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：将待去胶晶圆在水平方向依次经过去胶液浸泡、去胶液喷淋、冲洗、烘干工序，实现晶圆上光刻胶的去除。2.根据权利要求1所述的水平式光刻胶剥离工艺，其特征在于，所述去胶液浸泡的具体过程为，将待去胶晶圆的正面朝上，经传送带传送至去胶浸泡内槽中，完全浸泡于去胶液中进行光刻胶的初步溶解和去除。3.根据权利要求2所述的水平式光刻胶剥离工艺，其特征在于，所述去胶液的温度为40
‑
60℃；优选地，所述传送带的传送速度为0.01
‑
0.5m/min，优选为0.35
‑
0.45m/min。4.根据权利要求1
‑
3之一所述的水平式光刻胶剥离工艺，其特征在于，所述去胶液喷淋的具体过程为，将经过去胶液浸泡的晶圆传送至去胶液喷淋段，将去胶液从喷淋口呈扇面喷扫在晶圆正面进行去胶。5.根据权利要求4所述的水平式光刻胶剥离工艺，其特征在于，所述喷淋口的喷液方向与晶圆所在面之间的夹角为60～120
°
；优选地，所述喷淋口的喷淋压力为0.01～0.3MPa；优选地，所述喷淋口为多个，相邻两个喷淋口的间距为1～10cm。6.根据权利要求1
‑
5之一所述的水平式光刻胶剥离工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢晶晶，
申请(专利权)人：广东越海集成技术有限公司，
类型：发明
国别省市：