一种晶片处理系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶片处理系统，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本发明专利技术提供的晶片处理系统能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本发明专利技术中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。源。源。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片处理系统
[0001]本专利技术为申请日为：2015年12月25日，申请号为201510985459.6，专利技术名称为“一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置”的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体刻蚀工艺领域，具体涉及一种晶片处理系统。

技术介绍

[0003]在半导体刻蚀工艺领域中，许多情况下，在刻蚀工艺后需要对晶片进行刻蚀后处理，也即去光刻胶处理。现有技术中的系统设备中，仅具有刻蚀功能，经刻蚀的半导体晶片需要被移出上述系统设备后，放入另外用于剥去光刻胶系统进行去光刻胶处理。现有技术的工艺设备及方法，由于需要将刻蚀后的晶片进行转移后完成去光刻胶处理，浪费了大量的时间，极大的影响了晶片的生产量。同时去光刻胶工艺需要在高温环境(200度以上)下进行，否则反应速度达不到经济要求，所以去光刻胶反应腔内安装晶片的机台内还还需要设置一个加热器，以加热刚完成等离子刻蚀工艺的晶圆。但是传统加热器由于是从下向上传递热量对晶片进行加热的，所以需要隔一段时间才能使得晶片表面温度达到要求，而且大量的热量在传递过程中没有向上到达晶片，而是向下或者向四周经过传递或者辐射到了光刻胶反应腔的其它部分，所以传统的电阻加热器在光刻胶反应腔中使用效率低下而且反应时间慢。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶片处理系统，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本专利技术提供的晶片处理系统能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本专利技术中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种晶片处理系统，该装置包含：传输腔、至少一个处理腔、至少一个真空进样腔和至少一个刻蚀腔，一晶片可在所述真空进样腔、所述传输腔、所述刻蚀腔和处理腔之间进行传输；其中，所述刻蚀腔用于对晶片进行刻蚀处理；所述处理腔用于去除晶片上的光刻胶，每个所述处理腔上方还设置一加热器；所述处理腔与真空进样腔一体设置，且所述处理腔与真空进样腔位于所述传输腔的同一侧。
[0007]可选的，所述处理腔的个数为一对，所述真空进样腔的个数为1个；所述真空进样腔设置在一对所述处理腔之间；所述真空进样腔内设有一对放置台，所述一对放置台上下相叠设置，每个所述放置台用于放置晶片。
[0008]可选的，所述真空进样腔设置在所述处理腔底部；该真空进样腔内设有放置台，用于放置晶片。
[0009]可选的，所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门。
[0010]可选的，所述处理腔内包含：反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所述加热器透过所述反应窗及隔板组件对放入所述处理腔内的晶片进行加热；离子喷射器，设置在所述处理腔外部，向该处理腔内部喷射等离子反应气体；基台，设置在所述处理腔内；晶片设置在所述基台上；第二真空传递门，设置在所述处理腔靠近所述传输腔的侧壁上；所述传输腔通过所述第二真空传递门将晶片送入所述处理腔的所述基台上。
[0011]可选的，所述至少一个刻蚀腔设有第三真空传递门；所述传输腔通过所述第一真空传递门与所述真空进样腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第二真空传递门与所述处理腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第三真空传递门与所述至少一个刻蚀腔进行晶片传递。
[0012]可选的，还包括：支撑架，所述处理腔、刻蚀腔和传输腔设置在所述支撑架上。
[0013]可选的，所述至少一个加热器的工作功率≥10Kw，使得所述晶片在灯加热器的照射下在10s内该晶片表面达到200℃
‑
270℃的温度。
[0014]可选的，所述加热器为辐射加热器。
[0015]本专利技术与现有技术相比具有以下优点：
[0016]本专利技术公开的一种晶片处理系统，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接为一体，能够节约占地面积，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本专利技术提供的晶片处理系统能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本专利技术中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。同时，本专利技术中，真空进样腔内可以设置上下对称的放置台，能够同时对两片晶片进行处理，提高了该装置的工作效率。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一种晶片处理系统的整体结构示意图之一。
[0018]图2为本专利技术一种晶片处理系统的整体结构示意图之二。
[0019]图3为本专利技术一种晶片处理系统的整体结构示意图之一。
[0020]图4为本专利技术一种晶片处理系统的实施例示意图之二。
[0021]图5为本专利技术一种晶片处理系统的实施例示意图之三。
[0022]图6为本专利技术一种晶片处理系统的整体实施流程示意图；
[0023]图7是本专利技术一种晶片处理系统的实施例垂直剖面示意图。
具体实施方式
[0024]以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本专利技术做进一步阐述。
[0025]一种晶片处理系统，该装置包含：支撑架、至少一个处理腔1、至少一个真空进样腔2、至少一个加热器3、至少一个刻蚀腔4及传输腔5，传输腔5内包括至少一个用于传输晶圆的机械臂。
[0026]其中，至少一个处理腔1设置在支撑架上；至少一个真空进样腔2与至少一个处理
腔1连接；至少一个加热器3设置在对应至少一个处理腔1的上方；至少一个刻蚀腔4设置在支撑架上；传输腔5设置在支撑架上，并分别与至少一个处理腔1、至少一个真空进样腔2及至少一个刻蚀腔4相通。
[0027]本专利技术中，至少一个加热器3为辐射加热器，典型的如灯加热器3，本专利技术的辐射加热器包括一个或多个灯组或者与灯组匹配的反射聚焦装置，将大部分可见光或者红外光热量向下照射到待处理晶片上。至少一个加热器3的工作功率≥10Kw。本实施例中要求，灯加热器3对晶片的照射要求在10s内使得该晶片表面达到200℃
‑
270℃的温度。
[0028]实施例一
[0029]如图4、图7所示，一种晶片处理系统中包含：一个处理腔1、一个真空进样腔2、一个加热器3、刻蚀腔4及传输腔5。
[0030]其中，处理腔1设置在支撑架上，真空进样腔2与处理腔1连接，加热器3设置在处理腔1的上方，刻蚀腔4设置在支撑架上，传输腔5设置在支撑架上，并分别与处理腔1、真空进样腔2及刻蚀腔4相通。半导体晶片剥去光刻胶装置的垂直剖面示意图所示的结构，图中处理腔和真空进样腔两者相互叠放，处理腔1设置在真空进样腔2上方，以节省空间提高整个晶圆处理系统的空间利用率。其中传输腔5通过真空传递门22
’
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片处理系统，其特征在于，包含：传输腔、至少一个处理腔、至少一个真空进样腔和至少一个刻蚀腔，一晶片可在所述真空进样腔、所述传输腔、所述刻蚀腔和处理腔之间进行传输；其中，所述刻蚀腔用于对晶片进行刻蚀处理；所述处理腔用于去除晶片上的光刻胶，每个所述处理腔上方还设置一加热器；所述处理腔与真空进样腔一体设置，且所述处理腔与真空进样腔位于所述传输腔的同一侧。2.如权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述处理腔的个数为一对，所述真空进样腔的个数为1个；所述真空进样腔设置在一对所述处理腔之间；所述真空进样腔内设有一对放置台，所述一对放置台上下相叠设置，每个所述放置台用于放置晶片。3.如权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述真空进样腔设置在所述处理腔底部；该真空进样腔内设有放置台，用于放置晶片。4.如权利要求2或3所述的晶片处理系统，其特征在于，所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门。5.如权利要求2或3所述的晶片处理系统，其特征在于，每个所述处理腔内包含：反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴狄，何乃明，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：