多环化合物和使用其的有机电致发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于有机电致发光装置的有机层中的新多环化合物，其中采用根据本发明专利技术的化合物的有机电致发光装置具有显著改善的发光效率。根据本发明专利技术，可以实现可以有效地应用于各种显示装置的高效的有机电致发光装置。各种显示装置的高效的有机电致发光装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多环化合物和使用其的有机电致发光装置


[0001]本专利技术涉及多环化合物和使用所述多环化合物中的至少一者的具有高性能的有机电致发光装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光装置是这样的自发光装置：其中从电子注入电极(阴极)注入的电子与从空穴注入电极(阳极)注入的空穴在发光层中复合以形成激子，激子在释放能量的同时发光。这样的有机电致发光装置具有低驱动电压、高亮度、大视角和短的响应时间的优点，并且可以应用于全色发光平板显示器。由于这些优点，有机电致发光装置作为下一代光源而受到关注。
[0003]有机电致发光装置的以上特性通过装置的有机层的结构优化来实现，并且由用于有机层的稳定且有效的材料(例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料和电子阻挡材料)来支持。然而，仍然需要进行更多的研究以开发用于有机电致发光装置的结构上优化的有机层和用于有机电致发光装置的有机层的稳定且有效的材料。
[0004]因此，持续需要开发为了改善有机电致发光装置的电致发光特性而优化的有机电致发光装置的结构以及能够支持有机电致发光装置的优化结构的新材料。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]因此，本专利技术旨在提供可以用于有机电致发光装置的有机层中以实现装置的高性能的多环化合物。本专利技术还旨在提供包含所述多环化合物中的至少一者的有机电致发光装置。
[0007]技术方案
[0008]本专利技术的一个方面提供了由式A、式B和式C表示的化合物：
[0009][式A][0010][0011][式B][0012][0013][式C][0014][0015]以下描述式A、式B和式C的更具体的结构、式A、式B和式C中的取代基的限定和可以由式A、式B和式C表示的具体的多环化合物。
[0016]本专利技术的另一个方面提供了有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、和介于第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机层，其中有机层中的一者包含由式A、式B和式C表示的多环化合物中的至少一者。
[0017]有益效果
[0018]本专利技术的多环化合物可以用于有机电致发光装置的有机层中以实现装置的高性能。
具体实施方式
[0019]现在将更详细地描述本专利技术。
[0020]本专利技术涉及由式A、式B和式C表示的多环化合物：
[0021][式A][0022][0023][式B][0024][0025][式C][0026][0027]其中Q1至Q3彼此相同或不同，并且各自独立地为3元至8元单环或多环的经取代或未经取代的包含至少一种烃或杂原子的脂族、芳族或非芳族环，
[0028]各个X独立地选自B、N、CR1、SiR2、P、P＝O和P＝S，
[0029]Y1至Y3彼此相同或不同，并且各自独立地为选自以下结构Y
‑
1至Y
‑
11的二价基团：
[0030]以及
[0031]R1至R
11
彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基、C2至C
24
烯基、C2至C
24
炔基、经取代或未经取代的C6至C
50
芳基、经取代或未经取代的C3至C
30
环烷基、经取代或未经取代的C1至C
30
杂环烷基、经取代或未经取代的C1至C
30
杂烷基、经取代或未经取代的C1至C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳氧基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基硫基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基胺基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基甲硅烷基、硝基、氰基、卤素、经取代或未经取代的C1至C
30
非芳族环以及由式W表示的结构：
[0032][式W][0033][0034]其中L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的包含至少一种烃或杂原子的脂族连接基团或者单键，以及R
12
至R
16
正如关于R1至R
11
所限定。
[0035]本专利技术的多环化合物可以用于制造具有高性能的有机电致发光装置。
[0036]由式A、式B和式C表示的化合物各自包含至少一种由式W表示并且具有以下结构特征的结构：
[0037](1)R
12
至R
15
中的相邻两者任选地在式A中与环e或g结合以形成Q1至Q3，任选地在式B中与环j、g或e结合以形成Q1至Q3或者任选地在式C中与环k、g或e结合以形成的Q1至Q3；以及
[0038](2)R
12
至R
16
中的一者或者L1和L2任选地与Q1至Q3或者R1至R
11
键合。
[0039]由式A、式B和式C表示的化合物的结构可以在以下例示的化合物1至108中具体发现。
[0040]根据本专利技术的一个实施方案，由式W表示并且具有特征(2)的结构可以由式W1表示：
[0041][式W1][0042][0043]其中*表示L1和L2或者R
12
至R
16
中的一者与Q1至Q3或者R1至R
11
键合(即，式A、式B和式C中的每一者中的Q1至Q3中的一者或更多者、或者Y1至Y3与由式W表示的结构连接以形成经取代的结构)。
[0044]以及L1、L2和R
12
至R
16
如式W中所限定。
[0045]由式W1表示的结构可以在以下例示的化合物62至68中具体发现。
[0046]根据本专利技术的一个实施方案，由式W表示并且具有特征(1)的结构可以选自由式W2、式W3和式W4表示的结构：
[0047][0048]其中两个相邻星号(*)各自任选地在式A中与环e或g结合以形成Q1至Q3，任选地在式B中与环j、g或e结合以形成式Q1至Q3或者任选地在式C中与环k、g或e结合以形成Q1至Q3(即，式A、式B和式C的每一者中的Q1至Q3中的至少一者包含由式W表示的结构)。
[0049]以及L1、L2和R
12
至R
16
如式W中所限定。
[0050]由式W2、式W3和式W4表示的结构可以在以下例示的化合物1至61中具体发现。
[0051]L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为包含至少一种烃或杂原子的脂族连接基团或者单键。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由式A、式B和式C中的任一者表示的化合物：[式A][式B][式C]其中Q1至Q3彼此相同或不同，并且各自独立地为3元至8元单环或多环的经取代或未经取代的包含至少一种烃或杂原子的脂族、芳族或非芳族环，各个X独立地选自B、N、CR1、SiR2、P、P＝O和P＝S，Y1至Y3彼此相同或不同，并且各自独立地为选自以下结构Y
‑
1至Y
‑
11的二价基团：以及R1至R
11
彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基、C2至C
24
烯基、C2至C
24
炔基、经取代或未经取代的C6至C
50
芳基、经取代或未经取代的C3至C
30
环烷基、经取代或未经取代的C1至C
30
杂环烷基、经取代或未经取代的C1至C
30
杂烷基、经取代或未经取代的C1至C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳氧基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基硫基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C
30
烷基胺基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基胺基、经取代或
未经取代的C1至C
30
烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C
30
芳基甲硅烷基、硝基、氰基、卤素、经取代或未经取代的C1至C
30
非芳族环以及由式W表示的结构：[式W]其中L1和L2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的包含至少一种烃或杂原子的脂族连接基团或者单键，以及R
12
至R
16
正如关于R1至R
11
所限定，不同之处在于(1)R
12
至R
15
中的相邻两者任选地在式A中与环e或g结合以形成Q1至Q3，任选地在式B中与环j、g或e结合以形成Q1至Q3或者任选地在式C中与环k、g或e结合以形成Q1至Q3，以及(2)R
12
至R
16
中的一者或者L1和L2任选地与Q1至Q3或者R1至R
11
键合，条件是由式A、式B和式C表示的化合物各自包含至少一种由式W表示的结构，以及条件是R1至R
16
、Q1至Q3、L1、L2及其取代基各自任选地与相邻取代基形成经取代或未经取代的环。2.根据权利要求1所述的化合物，其中式A、式B和式C中的每一者中的Q1至Q3中的至少一者包含所述由式W表示的结构。3.根据权利要求1所述的化合物，其中式A、式B和式C中的每一者中的Q1至Q3中的一者或更多者、或者Y1至Y3与所述由式W表示的结构连接以形成经取代的结构。4.根据权利要求1所述的化合物，其中R1至R
11
各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C
30
烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：申峰基，朱性壎，梁炳善，金志丸，赵炫俊，崔圣银，
申请(专利权)人：SFC株式会社，
类型：发明
国别省市：