高分子聚合物片及其制造方法技术

该高分子聚合物片的制造方法为，在使包含银纳米线的单体组合物聚合时，在所述聚合前所得到的高分子聚合物片的厚度方向成为铅垂方向的状态下将所述单体组合物静置，使所述单体组合物中的银纳米线沿铅垂方向取向并进行聚合。合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高分子聚合物片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及高分子聚合物片及其制造方法。
[0002]本申请基于2019年12月20日在日本提出申请的特愿2019
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230499号来主张优先权，将其内容援用到本文中。

技术介绍

[0003]银纳米线在树脂、凝胶等材料中被混炼、分散等，从而用于例如以透明的触摸面板为代表的那样的光学膜等。作为决定这些材料的物性的特性，可举出银纳米线的取向。作为上述物性，具体而言，可举出力学强度、拉伸强度、光学各向异性、双折射性、导电各向异性、电热各向异性这样的物性。
[0004]在非专利文献1中，通过控制对设置有凹凸的基材上的喷雾方向而制作了取向纳米线膜。
[0005]另外，在非专利文献2中，利用由棒涂时的剪切应力引起的取向而制作了取向纳米线膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2019
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168386号公报
[0009]非专利文献
[0010]非专利文献1：Probst,P.T.et al.ACS Applied Materials&Interfaces(美国化学会应用材料与界面)10,2018,3046
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3057
[0011]非专利文献2：Byoungchoo Park et al.Scientific Reports(科学报告)第6卷,2016,文章编号:19485

技术实现思路

[0012]专利技术所要解决的课题
[0013]在非专利文献1、非专利文献2的方法中，纳米线的取向实质上均为面内方向，取向方向受限。
[0014]鉴于如上所述的情况，本专利技术的第一方式及第二方式的目的在于提供银纳米线沿厚度方向取向的高分子聚合物片及其制造方法。
[0015]用于解决课题的手段
[0016]即，本专利技术的第一方式具备以下所示的构成。
[0017][1]一种高分子聚合物片，其为在规定方向上具有厚度方向的高分子聚合物片，所述高分子聚合物片包含银纳米线，并且所述银纳米线沿厚度方向取向。
[0018]本专利技术的第一方式优选包含以下的[2]～[3]的特征。这些特征可以优选组合2个。
[0019][2]根据[1]所述的包含银纳米线的高分子聚合物片，其中，由小角X射线散射的散射矢量求出、并且表示所述银纳米线沿厚度方向的取向度的S值为0.1～1.0，
[0020]所述S值由下述式(1)求出。
[0021][0022](其中，式(1)中的C满足式(2)，式(2)中的I(θ)是方位角θ下的散射强度，所述方位角θ是以通过小角X射线散射的散射图案求出的银纳米线的散射成为极大值的散射矢量为半径的圆上的方位角。)
[0023][0024][3]根据[1]或[2]所述的高分子聚合物片，其中，所述厚度方向为与所述高分子聚合物片的面中面积最大的面垂直的方向。
[0025]本专利技术的第二方式为以下的高分子聚合物片的制造方法。
[0026][4]一种高分子聚合物片的制造方法，其具有下述工序：准备工序，准备包含银纳米线的单体组合物；静置工序，将所述单体组合物水平静置，并使所述纳米线沿铅垂方向进行取向；和聚合工序，在使所述单体组合物中的银纳米线沿铅垂方向进行了取向的状态下使所述单体组合物聚合。
[0027]本专利技术的第二方式优选包含以下的[5]～[6]的特征。这些特征可以优选组合2个。
[0028][5]根据[4]所述的高分子聚合物片的制造方法，其中，在所述聚合工序中，向所述单体组合物照射紫外线。
[0029][6]根据[4]或[5]所述的高分子聚合物片的制造方法，其还具有对所述聚合工序中得到的高分子聚合物片的S值进行测定并调整下一个循环的条件的预备工序，在所述预备工序中，所述S值小于所希望的S值时以S值变高的方式调整条件，所述S值低于所希望的S值时以S值变高的方式调整条件，并再次进行所述准备工序、所述静置工序和所述聚合工序，所述方法中，所述S值由下述式(1)求出。
[0030][0031](其中，式(1)中的C满足式(2)，式(2)中的I(θ)是方位角θ下的散射强度，所述方位角θ是以通过小角X射线散射的散射图案求出的银纳米线的散射成为极大值的散射矢量为半径的圆上的方位角
[0032][0033][0034]专利技术效果
[0035]可得到银纳米线沿厚度方向取向的高分子聚合物片。
具体实施方式
[0036]以下举出本专利技术的实施方式的例子来进行说明，但本专利技术可以在不变更其要旨的范围内适宜变更而实施。
[0037]本实施方式是为了更充分地理解专利技术的主旨而具体说明的，只要没有特别规定，就不限定本专利技术。在不脱离本专利技术的主旨的范围内，可以对位置、角度、数目、材料、量、构成等实施变更、添加、省略、替换等。
[0038](高分子聚合物片)
[0039]本实施方式的高分子聚合物片具有规定的厚度方向。所谓厚度方向，例如为与高分子聚合物片的面中面积最大的面垂直的方向。例如在高分子聚合物片为六面体的情况下，是与构成六面体的边中长度最短的边平行的方向，在高分子聚合物片为圆柱形的情况下，是与圆垂直的方向。本实施方式的高分子聚合物片包含银纳米线。上述银纳米线沿高分子聚合物片的厚度方向取向。需要说明的是，本专利技术中，“片”包含膜及板。另外，上述高分子聚合物片的高分子聚合物的种类没有特别限定，可以为树脂、凝胶。用于制造本实施方式的高分子聚合物片的单体组合物为可进行聚合而得到上述高分子聚合物的组合物即可。
[0040]上述银纳米线沿厚度方向的取向的取向度以S值的形式得到。S值通过专利文献1中记载的小角X射线散射测定法求出。即，S值由下述式(1)求出。需要说明的是，S值在各向同性的情况下为0，在完全取向的情况下为1。
[0041][0042](其中，式(1)中的C满足式(2)，式(2)中的I(θ)是方位角θ下的散射强度，所述方位角θ是以通过小角X射线散射的散射图案求出的银纳米线的散射成为极大值的散射矢量为半径的圆上的方位角。)
[0043][0044]更具体而言，通过后述的实施例中记载的方法求出S值。
[0045]上述高分子聚合物片的S值优选为0.1～1.0。
[0046]在上述高分子聚合物片的用途为导电材料的情况下，取向度越高，则可获得越高的各向异性。另一方面，取向度低而存在银纳米线彼此的缠结时，可获得高导电性。因此，用于导电材料的高分子聚合物片的S值优选为0.1～0.5，更优选为0.2～0.3。
[0047]在上述高分子聚合物片的用途为光学材料的情况下，取向度越高，则越容易获得偏光等光学特性。因此，S值优选为0.2～1.0，更优选为0.4～1.0。
[0048](高分子聚合物片的制造方法)
[0049]这样的高分子聚合物片可如下得到：利用在水、有机溶剂等液体中沿重力方向(铅垂方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高分子聚合物片，其包含银纳米线，并且所述银纳米线沿厚度方向取向。2.根据权利要求1所述的高分子聚合物片，其中，由小角X射线散射的散射矢量求出、并且表示所述银纳米线沿厚度方向的取向度的S值为0.1～1.0，所述S值由下述式(1)求出，其中，式(1)中的C满足式(2)，式(2)中的I(θ)是方位角θ下的散射强度，所述方位角θ是以通过小角X射线散射的散射图案求出的银纳米线的散射成为极大值的散射矢量...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫村泰直，门胁靖，山竹邦明，原真尚，山木繁，大籏英树，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：