磁头和磁记录装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
磁头和磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
020441号(申请日：2021年2月12日)为基础，从该申请享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的所有内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头和磁记录装置。

技术介绍

[0003]采用磁头，将信息记录于HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质。在磁头和磁记录装置中，希望提高记录密度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层。所述第1磁性层包括第1元素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁头，具有第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体；所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层；所述第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个；所述第2磁性层包括所述第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个；所述第1磁性层不包括所述第2元素，或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低；沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。2.如权利要求1所述的磁头，所述第1厚度为所述第2厚度的0.33倍以上。3.如权利要求1所述的磁头，所述第3非磁性层与所述第1磁极和所述第1磁性层相接。4.如权利要求1所述的磁头，所述第2非磁性层与所述第2磁性层和所述第2磁极相接。5.如权利要求1所述的磁头，所述第1厚度和所述第2厚度之和为15nm以上。6.如权利要求1所述的磁头，所述第1磁性层包括第1磁性区域和第2磁性区域；所述第2磁性区域位于所述第1磁性区...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川裕治，成田直幸，高岸雅幸，前田知幸，永泽鹤美，岩崎仁志，首藤浩文，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：