微波辅助磁记录磁头滑块及其研磨方法技术

一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块的研磨方法，包括：第一研磨工序：控制研磨盘在第一速度下旋转，控制MAMR磁头滑块在第一移动速度下运动，并以第一力向MAMR磁头滑块施加压力，以研磨预定端面；以及第二研磨工序：控制研磨盘在小于所述第一速度的第二速度下旋转，控制MAMR磁头滑块在小于第一移动速度的第二移动速度下运动，并以小于第一力的第二力向MAMR磁头滑块施加压力，以研磨预定端面；其中末次研磨中的所述第二力为0。该方法可减少ABS上的研磨标记、改善磁极表面/ABS粗糙度，从而改善极尖衰退，进而提高MAMR磁头可靠性、延长MAMR磁头使用寿命。头使用寿命。头使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
微波辅助磁记录磁头滑块及其研磨方法


[0001]本专利技术涉及数据储存领域，尤其涉及一种硬盘驱动器中微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块(Slider)的研磨方法。

技术介绍

[0002]磁盘驱动器(HDD)是常用的信息存储装置。随着HDD的记录密度的增大，急需改善磁头和磁记录介质的性能，在HDD中，嵌入在滑块内的磁头在磁记录介质的表面上飞行以进行数据的读写操作。
[0003]为了实现安装在硬盘装置中的磁头的更高记录密度，需要窄化写磁道间距和比特。空气轴承表面的主磁极的表面积随着记录密度的增大而显著地减小。随着磁极在传统磁头中以这种方式变窄，记录场变小，并且高于特定记录密度，就不再可能实现写入所需的记录场。为了解决这种问题，已经提出一种高频磁场辅助记录方法(MAMR：微波辅助磁记录)，其中微波振荡器(自旋扭矩振荡器，STO)在主磁极上或者在主磁极附近形成，并且高频磁场被施加于记录介质，以降低介质的矫顽力，并且在这种状态下，记录场被应用于介质以记录数据。
[0004]正因为其优点突出，MAMR磁头对空气承载面(ABS)的表面质量要求也更严格，即便是纳米级的表面划痕也会对介质表面、STO及极尖性能造成影响。传统的MAMR磁头滑块的研磨方法在ABS上造成的研磨标记(划痕)十分严重，在原子力显微镜内常见为十字交错的深划痕。
[0005]因此，亟待一种改进的MAMR磁头滑块的研磨方法以减少ABS上研磨标记、改善磁极表面/ABS粗糙度，从而改善极尖衰退，进而提高元件可靠性、延长MAMR磁头使用寿命。
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技术实现思路

[0006]本专利技术的一个目的在于提供一种MAMR磁头滑块的研磨方法，该方法可减少ABS上的研磨标记、改善磁极表面/ABS粗糙度，从而改善极尖衰退，进而提高MAMR磁头可靠性、延长MAMR磁头使用寿命。
[0007]本专利技术的另一目的在于提供一种MAMR磁头，其ABS的研磨标记被减少，粗糙度被改善，可靠性高且使用寿命长。
[0008]为了实现上述目的，本专利技术提供一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块的研磨方法，其中利用具有研磨面的研磨盘对所述MAMR磁头滑块的预定端面进行研磨，在所述预定端面上形成具有旋转扭矩振荡器(STO)的MAMR磁头，所述方法包括：
[0009]第一研磨工序：控制所述研磨盘在第一速度下旋转，控制所述MAMR磁头滑块在第一移动速度下运动，并以第一力向所述MAMR磁头滑块施加压力，以研磨所述预定端面；以及
[0010]第二研磨工序：控制所述研磨盘在小于所述第一速度的第二速度下旋转，控制所述MAMR磁头滑块在小于所述第一移动速度的第二移动速度下运动，并以小于所述第一力的第二力向所述MAMR磁头滑块施加压力，以研磨所述预定端面；
[0011]其中所述第二研磨工序中包括末次研磨工序，所述末次研磨中的所述第二力为0。
[0012]较佳地，所述第二研磨工序中，所述研磨盘的所述第二速度的范围为0.5-0.2rpm。
[0013]较佳地，所述第二研磨工序中除了末次研磨工序，向所述MAMR磁头滑块施加的所述第二力的范围为大于0小于0.6kgf。
[0014]较佳地，所述第二研磨工序中，所述MAMR磁头滑块的所述第二移动速度的范围为0.80-0.25mm/s。
[0015]较佳地，所述第一、第二研磨工序中，所述MAMR磁头滑块被配置为沿着平行于所述研磨盘的径向方向作往返直线运动。
[0016]较佳地，所述第一、第二研磨工序中，所述MAMR磁头滑块被配置为以垂直于研磨盘的表面的方向施加所述第一、第二力。
[0017]较佳地，第二研磨工序包括多次子研磨工序以及所述末次研磨工序，位于后次的子研磨工序中采用的第二速度、第二力以及第二移动速度均小于或等于前次子研磨工序中采用的第二速度、第二力以及第二移动速度。
[0018]相应地，本专利技术还提供依照本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法获得的MAMR磁头滑块，包括前边、尾边、面向媒介的空气承载面以及嵌入于所述尾边的具有旋转扭矩振荡器的MAMR磁头，其中，所述空气承载面上具有单方向的研磨标记。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的研磨方法通过多次的研磨优化工序，在接近研磨结束的工序中降低研磨盘的转速、降低MAMR磁头滑块的移动速度，在末次研磨中撤去对MAMR磁头滑块的压力，从而获得优秀的研磨效果：减少ABS上的研磨标记、改善磁极表面/ABS粗糙度，从而改善极尖衰退，进而提高MAMR磁头可靠性、延长MAMR磁头使用寿命。
[0020]通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。
附图说明
[0021]图1为具有MAMR磁头的HDD的立体图。
[0022]图2为MAMR磁头滑块的立体图，其依照本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法获得的一个实施例。
[0023]图3为图2的MAMR磁头滑块的剖视图。
[0024]图4为MAMR磁头滑块的局部示意图，展示STO以及磁极部分。
[0025]图5为依照本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法中使用的研磨装置的局部示意图。
[0026]图6为本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法的一个实施例的流程图。
[0027]图7为依照本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法而得的MAMR磁头的磁极尾部屏蔽的标准差(Sigma)控制对比示意图。
[0028]图8a-8b为依照本专利技术MAMR磁头滑块的研磨方法而得的MAMR磁头与依照传统研磨方法而得的传统MAMR磁头的使用寿命对比图。
具体实施方式
[0029]下面将参考附图阐述本专利技术几个不同的最佳实施例，其中不同图中相同的标号代表相同的部件。如上所述，本专利技术的实质在于提供一种MAMR磁头滑块的研磨方法，通过对研
磨工序的参数进行优化，从而改善磁极粗糙度、减少磁极区域的研磨标记，从而改善极尖衰退，进而提高MAMR磁头可靠性、延长MAMR磁头使用寿命。
[0030]图1为本专利技术的HDD的一个实施例的立体图。该HDD 300包括HGA 200，与HGA 200连接的驱动臂304，一系列旋转磁盘301，以及用以驱动磁盘301的主轴马达302，上述元件均安装于一壳体309中。本专利技术HDD 300的结构不限于此，例如旋转磁盘301、HGA 200和驱动臂304的数量也可以是一个。每一HGA 200包括悬臂件(未标示)以及承载于该悬臂件上的用以在旋转磁盘301上读取或写入数据的MAMR磁头滑块230。
[0031]如图2所示，该MAMR磁头滑块230包括衬底203、嵌入衬底203中的MAMR磁头340。
[0032]具体地，如图2所示，该MAMR磁头滑块230包括前边204、尾边205、面向磁盘并为提供合适飞行高度而设的ABS 241，以及与ABS 241相对的相对面242、以及嵌入该尾边205中的MAMR磁头340。读写元件则嵌入在尾边205上。尾边205上具有多个连接触点207(如8个)用以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块的研磨方法，其中利用具有研磨面的研磨盘对所述MAMR磁头滑块的预定端面进行研磨，在所述预定端面上形成具有旋转扭矩振荡器(STO)的MAMR磁头，其特征在于所述方法包括：第一研磨工序：控制所述研磨盘在第一速度下旋转，控制所述MAMR磁头滑块在第一移动速度下运动，并以第一力向所述MAMR磁头滑块施加压力，以研磨所述预定端面；以及第二研磨工序：控制所述研磨盘在小于所述第一速度的第二速度下旋转，控制所述MAMR磁头滑块在小于所述第一移动速度的第二移动速度下运动，并以小于所述第一力的第二力向所述MAMR磁头滑块施加压力，以研磨所述预定端面；其中所述第二研磨工序中包括末次研磨工序，所述末次研磨中的所述第二力为0。2.如权利要求1所述的MAMR磁头滑块的研磨方法，其特征在于：所述第二研磨工序中，所述研磨盘的所述第二速度的范围为0.5-0.2rpm。3.如权利要求1所述的MAMR磁头滑块的研磨方法，其特征在于：所述第二研磨工序中除了末次研磨工序，向所述MAMR磁头滑块施加的所述第二力的范围为大于0小于0.6k...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世雄，齐斌，郭文荣，刘鹏，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：