【技术实现步骤摘要】
磁头及磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2020
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095415(申请日2020年6月1日)为基础，根据该申请而享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的内容的全部。
[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头及磁记录装置。
技术介绍
[0003]在磁记录装置中，设置使用了包括磁性层的层叠体的磁头。在磁记录装置中，期望稳定的动作。
技术实现思路
[0004]本专利技术的实施方式提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向。所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁头，具备：第1磁极；第2磁极；及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性构件；第2磁性构件，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间；第1层，设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu；及第2层，设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间，包括Cu，所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域，从所述多个第1磁性区域的1个向所述多个第1磁性区域的另外的1个的方向沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向，所述第1非磁性区域处于所述多个第1磁性区域的所述1个与所述多个第1磁性区域的所述另外的1个之间，所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素，所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素，所述第1非磁性区域不包括Cu，或者，所述第1非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第1层中的Cu的浓度低，所述第2磁性构件包括多个第2磁性区域和第2非磁性区域，从所述多个第2磁性区域的1个向所述多个第2磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，所述第2非磁性区域处于所述多个第2磁性区域的所述1个与所述多个第2磁性区域的所述另外的1个之间，所述多个第2磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第3元素，所述第2非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第4元素，所述第2非磁性区域不包括Cu，或者，所述第2非磁性区域中包含的所述Cu的浓度比所述第2层中的Cu的浓度低。2.根据权利要求1所述的磁头，所述第1磁性构件的沿着所述第1方向的厚度比所述第2磁性构件的沿着所述第1方向的厚度薄。3.根据权利要求1所述的磁头，所述层叠体包括设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁极侧中间层，所述第2磁极侧中间层包括从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个。4.根据权利要求1所述的磁头，所述层叠体还包括：第3磁性构件，设置于所述第1层与所述第2磁性构件之间；及第3层，设置于所述第3磁性构件与所述第2磁性构件之间，包括Cu，
所述第3磁性构件包括多个第3磁性区域和第3非磁性区域，从所述多个第3磁性区域的1个向所述多个第3磁性区域的另外的1个的方向沿着所述第1方向，所述第3非磁性区域处于所述多个第3磁性区域的所述1个与所述多个第3磁性区域的所述另外的1个之间，所述多个第3磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第5元素，所述第3非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎仁志，成田直幸，首藤浩文，高岸雅幸，永泽鹤美，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：
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